Главная > Дополнительно > Характеристики транзистора s8050

Характеристики транзистора s8050

Содержание

1 C8050D Datasheet (PDF)
2 Проверка и безопасное использование
- 2.1 Производители
3 C8050B Datasheet (PDF)
4 Биполярный транзистор SS8050-D — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
5 SS8050-D Datasheet (PDF)
6 C8050D Datasheet (PDF)
7 MPS8050SC Datasheet (PDF)
8 Биполярный транзистор ST8050 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
9 ST8050 Datasheet (PDF)
10 Биполярный транзистор H8050 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
11 H8050 Datasheet (PDF)
12 Биполярный транзистор HE8050 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
13 HE8050 Datasheet (PDF)
14 HE8050S Datasheet (PDF)
15 Технические характеристики j3y
16 PXT8050 Datasheet (PDF)

C8050D Datasheet (PDF)

1.1. c8050b c8050c c8050d.pdf Size:120K _usha

Transistors
C8050

5.1. dc8050.pdf Size:62K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DC8050
DISCRETE SEMICONDUCTORS
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for use in 2W output amplifier of portable
radios in class B push-pull operation.
TO-92
Pinning
.190(4.83)
1 = Emitter
.170(4.33)
2 = Base
2oTyp
3 = Collector
.190(4.83)
.170(4.33)
2oTyp
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC)
.500
Characterist

5.2. stc8050n.pdf Size:242K _update_bjt

STC8050N
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• High current application
• Radio in class B push-pull operation
Feature
• Complementary pair with STA8550N
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STC8050N STC8050 TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20~4.40
2.25 Max.
0.52 Max.
0.90 Max.
1.27 Typ.
0.40 Max.
1 2 3
3.55

5.3. utc8050s.pdf Size:23K _utc

UTC 8050S NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
LOW VOLTAGE HIGH CURRENT
SMALL SIGNAL NPN
TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC8050S is a low voltage high current small signal
NPN transistor, designed for Class B push-pull audio
amplifier and general purpose applications.
FEATURES
*Collector current up to 800mA
*Collector-Emitter voltage up to 20 V
TO-92
*Complementary to UTC 8550S
1:EMITTER 2:

5.4. ktc8050a.pdf Size:48K _kec

SEMICONDUCTOR KTC8050A
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
B C
FEATURE
·Complementary to KTC8550A.
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
MAXIMUM RATING (Ta=25℃) G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
E 1.00
F 1.27
VCBO
Collector-Base Voltage 35 V
G 0.85
H 0.45
VCEO
Collector-Emitter Voltage 30 V
_
H
J 14.0

5.5. ktc8050.pdf Size:38K _kec

SEMICONDUCTOR KTC8050
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
B C
FEATURE
Complementary to KTC8550.
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
E 1.00
F 1.27
VCBO
Collector-Base Voltage 35 V
G 0.85
H 0.45
VCEO
Collector-Emitter Voltage 30 V
_
H
J 14.00 + 0.

5.6. ktc8050s.pdf Size:393K _kec

SEMICONDUCTOR KTC8050S
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
FEATURE
E
L B L
Complementary to KTC8550S.
DIM MILLIMETERS
_
A 2.93 0.20
+
B 1.30+0.20/-0.15
C 1.30 MAX
2
3 D 0.45+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
1
G 1.90
H 0.95
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
J 0.13+0.10/-0.05
K 0.00 ~ 0.10
VCBO
Collector-Base Voltag

5.7. stc8050n.pdf Size:242K _blue-rocket-elect

5.8. hc8050s.pdf Size:130K _shantou-huashan

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
HC8050S
█ APPLICATIONS
Audio Frequency Amplifier.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ TO-92
Tj——Juncttion Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation……………………

5.9. hc8050.pdf Size:137K _shantou-huashan

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
HC8050
█ NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2W OUTPUT AMPLIFIER PORTABLE RADIO IN CLASS
B PUSH-PULL OPERATION.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ TO-92
Tj——Juncttion Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation

5.10. ftc8050h.pdf Size:352K _first_silicon

SEMICONDUCTOR
FTC8050H
TECHNICAL DATA
General Purpose Transistors
NPN Silicon
FEATURE
3
High current capacity in compact package.
I C
=1.5A.
1
Epitaxial planar type.
2
PNP complement: FTA8550H
Pb-Free Package is available.
SOT–23
COLLECTOR
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
3
Shipping
Device Marking
1
FTC8050H 1FC 3000/Tape&Reel
BASE
2
E

5.11. ftc8050.pdf Size:222K _first_silicon

SEMICONDUCTOR
FTC8050
TECHNICAL DATA
TRANSISTOR (NPN)
FTC8050
B C
FEATURES
Complimentary to FTA8550
Collector current: IC=0.5A
DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
B 4.80 MAX
G
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
C 3.70 MAX
D
D 0.55 MAX
Symbol Parameter
Value Unit E 1.00
F 1.27
G 0.85
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
H 0.45
_
H
J 14.00 0.50
+
VCEO Col

Проверка и безопасное использование

Кт807б

Будьте внимательными в использовании транзисторов этой серии, при покупке S8050 убедитесь, что он именно то, что Вам нужно. Очень редко, но встречаются данные транзисторы с PNP проводимостью. Так, компания Wing Shing Computer Components выпускает его с PNP проводимостью.

