Транзистора 13002 (mje13002)

13003F Datasheet (PDF)

1.1. mje13003f2.pdf Size:193K _update

MJE13003F2(3DD13003F2) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

1.2. mje13003f5.pdf Size:250K _update

MJE13003F5(3DD13003F5) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

 1.3. mje13003ft.pdf Size:216K _update

MJE13003FT(3DD13003FT) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

1.4. r13003f1.pdf Size:407K _update

R13003F1(BR3DA13003F1K)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
TO-92 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package.
特征 / Features
耐压高,快速转换。
High Voltage Capability High Speed Switching.
用途 / Applications
主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
High frequency

 1.5. mje13003f6.pdf Size:200K _update

MJE13003F6(3DD13003F6) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

1.6. mje13003f1.pdf Size:192K _update

MJE13003F1(3DD13003F1) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

1.7. r13003f1.pdf Size:407K _blue-rocket-elect

R13003F1(BR3DA13003F1K)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
TO-92 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package.
特征 / Features
耐压高,快速转换。
High Voltage Capability High Speed Switching.
用途 / Applications
主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
High frequency

1.8. 3dd13003f6d.pdf Size:151K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DD13003 F6D
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位
3DD13003 F6D 是硅
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管,该
● 高温特性好
IC 1.5 A
产品采用平面工艺,
分压环
● 合适的开关速度
Ptot (Tc=25℃) 50 W
终端结构

1.9. 3dd13003f3d.pdf Size:149K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DD13003 F3D
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DD13003 F3D 是硅 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管,该
● 高温特性好
IC 1.5 A
产品采用平面工艺,
分压环
● 合适的开关速度
Ptot (Tc=25℃) 30 W
终端结构

1.10. 3dd13003f1d.pdf Size:182K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DD13003 F1D
产品概述 特征参数
产品特点
3DD13003 F1D 是硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管,该
● 高温特性好
IC 1.5 A
产品采用平面工艺,
分压环
● 合适的开关速度
Ptot (Ta=25℃) 0.8 W
终端结构和

1.11. bu13003f.pdf Size:120K _jdsemi

R
BU13003F
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si NPN
◆RoHS COMPLIANT
1.
1.
1.APPLICATION
1.
Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、
and Switch-mode power supplies
2.
2.
2

P13003 Datasheet (PDF)

1.1. wbp13003d.pdf Size:395K _upd

WBP13003D
WBP13003D
WBP13003D
WBP13003D
HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor
Features
symbol
symbol
symbol
symbol
■ Very High Switching Speed
2.Collector
■ High Voltage Capability
■ Wide Reverse Bias SOA 1.Base
■ Built-in free wheeling diode
3.Emitter
General Description
This Device is designed for high Voltage ,High speed
switching Characteristics required such

1.2. sbp13003o.pdf Size:364K _update

SBP13003-O
SBP13003-O
SBP13003-O
SBP13003-O
High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
Features
Features
Features
Features
◆ Very High Switching Speed
◆ High Voltage Capability
◆ Wide Reverse Bias SOA
General Description
G

 1.3. sbp13003h.pdf Size:445K _update

SBP13003H
SBP13003H
SBP13003H
SBP13003H
High Voltage Fast -Switching NPN Power Transistor
Features
Very High Switching Speed
� High Voltage Capability
� Wide Reverse Bias SOA
General Description
This Device is designed for high voltage , High speed
Switching characteristics required such as lighting
system, switching mode power supply.
Absolute Maximum Ratings
Symbol Parameter

1.4. sbp13003d.pdf Size:560K _update

SBP13003D
SBP13003D
SBP13003D
SBP13003D
High Voltage Fast -Switching NPN Power Transistor
Features
symbol
symbol
symbol
symbol
� Very High Switching Speed
2.Collector
� High Voltage Capability
� Wide Reverse Bias SOA
1.Base
� Built-in free wheeling diode
3.Emitter
General Description
This Device is designed for high Voltage ,High speed
switching Characteristics requir

 1.5. sbp13003.pdf Size:160K _update

SBP13003
SemiWell Semiconductor
High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
Features
Symbol

