Irf630 характеристики

IRF630N Datasheet (PDF)

1.1. irf630nlpbf irf630npbf irf630nspbf.pdf Size:335K _upd-mosfet

PD — 95047A
IRF630NPbF
IRF630NSPbF
l Advanced Process Technology
IRF630NLPbF
l Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
D
VDSS = 200V
l Fully Avalanche Rated
l Ease of Paralleling
l Simple Drive Requirements
RDS(on) = 0.30Ω
G
l Lead-Free
Description
ID = 9.3A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rec

1.2. irf630nstrrpbf.pdf Size:335K _update-mosfet

PD — 95047A
IRF630NPbF
IRF630NSPbF
l Advanced Process Technology
IRF630NLPbF
l Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
D
VDSS = 200V
l Fully Avalanche Rated
l Ease of Paralleling
l Simple Drive Requirements
RDS(on) = 0.30Ω
G
l Lead-Free
Description
ID = 9.3A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rec

 1.3. irf630n.pdf Size:155K _international_rectifier

PD — 94005A
IRF630N
IRF630NS
IRF630NL
Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
Dynamic dv/dt Rating
175C Operating Temperature D
VDSS = 200V
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
RDS(on) = 0.30?
Ease of Paralleling
G
Simple Drive Requirements
Description
ID = 9.3A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rectifier utilize advanced processing
te

1.4. irf630n.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF630N,IIRF630N
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤0.3Ω
·Enhancement mode
·Fast Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRIPTION
· Efficient and reliable device for use in a wide variety of applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 1.5. irf630nstrrpbf.pdf Size:232K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF630NSTRRPBF
DESCRIPTION
·Drain Current –I =9.3A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage-
: V = 200V(Min)
DSS
·Static Drain-Source On-Resistance
: R = 0.3Ω(Max)
DS(on)
·Fast Switching Speed
·Low Drive Requirement
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·This de

IRF630NS MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF630NS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 82
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.5
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 23.3
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3
Ohm

Тип корпуса: D2PAK

IRF630NS
Datasheet (PDF)

1.1. irf630nlpbf irf630npbf irf630nspbf.pdf Size:335K _upd-mosfet

PD — 95047A
IRF630NPbF
IRF630NSPbF
l Advanced Process Technology
IRF630NLPbF
l Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
D
VDSS = 200V
l Fully Avalanche Rated
l Ease of Paralleling
l Simple Drive Requirements
RDS(on) = 0.30Ω
G
l Lead-Free
Description
ID = 9.3A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rec

1.2. irf630nstrrpbf.pdf Size:335K _update-mosfet

PD — 95047A
IRF630NPbF
IRF630NSPbF
l Advanced Process Technology
IRF630NLPbF
l Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
D
VDSS = 200V
l Fully Avalanche Rated
l Ease of Paralleling
l Simple Drive Requirements
RDS(on) = 0.30Ω
G
l Lead-Free
Description
ID = 9.3A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rec

 1.3. irf630nstrrpbf.pdf Size:232K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF630NSTRRPBF
DESCRIPTION
·Drain Current –I =9.3A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage-
: V = 200V(Min)
DSS
·Static Drain-Source On-Resistance
: R = 0.3Ω(Max)
DS(on)
·Fast Switching Speed
·Low Drive Requirement
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·This de

Другие MOSFET… IRF540Z
, IRF540ZL
, IRF540ZS
, IRF5801
, IRF5802
, IRF6201
, IRF630N
, IRF630NL
, IRF530
, IRF640N
, IRF640NL
, IRF640NS
, IRF6603
, IRF6604
, IRF6607
, IRF6608
, IRF6609
.

