Транзистор irf3205

Характеристики

На русском языке технические характеристики IRF640 найти довольно трудно, поэтому мы перевили их и опубликовали ниже. Предельно допустимые:

  • Наибольшее возможное напряжение сток-исток: 200 В.
  • Предельное напряжение затвор-исток: 20 В.
  • Максимальный ток через сток (напряжение затвор-исток 10 В):
    18 А (при Тс= +25оС).
    11 А (при Тс= +100оС).
  • Наибольший пиковый ток стока: 72 А.
  • Предельная рассеиваемая мощность при температуре +25оС: 125 Вт.
  • Максимальная температура: +300оС.
  • Рабочая температура: от -55оС до +150оС

Все электрические параметры транзистора можно разделить на две группы: статические и динамические. Данные значения указаны для температуры окружающей среды +25 оС, если явно не написано другое. В приведенных таблицах указаны численные величины режимов работы, при которых производились измерения.

Далее приведем динамические-электрические параметры irf640.

Последними в datasheet всегда указываются сведения о термических характеристиках.

Все эти значения важны при проектировании схем с использованием мощных транзисторов. Например, при использовании его в усилителях мощности или блоков питания.

Если транзисторы не охлаждаются должным образом, они перегреваются и как правило, перегорают через несколько минут или даже секунд. Чтобы избежать этого, нужны тепловые расчеты.

Чтобы убедиться в правильности расчетов можно протестировать готовое изделие. Для этого его нужно оставить работать в обычном режиме в течение нескольких часов. При этом любая ошибка в тепловом расчете может быть легко обнаружена и исправлена.

Старое эмпирическое правило «если можно положить руку то все хорошо» по-прежнему работает. Обратное не всегда верно. Например, транзистор может нагреваться до 80°C и будет слишком горячий для прикосновения, но при этом он будет работать нормально. Иметь горячие компоненты не рекомендуется, потому от них могут нагреваться рядом стоящие устройства. Чем меньшая температура у транзистора, тем больше его срок службы.

На рисунке ниже приведены графики зависимости крутизны передаточной характеристики gfs от тока стока Ic для температур +25°C и 150°C.

Из данного графика видно, что значение gfs растет, пока Ic < 18 А. После этого начинает уменьшаться.

IRFI3205 Datasheet (PDF)

1.1. irfi3205.pdf Size:107K _international_rectifier

PD — 9.1374B
IRFI3205
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Ultra Low On-Resistance
VDSS = 55V
Isolated Package
High Voltage Isolation = 2.5KVRMS
RDS(on) = 0.008?
Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm
G
Fully Avalanche Rated
ID = 64A
Description S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low

1.2. irfi3205pbf.pdf Size:277K _international_rectifier

PD — 95040A
IRFI3205PbF
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
D
l Isolated Package
VDSS = 55V
l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS …
l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm
RDS(on) = 0.008Ω
G
l Fully Avalanche Rated
l Lead-Free
ID = 64A
Description S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techni

 1.3. irfi3205.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFI3205
·FEATURES
·With TO-220F package
·Low input capacitance and gate charge
·Low gate input resistance
·Reduced switching and conduction losses
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

IRF3205SPBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF3205SPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 110
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 146
nC

Время нарастания (tr): 101
ns

Выходная емкость (Cd): 781
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008
Ohm

Тип корпуса: TO263

IRF3205SPBF
Datasheet (PDF)

1.1. irf3205lpbf irf3205spbf.pdf Size:280K _upd

PD — 95106
IRF3205SPbF
IRF3205LPbF
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
D
VDSS = 55V
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
RDS(on) = 8.0mΩ
G
l Fully Avalanche Rated
l Lead-Free
ID = 110A…
S
Descriptiסn
Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques t

2.1. irf3205s.pdf Size:160K _international_rectifier

PD — 94149
IRF3205S/L
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
VDSS = 55V
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175C Operating Temperature
RDS(on) = 8.0m?
G
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
ID = 110A
S
Description
Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-
resistance

