Транзистор bd139

Применение

В основном находят применение в ключевых схемах, стабилизаторах напряжения, усилителях звуковой частоты и различных преобразователях. В аудиоусилителях, встречается в стабилизаторе питания и в предвыходных каскадах усиления, перед более мощными оконечными транзисторами. Они могут достаточно взаимодействовать с комплементарной парой bd140, в симметричных схемах усиления звуковых частот или в маломощных стабилизаторах напряжения. Радиолюбители очень часто, для замены вышедших из строя в российской аппаратуре транзистора серии КТ815, выбирают именно BD139.

Пример простейшего использования этого элемента в схеме с датчиком освещения.

Характеристики транзистора BD139

При температуре окружающей среды +25 °C, физические:

  • принцип действия – биполярный;
  • корпус ТО-126 (без радиатора), он же SOT-32, TO-225AA;
  • материал корпуса – пластмасса;
  • кристалл транзистора — кремний (Si);

электрические (максимальные):

  • проводимость – NPN;
  • IKмакс (ICmax) не более 1.5 А;
  • UКЭ макс (VCEmax) не более 80 В (V);
  • UКБ макс.(VCBmax) не более 100 В (V);
  • UЭБ макс (VЕВ max) не более 5 В (V);
  • UКЭ.нас. (VCEsat) не более 0.3 В (V), при IБ(Ic) = 0,5 A, IБ (IB) 0,05 A;
  • IКБО (ICBO) не более 0.1 мкА (µA), при U КБ макс .(VCB ) = 30 В (V) IЭ (IE)=0;
  • IЭБО (I EBO) не более 10 мкА (µA), при U EБ макс .(VEBО ) = 5 В (V) и отключенном коллекторе (ток коллектора IК (IС)=0);
  • IБ макс. (IB) 500 мА (mA);
  • PР макс (PD) 1,25 Вт (W);

тепловые:

  • Тепловое сопротивление перехода кристалла к корпусу θJC = 10 °C/W (°C/Вт);
  • Тепловое сопротивление корпуса к окружающей среде θCA= 90 °C/W (°C/Вт);
  • Общее тепловое сопротивление θJA= 100 °C/W (°C/Вт);
  • Tраб.(Tj) ≤ + 150 °C.;
  • Tхран.(Tstr) от — 55 до + 150 °C.

Маркировка

Транзистор промаркирован по система Pro Electron, применяющейся в Европе и европейской ассоциацией производителей радиокомпонентов. Первые две “BD ”указывают на то, что перед нами кремнёвый, мощный транзистор низкой частоты. В европейской Pro Electron нет транзисторов средней мощности, по ней они маркируются маломощными или мощными. Далее идет серийный номер устройства “140”.

Первые выпуски bd140 проводила компания Philips. По некоторым сведениям, эта она прекратила их выпуск. Однако в некоторых магазинах еще можно найти ее устройства. Из-за хорошего качества сборки и своих характеристик они будут стоить дороже своих клонов.

Datasheets

Plastic Medium-Power Silicon NPN Transistors

PDF, 82 Кб, Версия: 17, Файл закачен: 5 сен 2018

Выписка из документа

BD135G, BD137G, BD139GPlastic Medium-PowerSilicon NPN TransistorsThis series of plastic, medium−power silicon NPN transistors aredesigned for use as audio amplifiers and drivers utilizingcomplementary or quasi complementary circuits.http://onsemi.comFeatures • High DC Current Gain• BD 135, 137, 139 are complementary with BD 136, 138, 140• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1.5 A POWER TRANSISTORSNPN SILICON45, 60, 80 V, 12.5 W Compliant*COLLECTOR2, 4 MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit Collector−Emitter VoltageBD135GBD137GBD139G VCEO Collector−Base VoltageBD135GBD137GBD139G VCBO Emitter−Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current IC 1.5 Adc Base Current IB 0.5 Adc Total Device Dissipation@ TA = 25°CDerate above 25°C PD …

Оцените статью:
Оставить комментарий
Adblock
detector