Транзистор кт829

КТ838А: содержание драгметаллов

Золото: 0,0007237 грамм

Данный о содержании драгоценных металлов взяты из справочника: «Содержание драгоценных металлов в электротехнических изделиях, аппаратуре связи, контрольно-измерительных приборах, кабельной продукции, электронной и бытовой технике. Информационный справочник в шести частях. Часть 1. Изделия и элементы общепромышленного назначения. — 2-е изд., перераб. и доп. -М.: ООО «Связьоценка», 2003″

Цена: около 230 рублей за штуку.

Характеристики транзистора КТ838А

Основные технические характеристики транзистора КТ838А:

  • Структура транзистора: n-p-n;
  • Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 12,5 Вт;
  • fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
  • Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 1500 В;
  • Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
  • Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
  • Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1 мА (1500В);
  • h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 6;
  • Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 170 пФ;
  • Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,1 Ом

Технические характеристики

Ниже перечислены максимальные значения параметров для КТ940А. Не рекомендуется превышать их во время его эксплуатации. При этом, температура корпуса (ТК) должна находиться, в пределах диапазона от -45 до + 45 ОС.

  • постоянное напряжение: К-Б до 300 В; К-Э до 300 В; Э-Б до 5 В;
  • ток коллектора до 100 мА; импульсный до 300 мА (при tu ≤ 30 мкс, Q ≥10);
  • ток базы до 50 мА;
  • рассеиваемая мощность коллектора : до 1.2 Вт; с дополнительным радиатором до 10 Вт;
  • максимальный нагрев p-n-перехода до +150  ОС;
  • тепловое сопротивление кристалл-среда 104 ОС/Вт.

Рассмотрим так же электрические характеристики для КТ940А. Они указаны производителем с учетом Tокр. не более + 25 ОС. Дополнительные условия тестирования, которое проводятся перед выпуском изделия, приведены в отдельном столбце «Режимы измерения».

Аналоги

У транзистора есть зарубежная замена: BF459, BF458. С похожими параметрами будут следующие: 2SC1569, 2SC2068, 2SC2229, 2SC2242, 2SC2456Б, 2SC2482, 2SC3271, 2SC3272, BF298, BF299, BF338, BF422, BF470, BF471, BF617. Из отечественных аналогов для кт940а в качестве замены, может подойти КТ605БМ. Так же попробуйте использовать устройства из той же серии: KT940Б, KT940В. Вместе с тем стоит учитывать, что это очень редкие экземпляры и у них более низкие предельно допустимые значения по напряжению.

Технические характеристики

Как уже говорилось ранее, что технические характеристики КТ315Г сделали его одним из лучших в серии по коэффициенту усиления (до 350 H21Э). А способность пропускать через себя большое напряжение (до 35 В) делает его привлекательным для применения в разных схемах. Приведем его максимальные эксплуатационные значения:

  • предельное постоянное напряжение между: К-Э до 35 В (при RБЭ =10 Ом); Б-Э до 6В;
  • ток коллектора до 100мА;
  • мощность рассеивания до 150 мВт;
  • тепловое сопротивление 0.67 °C/ мВт;
  • температура кристалла до +120 °C;
  • граничная частота (в схемах с общим эмиттером) от 250 МГц;
  • емкость коллекторного перехода менее 7 пФ;
  • усиление по току H21Э от 50 … 350;
  • интервал рабочих температур -60 … +100 °C.

Электрические параметры

Типовые электрические параметры КТ315Г представлены в таблице и характерны для всех из этой серии. Данные взяты прямо из datasheet на устройство. Значения замерены производителем при температуре Токр. =+25°C и для определенных режимов работы, если не указано иного.

Комплементарная пара

Комплементарной парой является КТ361Г. Это транзистор с аналогичными параметрами, но с противоположной по проводимости PNP-структурой. Выпускается для совместной работы с рассматриваемым устройством для различных каскадных схемах усиления сигнала.

Аналоги

Наиболее часто в качестве аналога для КТ315Б рекомендуют использовать КТ3102Г или улучшенный КТ315Г1. Это более современные модели, с меньшим уровнем шумов и большим коэффициентом усиления по току. Из зарубежных можно рекомендовать следующие: 2SC380, 2SC388, 2SC634, 2SC641, BFP722.