2.2. irf3205strlpbf.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205STRLPBF
·DESCRIPTION
·Drain Current I =110A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage
: V = 55V(Min)
DSS
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS .
·Designed for high current, high speed switching, switch
mode power supplies.
ABSOLUTE MAXIMU

 2.3. irf3205s.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205S
·DESCRIPTION
·Drain Current I =110A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage
: V = 55V(Min)
DSS
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS .
·Designed for high current, high speed switching, switch
mode power supplies.
ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие MOSFET… SMG2301
, SMG2301P
, SMG2302
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, IRF1404
, SMG2306NE
, SMG2310A
, SMG2310N
, SMG2314N
, SMG2314NE
, SMG2318N
, SMG2319P
, SMG2321P
.

Характеристики IRF740

При ознакомлении с характеристиками полевого транзистора IRF740 изначально обращают внимание на его максимальные (предельно допустимые) характеристики. Затем, исходя из поставленной задачи, изучают электрические параметры

После этого переходят к графикам типовых выходных, передаточных и других характеристик. Рассмотрим основные фрагменты из DataSheet irf740 на русском языке.

Максимальные

Ниже представлены предельно допустимые значения МОП-транзистора IRF740. Не следует воспринимать их как основные, при которых mosfet будет работать стабильно. Превышение любого из них, даже на короткий промежуток времени, может привести к выходу устройства из строя.

Электрические

В электрических характеристиках IRF740 содержится информация проверенная производителем при определенных условия. Эти условия указываются дополнительно, в одном из столбцов таблицы. Например, из дополнительных условий можно узнать, что irf740 при напряжении 400 вольт между стоком-истоком, при отсутствующем напряжении на затворе, начинает проводить слабый ток — 250 микроампер.

Тепловые параметры

Основным параметром, который ограничивает применение полевого транзистора, является его рабочая температура. А точнее её увеличение, которое связанно с ростом сопротивления транзистора при прохождении через него электрического тока. Несмотря на низкое сопротивление mosfet, на нём все равно рассеивается некоторая мощность, из-за этого он нагревается.  Для упрощения расчётов связанных с нагревом IRF740, в даташит приводятся значения его тепловых сопротивлений: от кристалла к корпусу (Junction-to-Case ) и от корпуса в окружающую среду (Junction-to-Ambient).

Неправильные расчеты тепловых параметров для использования в проектах и плохая пайка приводит к перегреву mosfet. На одном из форумов радиолюбитель жаловался на то, что в собранной им схеме металлоискатель пират на irf740 сильно греется. После продолжительных разбирательств причина перегрева выяснилась и оказалась самой банальной – плохая пайка прибора на плату и охлаждение.

IRF3205ZS Datasheet (PDF)

1.1. irf3205zpbf irf3205zlpbf irf3205zspbf.pdf Size:379K _upd

PD — 95129A
IRF3205ZPbF
IRF3205ZSPbF
IRF3205ZLPbF
Features
l Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
l Ultra Low On-Resistance
D
l 175°C Operating Temperature
VDSS = 55V
l Fast Switching
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
RDS(on) = 6.5mΩ
l Lead-Free
G
Description
ID = 75A
S
This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest
processing techniques to achieve e

1.2. auirf3205zstrl.pdf Size:330K _update-mosfet

PD — 97542
AUTOMOTIVE GRADE
AUIRF3205Z
AUIRF3205ZS
Features
● Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
● Ultra Low On-Resistance
● 175°C Operating Temperature D
V(BR)DSS
55V
● Fast Switching
RDS(on) max.
6.5mΩ
● Repetitive Avalanche Allowed up to
Tjmax
G
ID (Silicon Limited) 110A
● Lead-Free, RoHS Compliant
S
● Automotive Qualified *
ID (Package Li