2.Collector
— Very High Switching Speed
— Minimum Lot-to-Lot hFE Variation
1.Base ○
— Short storge time
— Wide Reverse Bias S.O.A

3.Emitter
General Description
TO-220
This devices is designed for high voltage, high speed switching
characteristic,especially suitable for ba

1.6. p13003.pdf Size:113K _jdsemi

R
P13003
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
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www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si NPN
◆RoHS COMPLIANT
1.
1.
1.APPLICATION
1.
Fluorescent Lamp、Charger、
and Switch-mode power supplies
2.
2.
2.FEATURES
2

1.7. p13003d.pdf Size:116K _jdsemi

R
P13003D
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si NPN
◆RoHS COMPLIANT
1.
1.
1.APPLICATION
1.
Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、
and Switch-mode power supplies
2.
2.
2.

MJE13003G Datasheet (PDF)

1.1. mje13003g6.pdf Size:219K _update

MJE13003G6(3DD13003G6) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

1.2. mje13003g.pdf Size:107K _update

MJE13003
SWITCHMODEt Series NPN
Silicon Power Transistor
These devices are designed for high-voltage, high-speed power
switching inductive circuits where fall time is critical. They are
particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE applications
http://onsemi.com
such as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls,
Solenoid/Relay drivers and Deflection circuits.
1.5 AMPERES
Feat

 1.3. mje13003g1.pdf Size:212K _update

MJE13003G1(3DD13003G1) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

1.4. mje13003g5.pdf Size:219K _update

MJE13003G5(3DD13003G5) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

MJE13003L5 Datasheet (PDF)

1.1. mje13003l3.pdf Size:286K _update

MJE13003L3(3DD13003L3) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途: 主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters,
inverters, switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 900 V

1.2. mje13003l5.pdf Size:283K _update

MJE13003L5(3DD13003L5) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途: 主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters,
inverters, switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 900 V

 1.3. mje13003lf5.pdf Size:309K _update

MJE13003LF5(3DD13003LF5) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 400 V

1.4. mje13003l1.pdf Size:277K _update

MJE13003L1(3DD13003L1) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途: 主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 900 V

 1.5. mje13003lf1.pdf Size:251K _update

MJE13003LF1(3DD13003LF1) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 400 V

1.6. mje13003l6.pdf Size:284K _update

MJE13003L6(3DD13003L6) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途: 主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 900 V

3DD13003H6D Datasheet (PDF)

1.1. 3dd13003h3d.pdf Size:317K _china

华润华晶分立器件
R

硅NPN低频放大双极型晶体管 3DD13003H3D
1 产品概述:
3DD13003H3D 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品采用平面工艺, 特征参数
VCEO 400 V
分压环终端结构和少子寿命控制技术,集成了有源抗饱和网络,提高
IC 1.8 A
了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。
Ptot
(TC=25℃)

1.2. 3dd13003h8d.pdf Size:153K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DD13003 H8D
产品概述 特征参数
产品特点
● 电流特性好
3DD13003 H8D 是硅 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率晶体管,该产品
● 高温特性好
IC 1.8 A
采用平面工艺,有源区采用
● 合适的开关速度
Ptot (TC=25℃) 60 W
反覆盖结构

 1.3. 3dd13003h1d.pdf Size:183K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DD13003 H1D
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DD13003 H1D 是硅 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管,该
● 高温特性好
IC 1.8 A
产品采用平面工艺,
分压环
● 合适的开关速度
Ptot (Ta=25℃) 0.8 W
终端结

1.4. 3dd13003h6d.pdf Size:151K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DD13003 H6D
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DD13003 H6D 是硅 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管,该
● 高温特性好
IC 1.8 A
产品采用平面工艺,
分压环
● 合适的开关速度
Ptot (Tc=25℃) 50 W
终端结构

13003E Datasheet (PDF)

1.1. ksd13003e.pdf Size:611K _upd

KSD13003E
KSU13003E
◎ SEMIHOW REV.A0,July 2011
KSD13003E/KSU13003E
KSD13003E/KSU13003E
High Voltage Switch Mode Application
• High Voltage, High Speed Switching
• Suitable for Switching regulator, Inverters motor controls
• 150℃ Max. Operating temperature
• 8KV ESD proof at HBM (C=100㎊, R=1.5㏀)
1.5 Amperes
NPN Silicon Power Transistor
Absolute Maximum