Режимы работы в схеме с ОЭ

Работу полупроводниковых устройств интересно анализировать с помощью входных/выходных вольт-амперных характеристик (ВАХ). На них видно изменение значений параметров, от которых зависит его состояние: в каких случаях он открывается, когда происходит усиление сигнала и др. На рисунке представлены графики ВАХ для схемы включения КТ315Г с общим эмиттером (ОЭ), на её выход подано постоянное питание Uп. Разберемся как она работает в таком режиме. 

Если транзистор используется в качестве электронного ключа, то в закрытом состоянии (режим отсечки) базовое напряжение на входе (UБЭ) не должно превышать 0.5 В. Токи базы IБ и коллектора IК незначительные, т.е. практически отсутствуют.

Для открытия транзистора (режим насыщения) необходимо поднять входное напряжение UБЭ с 0.6 до 0.8В. Этим нужно добиться увеличения базового тока IБ максимум до 2 мА, путем снижения сопротивления переменного ограничительного резистора RБ. При этом IК может расти до 100 мА, а UКЭ на p-n-переходе должно находится на уровне до 0.4 В.

В промежутке между открытым и закрытым состоянием транзистор используется как усилитель слабых сигналов – активный режим. Используя эту информацию можно создавать интересные схемы с этим устройством. Например такие, как в представленном видеоролике.

Цоколевка

Распиновка у серии КТ825 (он же 2Т825) представлена на рисунке. В первую очередь она зависит от корпусного исполнения устройства. В настоящее время этот транзистор производятся в двух типах корпусов: металлическом со стеклянными изоляторами КТ-9 (ГОСТ 18472-88) и пластиковом ТО-220.

Оба корпуса имеют три жестких вывода со следующим назначением: эмиттер (Э), база (Б), коллектор (К). Конструктивно контакт «К» в таком исполнении физически соединен с металлической частью, которой транзистор крепится на радиатор.

Существуют и бескорпусные версии этого транзистора. Они выпускаются в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для монтажа внутри гибридных интегральных микросхем. Масса кристалла без герметичной упаковки и выводов не превышает 0,025 гр. Такие устройства представлены у производителей с маркировкой на этикетке — 2Т825A-5.

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
КТ838АBU204, BU706D *1 , BU706 *1 , BU506D *1 , BU506, 2SD380, BU506DF *1 , 2SD1738 *1 , 2SD1737 *3 , S518T *2
КТ838БBU208, STI13006 *1 , SGSF425 *3 , SGSF424 *3 , SGSF324 *3 , BU207 *2
Структураn-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P * K, τ max,P ** K, и maxКТ838А90 °C12.5*Вт
КТ838Б12.5*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f * h21б, f ** h21э, f *** maxКТ838А≥3МГц
КТ838Б≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U * КЭR проб., U ** КЭО проб.КТ838А1500В
КТ838Б1200
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб.,КТ838А5; 7В
КТ838Б5; 7
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I * К , и maxКТ838А5(7.5*)А
КТ838Б5(7.5*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I * КЭR, I ** КЭOКТ838А1500 В≤1*мА
КТ838Б1200 В≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э, h * 21ЭКТ838А(5 В; 3.5 А)≥4*
КТ838Б(5 В; 3.5 А)≥4*
Емкость коллекторного переходаcк, с * 12эКТ838А10 В170пФ
КТ838Б10 В170
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттеромrКЭ нас, r*БЭ нас, К ** у.р.КТ838А≤1.1Ом, дБ
КТ838Б≤1.1
Коэффициент шума транзистораКш, r * b, P ** выхКТ838АДб, Ом, Вт
КТ838Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас, t ** выкл, t *** пк(нс)КТ838А≤10* мкс; tсп≤1.5; ≤10* мкспс
КТ838Б≤10* мкс; tсп≤1.5; ≤10* мкс

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

В характеристиках кремниевого транзистор КТ838А указано что изготавливается он по мезапланарной технологии и применяется в каскадах строчной развертки телевизоров. Его структура n-p-n. Также его можно встретить в схемах видоеконтрольных устройств. Весит данный транзистор не более 20г, а выпускает его акционерное общество «Кремний» город Брянск.