 1.3. irf3205zs.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205ZS
·FEATURES
·With To-263(D2PAK) package
·Low input capacitance and gate charge
·Low gate input resistance
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Drain-Source Vol

IRF3205STRLPBF Datasheet (PDF)

1.1. irf3205strlpbf.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205STRLPBF
·DESCRIPTION
·Drain Current I =110A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage
: V = 55V(Min)
DSS
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS .
·Designed for high current, high speed switching, switch
mode power supplies.
ABSOLUTE MAXIMU

2.1. irf3205lpbf irf3205spbf.pdf Size:280K _upd

PD — 95106
IRF3205SPbF
IRF3205LPbF
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
D
VDSS = 55V
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
RDS(on) = 8.0mΩ
G
l Fully Avalanche Rated
l Lead-Free
ID = 110A…
S
Descriptiסn
Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques t

2.2. irf3205s.pdf Size:160K _international_rectifier

PD — 94149
IRF3205S/L
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
VDSS = 55V
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175C Operating Temperature
RDS(on) = 8.0m?
G
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
ID = 110A
S
Description
Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-
resistance

 2.3. irf3205s.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205S
·DESCRIPTION
·Drain Current I =110A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage
: V = 55V(Min)
DSS
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS .
·Designed for high current, high speed switching, switch
mode power supplies.
ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Характеристики

В любом техническом описании на транзистор производитель указывает максимально допустимые и электрические параметры эксплуатации, при температуре окружающей среды до 25 °C. Как правило, значения параметров указываются для идеальных условий эксплуатации, которых в реальной жизни добиться практически невозможно. Но именно на эти параметры ориентируется разработчик в своих проектах.

Максимальные

Главные максимально допустимые значения при эксплуатации указаны в самом начале технического описания. Это своеобразная реклама на устройство – чем выше значения параметров, тем лучше. Напомним, что значения этих параметров не должны превышаться ни при каких условиях. Для мощного mosfet irf840 такими параметрами являются: максимальное напряжение сток-исток VDS до 500 В, сопротивление в открытом состоянии RDS(ON) 0,85 Ом, суммарный заряд затвора QGMAX 63 Нк и максимальный ток ID 8.0 A. В отдельную таблицу сведены другие предельно допустимые характеристики, указанные для температуры окружающей среды 25 °C.

Электрические

Максимальные значения дают лишь общее понятия о параметрах устройства и возможность сравнить его с другими транзисторами. Кроме максимальных значений в datasheet на irf840 приводится таблица других не менее важных параметров с названием — электрические характеристики. Эти значения также приводятся с учетом температуры окружающей среды в 25 °C. Рассмотрим их поподробнее.

У таблицы электрических параметров имеется дополнительный столбец с условиями, при которых производитель проводил тестирование устройства

Все значения приведенные в таблице в той или иной мере важны для применения в проектах, однако в первую очередь из этого списка обращают внимание на следующие характеристики irf840: напряжение пробоя V(BR)DSS до 500 В, напряжение отсечки VGS(th) от 2 до 4 В, токи утечки затвора IDSS до 100 нА и канала IDSS до 250 мкА. Их производитель указывает в первую очередь

Время переключения

Для применения в ключевых схемах стоит обратить внимание на ёмкостные значения (СRSS, СISS, СOSS), которые определяют время открытия TD (ON) и закрытия TD(OFF) канала проводимости. Чем оно ниже, тем лучше работа устройства в ключевом режиме и меньше его нагрев

У irf840 эти значения составляют 14 и 49 наносекунд соответственно. Обратите внимание, что в даташит эти значения приводятся производителем для определенных условий тестирования, соответственно на практике они могут отличатся от указанных.