IRF630N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF630N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 82
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.5
A

Общий заряд затвора (Qg): 23.3
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3
Ohm

Тип корпуса: TO220AB

IRF630N
Datasheet (PDF)

1.1. irf630nlpbf irf630npbf irf630nspbf.pdf Size:335K _upd-mosfet

PD — 95047A
IRF630NPbF
IRF630NSPbF
l Advanced Process Technology
IRF630NLPbF
l Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
D
VDSS = 200V
l Fully Avalanche Rated
l Ease of Paralleling
l Simple Drive Requirements
RDS(on) = 0.30Ω
G
l Lead-Free
Description
ID = 9.3A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rec

1.2. irf630nstrrpbf.pdf Size:335K _update-mosfet

PD — 95047A
IRF630NPbF
IRF630NSPbF
l Advanced Process Technology
IRF630NLPbF
l Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
D
VDSS = 200V
l Fully Avalanche Rated
l Ease of Paralleling
l Simple Drive Requirements
RDS(on) = 0.30Ω
G
l Lead-Free
Description
ID = 9.3A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rec

 1.3. irf630n.pdf Size:155K _international_rectifier

PD — 94005A
IRF630N
IRF630NS
IRF630NL
Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
Dynamic dv/dt Rating
175C Operating Temperature D
VDSS = 200V
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
RDS(on) = 0.30?
Ease of Paralleling
G
Simple Drive Requirements
Description
ID = 9.3A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rectifier utilize advanced processing
te

1.4. irf630n.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF630N,IIRF630N
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤0.3Ω
·Enhancement mode
·Fast Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRIPTION
· Efficient and reliable device for use in a wide variety of applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 1.5. irf630nstrrpbf.pdf Size:232K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF630NSTRRPBF
DESCRIPTION
·Drain Current –I =9.3A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage-
: V = 200V(Min)
DSS
·Static Drain-Source On-Resistance
: R = 0.3Ω(Max)
DS(on)
·Fast Switching Speed
·Low Drive Requirement
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·This de

Другие MOSFET… IRF4104G
, IRF4104S
, IRF540Z
, IRF540ZL
, IRF540ZS
, IRF5801
, IRF5802
, IRF6201
, IRFP460
, IRF630NL
, IRF630NS
, IRF640N
, IRF640NL
, IRF640NS
, IRF6603
, IRF6604
, IRF6607
.

CS630F MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CS630F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Время нарастания (tr): 60
ns

Выходная емкость (Cd): 85
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4
Ohm

Тип корпуса: TO-220F

CS630F
Datasheet (PDF)

1.1. cs630f.pdf Size:228K _update_mosfet

IRFS630(CS630F) N-Channel MOSFET/N 沟 MOS 晶体管
用途:用于高效 DC/DC 转换和功率开关。
Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters
and switch mode power supplies.
特点: 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。
Features: Low gate charge, low crss, fast switching.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

1.2. cs630fa9h.pdf Size:832K _update_mosfet

Silicon N-Channel Power MOSFET
R

CS630F A9H
General Description:
VDSS 200 V
CS630F A9H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is
ID 9 A
PD(TC=25℃) 30 W
obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the
RDS(ON)Typ 0.23 Ω
conduction loss, improve switching performance and enhance
the avalanche energy. The transistor can be used in various
power

 1.3. cs630f a9h.pdf Size:712K _crhj

Silicon N-Channel Power MOSFET
R

CS630F A9H
General Description:
VDSS 200 V
CS630F A9H, the silicon N-channel Enhanced
ID 9 A
PD(TC=25℃) 30 W
VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology
RDS(ON)Typ 0.23 Ω
which reduce the conduction loss, improve switching
performance and enhance the avalanche energy. The transistor
can be used in various power

Другие MOSFET… SMG2301
, SMG2301P
, SMG2302
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, IRF1404
, SMG2306NE
, SMG2310A
, SMG2310N
, SMG2314N
, SMG2314NE
, SMG2318N
, SMG2319P
, SMG2321P
.

Управление от микроконтроллера

Как видно из представленных характеристик напряжение отсечки, при котором irf840 закрыт, составляет 4 В. В связи с этим у многих радиолюбителей появляется желание управления этим mosfet от микроконтроллера напрямую, например таким как Arduino. Однако, этого лучше не делать. Из некоторых условий видно, что значения RDS(ON)  и QGMAX измерялись производителем при напряжении на затворе в 10 В. Это связано с тем, что irf840 не открывается полностью при более низких напряжениях, а значит не является транзистором логического уровня и не рекомендован изготовителем для управления от микроконтроллера. Для стабильной работы в схемах управления от микроконтроллера потребуется отдельный драйвер, способный выдать на затвор более 10 В. Обычно, у транзисторов логического уровня в условиях измерений напряжение затвора приближено к 5 В. Компания Vishay рекомендует для этих целей IRF840LC (SiHF840LC).

