Главная > Дополнительно > Транзистор 2n5401

Транзистор 2n5401

Содержание

1 Биполярный транзистор 2N5400 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
2 2N5400 Datasheet (PDF)
3 Где и как использовать ?
4 Распиновка
5 Основные технические характеристики 2n5551
6 2SC5404 Datasheet (PDF)
7 Производители
8 Справка об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401.
9 CMBT5401 Datasheet (PDF)
10 2N5400 Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор 2N5400 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5400

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 135
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора: TO92

2N5400
Datasheet (PDF)

Кт807б

1.1. 2n5400 2n5401.pdf Size:177K _motorola

MOTOROLA
Order this document
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
by 2N5400/D
Amplifier Transistors
2N5400
PNP Silicon
*
2N5401
*Motorola Preferred Device
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
1
2
3
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol 2N5400 2N5401 Unit
CASE 2904, STYLE 1
TO92 (TO226AA)
CollectorEmitter Voltage VCEO 120 150 Vdc
CollectorBase Voltage VCBO 130 160 Vdc
EmitterBase Voltage VEB

1.2. 2n5400.pdf Size:546K _fairchild_semi

2N5400
C TO-92
B
E
PNP General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring high voltages.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 120 V
VCBO Collector-Base Voltage 130 V
VEBO Emitter-Base Voltage 5.0 V
ICCollector Current — Continuous600mA
Operatin

1.3. 2n5400.pdf Size:56K _samsung

2N5400
S/S TR
CD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung Electronics
Printed in Korea.
Page : 1 (2N5400)

1.4. 2n5400 2n5401.pdf Size:80K _central

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

1.5. 2n5400.pdf Size:375K _secos

2N5400
-0.6 A, -130 V
PNP Plastic Encapsulated Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES
? Switching and amplification in high voltage
? Applications such as telephony
TO-92
? Low current(max.600mA)
? High voltage(max.130V)
G H
? Emitter
? Base
? Collector
J
A D
Millimeter
REF.
Min. Max.

1.6. 2n5400.pdf Size:149K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR 2N5400
TO-92
Plastic Package
C
B
E
Amplifier Transistor
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT
Collector Emitter Voltage VCEO 120 V
Collector Base Voltage VCBO 130 V
Emitter Base Voltage VEBO 5.0 V
Collector Current Continuous IC 600 mA
P

1.7. 2n5400s.pdf Size:33K _kec

SEMICONDUCTOR 2N5400S
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
HIGH VOLTAGE APPLICATION.
E
L B L
DIM MILLIMETERS
FEATURES
_
+
2.93 0.20
A
B 1.30+0.20/-0.15
High Collector Breakdwon Voltage
C 1.30 MAX
2
: VCBO=-130V, VCEO=-120V 3 D 0.45+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
Low Leakage Current.
1
G 1.90
H 0.95
: ICBO=-100nA(Max.) @VCB=-100V
J 0.

1.8. 2n5400.pdf Size:32K _kec

SEMICONDUCTOR 2N5400
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
HIGH VOLTAGE APPLICATION.
B C
FEATURES
High Collector Breakdwon Voltage
N DIM MILLIMETERS
: VCBO=-130V, VCEO=-120V
A 4.70 MAX
E
K
Low Leakage Current. B 4.80 MAX
G
C 3.70 MAX
D
: ICBO=-100nA(Max.) @VCB=-100V
D 0.45
E 1.00
Low Saturation Voltage
F 1.27
G 0.85
: VCE(sat)=-0.5V(

1.9. 2n5400.pdf Size:204K _lge

2N5400(PNP)
TO-92 Bipolar Transistors
TO-92
1.
EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
Features
Switching and amplification in high voltage
Applications such as telephony
Low current(max. 600mA)
High voltage(max.130v)

MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Dimensions in inches and (millimeters)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -130 V
VCEO

Другие транзисторы… 2N538A
, 2N538M
, 2N539
, 2N5390
, 2N5399
, 2N539A
, 2N54
, 2N540
, TIP41C
, 2N5401
, 2N5404
, 2N5405
, 2N5406
, 2N5407
, 2N5408
, 2N5409
, 2N540A
.

Где и как использовать ?

Это транзистор частенько встречается в различных схемах с большим напряжением на нагрузке. Напряжение, которое он может пропустить через контакты коллектора и эмиттера достигает 160 В. Может использоваться в качестве электронного ключа для включения нагрузок до 600 мА.

Этого тока достаточно для работы с различными незначительными нагрузками, а так же использования его в качестве транзистора дифкаскада. Для любителей паять электронные схемы в сети интернет широко распространена статья “Собираем Lazar” по сборке усилителя мощности звуковой частоты “Лазар” с полным описанием процесса, в котором 2N5551 используется парно.

Распиновка

C5353 транзистор характеристики

Стандартная цоколевка 2n5401, если смотреть на маркировку, слева на право: эмиттер, база, коллектор. Он изготавливается в пластмассовом корпусе с гибкими ножками. Большинство производителей делают его в корпусе TO-92.

Компания Unisonic Technologies, выпускает данное устройство в корпусе SOT-89. Расположение выводов слева на право: база, коллектор, эмиттер. Будьте внимательны при выборе транзистора, некоторые фирмы изготавливают его с другим порядком расположения контактов. Например у Hottech Industrial, цоколевка такая, слева на право: 1 — эмиттер, 2 — коллектор, 3 — база.