Ёмкостные характеристики

Так же, для ключевых схем могут понадобиться так называемые паразитные емкости между выводами транзистора (СGD, СGS, CDC). Некоторые производители не указывают их значения, но при необходимости их можно вычислить по формулам:Зная величину обратной переходной ёмкости у irf840 (CRSS = 120 пФ), вычисляем ёмкостные величины у паразитных конденсаторов: CGD 120 пФ; CGS 1180 пФ; CDS 180 пФ. Следует знать, что при включении (открытии канала) емкость CGD образует отрицательную обратную связь между входом и выходом прибора, называемую эффектом Миллера. Значения величин CGD и CDS сильно зависят от напряжения в нагрузке и лишь иногда указываются в документации для тестирования.

Тепловые параметры

Все вышеперечисленные параметры сильно зависят от нагрева самого irf840 и окружающих его элементов, во время работы. Так, при нагреве корпуса до 100 С максимальный постоянный ток стока, который может перегнать через себя этот транзистор, резко уменьшается до 5.1 A, при этом IGSS будет расти. Максимальные значения отдельных характеристик при переменном токе, таких как IDM, IEA, EAR так же ограничивает температура перехода TJ и об этом производитель указывает дополнительно в пояснениях.

Для расчетов TJ при импульсном токе в даташит приводится график зависимости теплового импеданса между подложкой-корпусом ZthJC (С/Вт) от коэффициента заполнения D (Duty Factor). Чем больше Duty Factor, тем выше ZthJC и тем сильнее нагревается кристалл, температура которого у irf840 ограничена 150 °C.

Снизить нагрев прибора возможно при установке дополнительных пассивных или активных схем охлаждения с помощью внешних устройств. Пассивная схема предполагает использование радиатора. Для расчета его площади и других свойств, позволяющих уменьшить нагрев irf840, в его спецификации приводят значения тепловых сопротивлений тепловых: кристалл-корпус  (Junction-to-Case ), корпус-среду (Junction-to-Ambient).

Аналог

Ближайшие зарубежные аналоги у irf840: это 2SK554 (Toshiba) и STP5NK50Z (STM). Отечественной заменой могут быть КП777А, КП840. К сожалению их очень трудно найти в продаже, особенно российского производства.

Маркировка

Первые символы в обозначении irf840 указывают на его первого производителя  — американскую компанию, специализирующуюся на изготовлении электронных компонентов International Rectifier (IR). Эта компании также известна созданием в 1979 году передовой технологии Hexfet, позволившей значительно снизить сопротивление открытого канала у полевого транзистора. По данной технологии по настоящее время изготавливается рассматриваемый образец. В настоящее время компания IR стала одним из подразделений Vishay, которая выпускает транзисторы по без свинцовой технологии с маркикровой irf840PbF (SiHF840-E3) .

IRFI3205 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFI3205

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 56
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 113.3
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008
Ohm

Тип корпуса: TO220

IRFI3205
Datasheet (PDF)

1.1. irfi3205.pdf Size:107K _international_rectifier

PD — 9.1374B
IRFI3205
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Ultra Low On-Resistance
VDSS = 55V
Isolated Package
High Voltage Isolation = 2.5KVRMS
RDS(on) = 0.008?
Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm
G
Fully Avalanche Rated
ID = 64A
Description S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low

1.2. irfi3205pbf.pdf Size:277K _international_rectifier

PD — 95040A
IRFI3205PbF
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
D
l Isolated Package
VDSS = 55V
l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS …
l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm
RDS(on) = 0.008Ω
G
l Fully Avalanche Rated
l Lead-Free
ID = 64A
Description S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techni

 1.3. irfi3205.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFI3205
·FEATURES
·With TO-220F package
·Low input capacitance and gate charge
·Low gate input resistance
·Reduced switching and conduction losses
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Другие MOSFET… IRFF9110
, IRFF9120
, IRFF9130
, IRFF9210
, IRFF9220
, IRFF9230
, IRFI1010N
, IRFI1310N
, J310
, IRFI3710
, IRFI460
, IRFI4905
, IRFI510A
, IRFI520A
, IRFI520N
, IRFI5210
, IRFI530A
.

Оцените статью:
Оставить комментарий
Adblock
detector