IRFS630 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFS630

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 43
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4
Ohm

Тип корпуса: TO220

IRFS630
Datasheet (PDF)

1.1. irfs630a.pdf Size:508K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 200 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.4 ?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 6.5 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area

Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V
Low RDS(ON) : 0.333 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Units

4.1. irfs634b.pdf Size:858K _upd

November 2001
IRF634B/IRFS634B
250V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 29 nC)
planar, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 20 pF)
This advanced technology has been especially tailored to

4.2. irf634b irfs634b.pdf Size:859K _fairchild_semi

November 2001
IRF634B/IRFS634B
250V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45? @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)
planar, DMOS technology.
Low Crss ( typical 20 pF)
This advanced technology has been especially tailored to
Fast switchi

 4.3. irfs634a.pdf Size:505K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 250 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.45
?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 5.8 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 250V
Lower RDS(ON) : 0.327 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Uni

Другие MOSFET… IRFS610A
, IRFS614A
, IRFS620
, IRFS620A
, IRFS622
, IRFS624
, IRFS624A
, IRFS625
, BSS138
, IRFS630A
, IRFS632
, IRFS634
, IRFS634A
, IRFS635
, IRFS640
, IRFS640A
, IRFS642
.

IRFS640A Datasheet (PDF)

1.1. irfs640a.pdf Size:508K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 200 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.18 ?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 9.8 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area

Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V
Lower RDS(ON) : 0.144 ? (Typ. )
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Un

3.1. irfs640b.pdf Size:922K _upd

November 2001
IRF640B/IRFS640B
200V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 18A, 200V, RDS(on) = 0.18Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 45 nC)
planar, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 45 pF)
This advanced technology has been especially tailored to

3.2. irf640b irfs640b.pdf Size:916K _fairchild_semi

November 2001
IRF640B/IRFS640B
200V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect 18A, 200V, RDS(on) = 0.18? @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC)
planar, DMOS technology.
Low Crss ( typical 45 pF)
This advanced technology has been especially tailored to
Fast switchin

Схемы включения

Как элемент схемы, он является активным несимметричным четырёхполюсником, одни из выводов у которого общий для цепей входа и выхода. Схемы включения irf840 соответствуют типовому включению в цепях: с общим; с общим стоком; c общим затвором. Типовые способы подключения для полевых транзисторов смотрите на рисунке.

Стабилизатор анодного напряжения

В последнее время у многих радиолюбителей появляется интерес к разработке и сборке анодных стабилизаторов напряжения на мощных mosfet. Идеи для сборки подобных схем подсмотрены в технической документации от компании National Semiconductor и доработаны радиолюбителями на различных форумах. Приведем пример одной из таких схем (c общим затвором) стабилизатора на 250 вольт, с использованием irf840 и микросхемы lm317.

Схема представляет из себя два каскада. В первом каскаде установлен irf840, он выполняет роль истокового повторителя. Во вором каскаде уставлена нагрузка — микросхема lm317. Максимальная величина напряжения между входом и выходом не должна превышать 37 В. Поэтому стабилитроны Z2 и Z3 защищают эту микросхему от напряжения превышающего 30 В.

Резисторы D1, D2, D3, Z3 защищают полупроводниковые устройства от различных нагрузок. R6 нужно поставить для обеспечения ток холостого хода у lm, он должен быть примерно 6.4 мА. Мощность резистора R4 должна быть не менее 30 Вт. Нагрузку обычно подсоединяют с помощью плавкого предохранителя. Микросхему и транзистор необходимо прикрепить на отдельные радиаторы, которые при работе стабилизатора будут достаточно хорошо греться. Указанный стабилизатор выдерживает предельны ток в нагрузке до 110 мА, ограниченный резистором R2.

Оцените статью:
Оставить комментарий
Adblock
detector