Основные технические характеристики 2n5551

Транзистор bc547

При температуре окружающей среды +25 градусов (°C), транзистор 2n5551 имеет следующие технические значения:

физические:

принцип действия – биполярный;
корпус ТО-92, для транзистора MMBT5551 корпус SOT-23;
материал корпуса – пластиковый корпус;
материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) (Si);

электрические:

проводимость — обратной проводимости n-p-n;
максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) I_{K макс.} (I_{c max}) 600 мА (mA);
максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U _{КЭ макс} (V_CE_max) не более 160 В (V);
максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) U _{КБ макс.}(V_CB_max) не более 180 В (V);
максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) U_{ЭБ макс.}(V_ЕВ_max) не более 6 В (V);
граничная частота передачи тока (Current Gain Bandwidth Product) f_гр(f_t) от 100 до 300 МГц (MHz);
максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) I_КБО(I_CBO) не более 0.05 мкА (µA), при U _{КБ макс.}(V_CB_О) = 120 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора I_Э (I_E)=0);
максимальный обратный ток эммитера (Emmiter Cutoff Current) I_ЭБО(I_E_BO) не более 0.05 мкА (µA), при U _E_{Б макс.}(V_EB_О) = 4 В (V) и отключенном коллекторе (ток коллектора I_К (I_С)=0);
для ТО-92 максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) P_K_макс. (P_C) 0,625 Вт (Watt) или 625 мВт (mW);
для SOT-23 максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) P_K_макс. (P_C) 0,350 Вт (Watt) или 350 мВт (mW);
максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) от — 55 до +150 °С;

Классификация по hFE

коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) находится в пределах от 80 до 250 hFE, при UКЭ макс. = 5 В (V) и IK макс. = 10 мА (mA).

Возможны небольшие отличия в характеристиках у разных производителей.

2SC5404 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5404.pdf Size:319K _toshiba

2SC5404
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5404
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH
Unit: mm
RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.)
CE (sat)
High Speed : t = 0.15 µs (Typ.)
f
Collector Metal (Fin) is Fully Covered with Mold Resin.
MAXIMUM RA

1.2. 2sc5404.pdf Size:148K _jmnic

JMnic Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC5404
DESCRIPTION
·With TO-3P(H)IS package
·High voltage;high speed
·Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
·Horizontal deflection output for high
resolution display,color TV
·High speed switching applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol

1.3. 2sc5404.pdf Size:191K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5404
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
：V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·Low Saturation Voltage
·Built-in Damper Diode
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Horizontal output applications for medium resolution
display &

Производители

Далее по ссылкам и названием компаний можете найти datasheet 2N5401 от следующих производителей: NXP Semiconductors, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, Micro Electronics, ON Semiconductor, Weitron Technology, UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Samsung semiconductor, Motorola, Inc, Multicomp, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD., SEMTECH ELECTRONICS LTD, Inchange Semiconductor Company Limited, KODENSHI KOREA CORP, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, Daya Electric Group Co., Ltd, Dc Components, Central Semiconductor Corp, AUK corp, Fairchild Semiconductor, Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd, Micro Commercial Components, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.

Справка об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор 2N5401 транзистором 2N5400; транзистором BF491; транзистором ECG288; транзистором КТ502Е; транзистором MPSA92; транзистором MPSA93; транзистором MPSL51;

транзистором MPSL51; транзистором 2SB646; транзистором 2SB646A; транзистором 2SA637; транзистором 2SB647; транзистором 2SB647A; транзистором 2SA638; транзистором 2SA639; транзистором BC526A; транзистором BC404VI;

CMBT5401 Datasheet (PDF)

1.1. cmbt5401.pdf Size:162K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
SOT-23 Formed SMD Package
CMBT5401
SILICON P–N–P HIGH–VOLTAGE TRANSISTOR
P–N–P transistor
Marking
CMBT5401 = 2L
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
3
1
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Collector–base voltage (open emitter) –VCBO max. 160 V
Collector–emitter voltage

3.1. cmbt5400.pdf Size:162K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
SOT-23 Formed SMD Package
CMBT5400
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
P–N–P transistor
Marking
CMBT5400 = K2
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
3
1
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Collector–base voltage (open emitter) –VCBO max. 130 V
Collector–emitter voltage (open base) –VCEO

5.1. cmbt5088 89.pdf Size:221K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
SOT-23 Formed SMD Package CMBT5088
CMBT5089
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
N–P–N transistors
PACKAGE OUTLINE DETAILS
Marking ALL DIMENSIONS IN mm
CMBT5088 = 1Q
CMBT5089 = 1R
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
3
1
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
5088 5089
Collecto

5.2. cmbt5550.pdf Size:162K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
SOT-23 Formed SMD Package
CMBT5550
SILICON N–P–N HIGH–VOLTAGE TRANSISTOR
N–P–N transistor
Marking
CMBT5550 = 1F
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
3
1
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Collector–base voltage (open emitter) VCBO max. 160 V
Collector–emitter voltage (o

5.3. cmbt5551.pdf Size:324K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
SOT-23 Formed SMD Package
CMBT5551
SILICON N–P–N HIGH–VOLTAGE TRANSISTOR
N–P–N transistor
Marking
CMBT5551 = G1
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
3
1
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Collector–base voltage (open emitter) VCBO max. 180 V
Collector–emitter voltage (o

5.4. cmbt5087.pdf Size:145K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
SOT-23 Formed SMD Package CMBT5087
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
PNP transistor
Marking
CMBT5087= 2Q
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
3
1
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Collector-base voltage (open emitter) VCBO max. 50 V
Collector-emitter voltage (open base) VCEO max.

2N5400 Datasheet (PDF)