Характеристики

Основные технические параметры кт838а:

  • Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная) при использовании теплоотвода при температуре от -45 0 С до +25 0 С — 12,5 Вт.
  • Статический коэффициент передачи тока (при Uкэ=5 В, Iк=50 мА) не менее — 6.
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=20В, Iк=0,3А не менее — 3 МГц.
  • Предельно допустимое напряжение коллектор-база — 1500 В.
  • Предельно допустимый постоянный ток коллектора — 5 А.
  • Обратный ток коллектор-эмиттер (при Тк = +25 0 С, Uкэ=1500 В, Uбэ=0) — 1 мА.
  • Типовое значение емкости коллекторного перехода при Uкб=170 пФ

Представленные значения даются самим производителем. При работе устройства в этих приделах гарантируется его целостность и долговечность. Ниже представлены все значение которые взяты из документации компании АО «Кремний».

Также у транзистора кт838а есть предельные значения, которые он может выдержать разово в короткий промежуток времени, если при неоднократном измерении одного из указанных параметров у вас любой из них совпадают или превышают значение из таблицы, то стоит проверить всю схему на неисправность.

Применение в блоке питания

Рассматриваемый блок питания (БП) подойдет для маломощных приборов, например часов или карманных приемников. Его основное преимущество — это небольшие размеры. Вся конструкция может поместиться внутри корпуса электрической вилки.

БП работает от электрической сети напряжением от 100 до 250 В. На выходе, в зависимости от используемого стабилизатора, может быть от 5 до 12 В. При получении напряжении с блока равного 5 В, номинальный ток через нагрузку будет 20 мА, а предельно возможный до 100 мА. На рисунке показана принципиальная электрическая схема такого БП.

VT2 может быть любым из серии КТ3102, а также возможно использовать иностранные аналоги, например BCW60D. VT1 и VT3 (КТ940А) меняют иногда на КТ969А. В качестве VT4 используют КТ969А, а VT5 — BF459. Диоды VD2 и VD3 должны отвечать следующим требованиям: прямой ток более 100 мА, обратное напряжение выше 20 В.

Применение

На транзисторе КТ838 можно собрать регулируемый источник переменного тока. В данной схеме его включают последовательно с нагрузкой. Преимущество данной схемы, перед тиристорными, заключается в следующем: отсутствие дорогостоящих деталей, синусоидальное напряжение на выходе, простота схемы, отсутствие дефицитных деталей, во время работы не создает помех в электросеть.

Данный регулируемый источник переменного тока можно использовать вместо лабораторного автотрансформатора. С его помощью можно регулировать температуру паяльника, скорость вращения электродвигателя. Данный прибор можно использовать для регулирования напряжения, как при активной, так и при реактивной нагрузке.

При работе в такой схеме транзистор КТ838 выделяет много тепла и поэтому возникает проблема с его отводом.

Диодный мост VD1 обеспечивает протекание прямого тока через транзистор при любом полупериоде переменного напряжения сети. Выпрямленное диодным мостом VD2 напряжение сглаживается электролитическим конденсатором С1. При помощи переменного резистора R2 регулируется ток базы транзистора VТ1, а значит и его сопротивление в цепи переменного тока. Резистор R1 выступает в роли ограничителя тока. Диод VD3 нужен для того, чтобы напряжение отрицательной полярности не попало на базу транзистора. Таким образом, регулируя напряжение на базе, мы управляем сопротивлением транзистора, а значит и током в коллекторной цепи. Изменяя ток коллектора, мы меняем ток нагрузки.

В диодном мосте VD1 используется четыре диода Д223. Для диодного моста VD2 можно использовать диоды КЦ405А. Диод VD3 это Д226Б. Электролитический конденсатор С1 имеет емкость 200 мкФ и рассчитан на напряжение 16 В. Переменный резистор R2 обязательно должен быть проволочным ППБ15 или ППБ16 мощностью не менее 2,5 Вт. Его сопротивление 1 кОм. Трансформатор Т1 рассчитывается на мощность от 12 до 15 Вт. Напряжение на вторичной обмотке трансформатора 6 — 10 В. Транзистор должен быть установлен на радиаторе площадью не менее 250 см 2 .

Чтобы увеличить мощность регулируемого источника переменного тока, нужно заменить транзистор VТ1 и диоды, используемые в диодном мостике VD1. При замене транзистора КТ838 на КТ856 можно будет подключать нагрузку 150 Вт, при замене на КТ834 — 200 Вт, КТ847 — 250 Вт.

Данный регулируемый источник тока гальванически связан с электрической сетью. Поэтому его корпус должен быть сделан из диэлектрика, а на переменный резистор R2 нужно надеть изолированную ручку.

Также» можете скачать DataSheet от компании ООО «Электроника и Связь»

>

Оцените статью:
Оставить комментарий
Adblock
detector