1.2. ksu13003er.pdf Size:611K _upd

KSD13003ER
KSU13003ER
◎ SEMIHOW REV.A0,July 2011
KSD13003ER/KSU13003ER
KSD13003ER/KSU13003ER
High Voltage Switch Mode Application
• High Voltage, High Speed Switching
• Suitable for Switching regulator, Inverters motor controls
• 150℃ Max. Operating temperature
• 8KV ESD proof at HBM (C=100㎊, R=1.5㏀)
1.5 Amperes
NPN Silicon Power Transistor
Absolute M

 1.3. ksu13003e.pdf Size:611K _upd

KSD13003E
KSU13003E
◎ SEMIHOW REV.A0,July 2011
KSD13003E/KSU13003E
KSD13003E/KSU13003E
High Voltage Switch Mode Application
• High Voltage, High Speed Switching
• Suitable for Switching regulator, Inverters motor controls
• 150℃ Max. Operating temperature
• 8KV ESD proof at HBM (C=100㎊, R=1.5㏀)
1.5 Amperes
NPN Silicon Power Transistor
Absolute Maximum

1.4. ksd13003er.pdf Size:611K _upd

KSD13003ER
KSU13003ER
◎ SEMIHOW REV.A0,July 2011
KSD13003ER/KSU13003ER
KSD13003ER/KSU13003ER
High Voltage Switch Mode Application
• High Voltage, High Speed Switching
• Suitable for Switching regulator, Inverters motor controls
• 150℃ Max. Operating temperature
• 8KV ESD proof at HBM (C=100㎊, R=1.5㏀)
1.5 Amperes
NPN Silicon Power Transistor
Absolute M

 1.5. ksb13003er.pdf Size:323K _upd

KSB13003ER
KSB13003ER
◎ SEMIHOW REV.A0,Apr 2008
KSB130
003ER
KSB13003ER
High Voltage Switch Mode Application
• High Voltage, High Speed Switching
• Suitable for Switching regulator, Inverters motor controls
150℃ Max Operating temperature
• 150℃ Max. Operating temperature
• 8KV ESD proof at HBM (C=100㎊, R=1.5㏀)
1.5 Amperes
NPN Silicon Power Transistor
Absolute M

1.6. dxt13003ek.pdf Size:312K _upd

DXT13003EK
460V NPN HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTOR IN TO252
Features Mechanical Data
• BVCEO > 460V • Case: TO252 (DPAK)
• BVCES > 700V • Case Material: Molded Plastic, «Green» Molding Compound
• BVEBO > 9V UL Flammability Classification Rating 94V-0
• Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020
• IC = 1.5A high Continuous Collector Current
• Terminals: Finish — Ma

1.7. apt13003eu-ez.pdf Size:427K _update

 Data Sheet
HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR APT13003E
General Description Features
The APT13003E series are high voltage, high speed
· High Switching Speed
switching NPN Power transistors specially designed
· High Collector-Emitter Voltage
for off-line switch mode power supplies with low out-
· Low Cost
put power.
· Bulk and Ammo Packing TO-92 Package and
TO-12

1.8. mje13003e1.pdf Size:290K _update

MJE13003E1(3DD13003E1) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途: 主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 700 V

1.9. 13003eda.pdf Size:140K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
13003EDA Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR
NPN SILICON BIPOLAR
TRANSISTORS FOR LOW
FREQUENCY AMPLIFICATION
? DESCRIPTION
The UTC 13003EDA is a silicon NPN power switching transistor; it
uses UTC’s advanced technology to provide customers high
collector-base breakdown voltage, low reverse leakage current and
high reliability, etc.
The UTC 13003E

1.10. hmje13003e.pdf Size:83K _hsmc

Spec. No. : HE200502
HI-SINCERITY
Issued Date : 2005.10.01
Revised Date : 2009.10.14
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/4
HMJE13003E
NPN Epitaxial Planar Transistor
Description
• High Voltage, High Speed Power Switch
• Switch Regulators
• PWM Inverters and Motor Controls
TO-220
• Solenoid and Relay Drivers
• Deflection Circuits
Absolute Maximum Ratings (TA=

