Транзистор кт838а

Содержание драгметаллов

Транзистор КТ803А(2T803А) содержит драгоценные металлы. В современных справочниках обычно приводится следующая информация: содержание золота — 0,02982гр., серебра — 0,154042гр. Вместе с тем, в различных даташит советских времен могут встречается и другие данные, очень близкие к указанным.

В основном ценятся изделия выпущенные по декабрь 1989 г. После этой даты встречается бракованные экземпляры или с пониженным содержанием драгметаллов. Поэтому, перед покупкой такого лома для аффинажа, они просят надпиливать шляпки у устройств, чтобы было видно золотистую подложку. На фотографии ниже продемонстрировано, как это обычно делают.

Распиновка

Цоколевка КТ819 зависит от его назначения. В советские времена устройство выпускали в двух вариантах корпусов: пластиковом КТ-28 (аналог зарубежного ТО-220) и металлостеклянном КТ-9(ТО-3). В настоящее время такое разделение продолжается и встречается в некоторых технических описаниях. Рассмотрим поподробней расположение выводов у указанного транзистора в пластмассовой упаковке КТ-28, cлева на право у него: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).

Подобные устройства, особенно в металлическом корпусе, встречаются на российском рынке с каждым годом все реже. Это происходит из-за практически полного сокращения их производства в нашей стране и наличия в большом количестве недорогих аналогов от зарубежных компаний. Вот так выглядит КТ819 в корпусе КТ-9.

Если смотреть на него снизу, то база расположена слева, эмиттер справа. Металлическая подложка-корпус — это коллектор. Рассмотрим другие данные этой серии полупроводниковых триодов.

Технические характеристики

В 70-х годах, с ростом советской промышленности, появляются кремниевые мезапланарные переключательные NPN-транзисторы повышенной мощности

Важной особенностью таких устройств были повышенные характеристики предельно допустимых параметров

Максимальные

Предельно допустимые эксплуатационные характеристики КТ808 были достаточно высокими для того времени. Эти устройства обладали хорошим статическим коэффициентом усиления по току (h21е) – от 10 до 50. Имели увеличенное быстродействие: время включения-выключения составляло от  0.1 до 0.3 мкс, а рассасывания (Ts) от 0.75 до 3 мкс. Приведем другие основные параметры:

  • максимально допустимое постоянное напряжение между коллектором и эмиттером (условия измерения сопротивление перехода база – эмиттер RБЭ = 10 Ом, температура кристалла не более 100 ОС) – 100…120 В.
  • предельное импульсное напряжение между коллектором и эмиттером (условия измерения Uбэ = 2 В или Rбэ = 10 Ом, tu < 500 мкс tф > 30 мкс, Q > 7, Тп < +100 ОС) – до 250 В.
  • наибольшее возможное напряжение между эмиттером и базой – до 4 В.
  • предельно допустимый постоянный ток коллектора – до 10 А.
  • наибольшая постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе (при температуре корпуса от -60 ОС до + 50ОС) с теплоотводом – 50 Вт, и без него – 5 Вт.
  • максимальная температура кристалла до + 150 ОС.
  • рабочая температура окружающей среды от- 60 до +100 ОС.
  • вес устройства с фланцем — не более 34 гр.

Электрические

Далее приведем значения электрических значений у КТ808A. Производитель приводит эти данные для температуры окружающей среды не более +25 ОС. Условия, при которых проводилась проверка, представлены в дополнительных пояснениях к наименованиям параметров.

Аналоги

У старичка КТ808A есть современный аналог 2T808А. Он представлен во всех спецификациях российского предприятии АО «Научно производственное предприятие «Завод Искра», как усилительный транзистор специального назначения. КТ808АМ, КТ808А3 тоже являются полными аналогами этого отечественного производителя, но имеют другой корпус КТ-9. Других полноценных замен у данного прибора не существует. Встречаются конечно достаточно редкие 2Т808Б и КТ808АТ, но они были выпущены ограниченными партиями и даже сейчас их сложно найти в продаже.

Как можно заметить, замену сильно усложняет нестандартный корпус КТЮ-3-20, который никогда не производился за рубежом. Несмотря на это некоторые умельцы находят возможность подмены в ближайших по характеристикам: КТ808БМ, КТ808Б3, 2Т819 (КТ819), 2Т827 (КТ827), 2Т908 (КТ908), 2Т945 (КТ945).

В зависимости от типа схемы можно рассмотреть и зарубежные варианты: BDY47, 2N3055, 2N4913, 2N4914, 2N4915, 2N5427, 2N5429, 2SD201, 2SD202, 2SD203, KU606, 2SC1113, 2SC1618, 2SC1619, KD602, BUY55, KU606, 2SD867. Все они оснащены другими типами корпусов ТО-3 или ТО-66, поэтому перед заменой необходимо продумывать способ монтажа и охлаждения.

Комплементарная пара

У транзистора КТ808А отсутствует комплементарная пара. У самых первых «Бриг-001» в выходном каскаде усиления, в пару для КТ808АМ подбирали почти идентичный КТ808БМ. Такая конструкция обеспечивала хорошее усиление, но как оказалось имела и свои минусы, влияющие на качество звука. В последующем они были устранены с помощью комплементарных между собой КТ818ГМ и КТ819ГМ, что позволило значительно улучшить звучание указанных Hi-Fi-устройств.

