Транзистор кт972а

CИСТЕМА МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА ПРОЕКТИРОВАНИЯ, РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРО-

ВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ СООТВЕТСТВУЕТ ТРЕБОВАНИЯМ СТБ ИСО 9001-2001

КТ972А÷Г

NPN КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО – ПЛАНАРНЫЙ ВЧ

СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР

оАО. 336.452 ТУ

ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ РАБОТЫ В АППАРАТУРЕ ШИРО-

КОГО ПРИМЕНЕНИЯ.

* Заpубежный аналог КТ872А – BD875

* Изготавливается в коpпусе КТ-27 (ТО-

126), КТ-89 (DPAK)

* Комплементарная пара – КТ973 А ÷Г

1 — эмитт. 2 -колл. 3 – база

ПРЕДЕЛЬНО- ДОПУСТИМЫЕ РЕЖИМЫ ЭКСПЛУАТАЦИИ

Параметры

Напряжение коллектор-база

КТ972А, В, Г

КТ972Б

Напpяжение коллектоp-эмиттеp

(Rбэ = 1 кОм)

КТ972А, В, Г

КТ972Б

Напряжение эмиттер-база

Постоянный ток коллектора

Импульсный ток коллектора (tu ≤10 мкс, Q ≥ 5)

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при

Ткорп. = -45 ÷ +25 ° С

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при

Тсреды. = 25 ° С

Температура перехода
Обозначение

Uкб max

Uкэr max

Uэб max

Iк max

Iки max

Pк max

Pк max

Tj max

Ед измер.

В
В
В
А
А
Вт
Вт
°C
Значение
60
45
60
45
5
2
4
8
1.25
150

ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ( Tокр.ср.=25°C )

Паpаметpы

Обозна- Ед.

Режимы измеpения Min Max

чение измеp

Обратный ток коллектор-эмиттер КТ972А, В

Iкэr мА Uкэ = 60В, Rэб = 1 кОм

1.0

КТ972Б,

Uкэ = 45В, Rэб = 1 кОм

1.0

КТ972Г

Uкэ = 60В, Rэб = 1 кОм

0.3
Статический коэффициент передачи тока

Uкб = 3 B, Iэ = 1 А,

КТ972А, Б

КТ972В, Г

h21Е

f =50 Гц

750 —
750 5 000

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Uкэ(нас) В

КТ972А, Б, В

Iк = 500 мA, Iб = 50 мА

1.5

КТ972Г

0.95

Напряжение насыщения база-эмиттер

Uбэ(нас) В

КТ972А, Б, В

Iк = 500 мA, Iб = 50 мА

2.5

КТ972Г

1.7

Время -рассасыванмя

tрас. нс Iб1= Iб2= 50 мА, Q ≥ 50

200

Iк = 500 мA, tи=30 мкс,

220108, г.Минск, ул. Корженевского, 16, УП «Завод ТРАНЗИСТОР»

Отдел маркетингателфакс (10-37517) 212-59-32

E-mail:market@transistor.com.by; http//www.transistor.by