1.11. 3dd13003e6d.pdf Size:150K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DD13003 E6D
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DD13003 E6D 是硅 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管,该
● 高温特性好
IC 1.3 A
产品采用平面工艺,
分压环
● 合适的开关速度
Ptot (Tc=25℃) 40 W
终端结构

1.12. apt13003eu-ez.pdf Size:427K _bcdsemi

 Data Sheet
HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR APT13003E
General Description Features
The APT13003E series are high voltage, high speed
· High Switching Speed
switching NPN Power transistors specially designed
· High Collector-Emitter Voltage
for off-line switch mode power supplies with low out-
· Low Cost
put power.
· Bulk and Ammo Packing TO-92 Package and
TO-12

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового прибора хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-хх компанией RCA (инженерами из группы Херба Мейзеля) и производился по меза-планарному техпроцессу. Предназначался для работы в усилителях мощности. В последующем стал применяться в стабилизаторах и регуляторах напряжения в блоках питания. С середины 70-xx, вместе с поиском более экономичного способа производства, его начали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усиливающие свойства, их линейность при этом, cделали устройство незаменимым спутником многих УНЧ того времени.

К сожалению RCA в 1988 г. прекратило существование. Её полупроводниковый бизнес приобрела американская Harris Corporation. Сейчас транзисторы с маркировкой 2N 3055 выпускают многие зарубежные компании, в том числе с применением экологичных без свинцовых (Pb-Free) стандартов. Считается, что более новые экземпляры (выпущенные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но хуже защищены от высоких напряжений.

Вместе тем, в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, появились случаи их подделки. Маловероятно купить оригинальный экземпляр на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay, и др. Поэтому многие радиолюбители предпочитают его старые версии, выпущенные преимущественно до 2000 г.

Биполярный транзистор 13003F — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 13003F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора: TO126

13003F
Datasheet (PDF)

1.1. mje13003f2.pdf Size:193K _update

MJE13003F2(3DD13003F2) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

1.2. mje13003f5.pdf Size:250K _update

MJE13003F5(3DD13003F5) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

 1.3. mje13003ft.pdf Size:216K _update

MJE13003FT(3DD13003FT) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

1.4. r13003f1.pdf Size:407K _update

R13003F1(BR3DA13003F1K)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
TO-92 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package.
特征 / Features
耐压高,快速转换。
High Voltage Capability High Speed Switching.
用途 / Applications
主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
High frequency

 1.5. mje13003f6.pdf Size:200K _update

MJE13003F6(3DD13003F6) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

1.6. mje13003f1.pdf Size:192K _update

MJE13003F1(3DD13003F1) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

1.7. r13003f1.pdf Size:407K _blue-rocket-elect

R13003F1(BR3DA13003F1K)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
TO-92 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package.
特征 / Features
耐压高,快速转换。
High Voltage Capability High Speed Switching.
用途 / Applications
主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
High frequency

1.8. 3dd13003f6d.pdf Size:151K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DD13003 F6D
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位
3DD13003 F6D 是硅
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管,该
● 高温特性好
IC 1.5 A
产品采用平面工艺,
分压环
● 合适的开关速度
Ptot (Tc=25℃) 50 W
终端结构

1.9. 3dd13003f3d.pdf Size:149K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DD13003 F3D
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DD13003 F3D 是硅 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管,该
● 高温特性好
IC 1.5 A
产品采用平面工艺,
分压环
● 合适的开关速度
Ptot (Tc=25℃) 30 W
终端结构

1.10. 3dd13003f1d.pdf Size:182K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DD13003 F1D
产品概述 特征参数
产品特点
3DD13003 F1D 是硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管,该
● 高温特性好
IC 1.5 A
产品采用平面工艺,
分压环
● 合适的开关速度
Ptot (Ta=25℃) 0.8 W
终端结构和

1.11. bu13003f.pdf Size:120K _jdsemi

R
BU13003F
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si NPN
◆RoHS COMPLIANT
1.
1.
1.APPLICATION
1.
Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、
and Switch-mode power supplies
2.
2.
2

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

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