Биполярный транзистор KT829B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT829B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

KT829B
Datasheet (PDF)

5.1. kt829a.pdf Size:33K _no

n-p-n,
829
Ik max,A 8
Uo (U max),B100
U max,B 100
P max(P max), 60
T max,C 150
h21(h21) 750
U(U),B 3
I(I),A 3
U ,B 2
I(IR), 1500
f(fh21), 4
R -(R -),/ 2.08

5.2. kt829a.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KT829A
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 100V(Min)
(BR)CEO
·High DC Current Gain
: h = 750(Min) @I = 3A
FE C
·Low Saturation Voltage
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use as complementary AF push-pull output
stage applications
ABSOLUTE

 5.3. kt829a-b-v-g.pdf Size:713K _russia

5.4. kt8297.pdf Size:194K _integral

КТ8297
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для
использования в линейных усилителях, сх

 5.5. kt8296.pdf Size:194K _integral

КТ8296
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для
использования в линейных усилителях, сх

5.6. kt8290.pdf Size:199K _integral

КТ8290А
высоковольтный биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в импульсных источн

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

КТ818 , 2Т818 — кремниевый транзистор структуры p-n-p

Рис. 4. Изображение транзистора КТ818 на принципиальных схемах.

Рис. 5. КТ818(А…Г), 2Т818(А-2…В-2) в пластиковом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Рис. 6. КТ818(АМ…ГМ), 2Т818(А…В) в металлическом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Основные технические характеристики транзисторов КТ818:

ПриборПредельные параметрыПараметры при T = 25°CRТ п-к, °C/Вт
  при T = 25°C            
IК, max, АIК и, max, АUКЭ0 гр, ВUКБ0 max, ВUЭБ0 max, ВPК max, ВтTК, °CTп max, °CTК max, °Ch21ЭUКЭ(UКБ),ВIК (IЭ), АUКЭ нас, ВIКБ0, мАfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ818А101525 5602512510015(5)5213 1000  2,51,67
КТ818Б101540 5602512510020(5)5213 1000  2,51,67
КТ818В101560 5602512510015(5)5213 1000  2,51,67
КТ818Г101580 5602512510012(5)5213 1000  2,51,67
КТ818АМ152025 51002512510020551 3 1000  2,51
КТ818БМ152040 51002512510020551 3 1000  2,51
КТ818ВМ152060 51002512510020551 3 1000  2,51
КТ818ГМ152080 51002512510020551 3 1000  2,51
2Т818А15208010051002515012520(5)(5)1 3 1000  2,51,25
2Т818Б1520608051002515012520(5)(5)1 3 1000  2,51,25
2Т818В1520406051002515012520(5)(5)1 3 1000  2,51,25
2Т818А21520801005402515010020(5)(5)1 3 10002000 1,23,13
2Т818Б2152060805402515010020(5)(5)1 3 10002000 1,23,13
2Т818В2152040605402515010020(5)(5)1 3 10002000 1,23,13

Подготовлено для сайта RadioStorage.net

Применение

На транзисторе КТ838 можно собрать регулируемый источник переменного тока. В данной схеме его включают последовательно с нагрузкой. Преимущество данной схемы, перед тиристорными, заключается в следующем: отсутствие дорогостоящих деталей, синусоидальное напряжение на выходе, простота схемы, отсутствие дефицитных деталей, во время работы не создает помех в электросеть.

Данный регулируемый источник переменного тока можно использовать вместо лабораторного автотрансформатора. С его помощью можно регулировать температуру паяльника, скорость вращения электродвигателя. Данный прибор можно использовать для регулирования напряжения, как при активной, так и при реактивной нагрузке.

При работе в такой схеме транзистор КТ838 выделяет много тепла и поэтому возникает проблема с его отводом.

Диодный мост VD1 обеспечивает протекание прямого тока через транзистор при любом полупериоде переменного напряжения сети. Выпрямленное диодным мостом VD2 напряжение сглаживается электролитическим конденсатором С1. При помощи переменного резистора R2 регулируется ток базы транзистора VТ1, а значит и его сопротивление в цепи переменного тока. Резистор R1 выступает в роли ограничителя тока. Диод VD3 нужен для того, чтобы напряжение отрицательной полярности не попало на базу транзистора. Таким образом, регулируя напряжение на базе, мы управляем сопротивлением транзистора, а значит и током в коллекторной цепи. Изменяя ток коллектора, мы меняем ток нагрузки.

В диодном мосте VD1 используется четыре диода Д223. Для диодного моста VD2 можно использовать диоды КЦ405А. Диод VD3 это Д226Б. Электролитический конденсатор С1 имеет емкость 200 мкФ и рассчитан на напряжение 16 В. Переменный резистор R2 обязательно должен быть проволочным ППБ15 или ППБ16 мощностью не менее 2,5 Вт. Его сопротивление 1 кОм. Трансформатор Т1 рассчитывается на мощность от 12 до 15 Вт. Напряжение на вторичной обмотке трансформатора 6 — 10 В. Транзистор должен быть установлен на радиаторе площадью не менее 250 см2.

Чтобы увеличить мощность регулируемого источника переменного тока, нужно заменить транзистор VТ1 и диоды, используемые в диодном мостике VD1. При замене транзистора КТ838 на КТ856 можно будет подключать нагрузку 150 Вт, при замене на КТ834 — 200 Вт, КТ847 — 250 Вт.

Данный регулируемый источник тока гальванически связан с электрической сетью. Поэтому его корпус должен быть сделан из диэлектрика, а на переменный резистор R2 нужно надеть изолированную ручку.

Также можете скачать DataSheet от компании ООО «Электроника и Связь»

Оцените статью:
Оставить комментарий
Adblock
detector