Придерживайтесь следующих мер безопасности:

Не эксплуатируйте его с напряжением выше 20 В (V) и нагрузкой более 700 мА (mA);
Используйте подходящий базовый резистор, который ограничит ток базы до требуемого уровня;
Не подвергайте его нагреву более 150 и ниже минус 60 градусов по Цельсию;

Производители

Транзистор S8050 выпускают следующие компании:

Wing Shing Computer Components Co.Ltd. (WS);
UTC (Unisonic Technologies Company);
Weitron technology co.,ltd;
Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited;
Daya Electric Group Co., Ltd;
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd;
SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.

C8050B Datasheet (PDF)

1.1. c8050b c8050c c8050d.pdf Size:120K _usha

Transistors
C8050

5.1. dc8050.pdf Size:62K _upd

5.2. stc8050n.pdf Size:242K _update_bjt

5.3. utc8050s.pdf Size:23K _utc

5.4. ktc8050a.pdf Size:48K _kec

5.5. ktc8050.pdf Size:38K _kec

5.6. ktc8050s.pdf Size:393K _kec

5.7. stc8050n.pdf Size:242K _blue-rocket-elect

5.8. hc8050s.pdf Size:130K _shantou-huashan

5.9. hc8050.pdf Size:137K _shantou-huashan

5.10. ftc8050h.pdf Size:352K _first_silicon

5.11. ftc8050.pdf Size:222K _first_silicon

Биполярный транзистор SS8050-D — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

C5353 транзистор характеристики

Наименование производителя: SS8050-D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 190
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160

Корпус транзистора: TO92

SS8050-D
Datasheet (PDF)

Даташит bc556 pdf ( datasheet )

3.1. mmss8050-h.pdf Size:174K _upd

MCC
MMSS8050-L
TM Micro Commercial Components
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
MMSS8050-H
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
NPN Silicon
• Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
• Collector-current 1.5A
Plastic-Encapsulate
• Collector-base Voltage 40V
• Operat

3.2. mmss8050-l.pdf Size:174K _upd

3.3. ss8050-c-d.pdf Size:179K _update

MCC
Micro Commercial Components
TM
SS8050-C
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
SS8050-D
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
• Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
NPN Silicon
• Collector-current 1.5A
• Collector-base Voltage 40V
Transistors
• Operating and storag

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

C8050D Datasheet (PDF)

1.1. c8050b c8050c c8050d.pdf Size:120K _usha

Transistors
C8050

5.1. dc8050.pdf Size:62K _upd

5.2. stc8050n.pdf Size:242K _update_bjt

5.3. utc8050s.pdf Size:23K _utc

5.4. ktc8050a.pdf Size:48K _kec

5.5. ktc8050.pdf Size:38K _kec

5.6. ktc8050s.pdf Size:393K _kec

5.7. stc8050n.pdf Size:242K _blue-rocket-elect

5.8. hc8050s.pdf Size:130K _shantou-huashan

5.9. hc8050.pdf Size:137K _shantou-huashan

5.10. ftc8050h.pdf Size:352K _first_silicon

5.11. ftc8050.pdf Size:222K _first_silicon

MPS8050SC Datasheet (PDF)

1.1. mps8050sc.pdf Size:610K _update

SEMICONDUCTOR MPS8050SC
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
FEATURE
·Complementary to MPS8550SC.
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage 40 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO
Emitter-Base Voltage 5 V
IC
Collector Current 1,200 mA
PC *
Collector Power Dissipation 350 mW
Tj
Junction Te

2.1. mps8050s.pdf Size:391K _kec

SEMICONDUCTOR MPS8050S
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
FEATURE
E
L B L
Complementary to MPS8550S.
DIM MILLIMETERS
_
A 2.93 0.20
+
B 1.30+0.20/-0.15
C 1.30 MAX
2
3 D 0.45+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
1
MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 1.90
H 0.95
J 0.13+0.10/-0.05
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
K 0.00 ~ 0.10
L 0.55
VCBO
Collector-Base

3.1. mps8050.pdf Size:45K _kec

SEMICONDUCTOR MPS8050
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
B C
FEATURE
·Complementary to MPS8550.
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
G
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
C 3.70 MAX
D
D 0.45
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
E 1.00
F 1.27
VCBO
Collector-Base Voltage 40 V
G 0.85
H 0.45
VCEO
Collector-Emitter Voltage 25 V _
H
J 14.00

Биполярный транзистор ST8050 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: ST8050

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120

Корпус транзистора: TO92

ST8050
Datasheet (PDF)

1.1. st8050-2a.pdf Size:385K _semtech

ST 8050 (2A)
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
for switching and amplifier applications. Especially
suitable for AF-driver stages and low power output
stages.
The transistor is subdivided into two groups C and
D according to its DC current gain.
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92 Plastic Package
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)
Parameter Symbol Value Unit
C

1.2. st8050-1.5a.pdf Size:442K _semtech

ST 8050 (1.5A)
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
for switching and amplifier applications.
Especially suitable for AF-driver stages
and low power output stages.
On special request, these transistors can be
manufactured in different pin configurations.
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92 Plastic Package
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25℃)
Parameter Symbol Value Uni

1.3. kst8050d-50.pdf Size:1155K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type
NPN Transistors
KST8050D-50
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
0.4+0.1
-0.1
3
Features
● Collector Current Capability IC=1.2A
● Collector Emitter Voltage VCEO=50V
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 50 V
Collec

1.4. kst8050x.pdf Size:594K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
KST8050X
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
■ Features
● Collector Power Dissipation: PC=0.3W
● Collector Current: IC=1.5A
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-Emitte

1.5. kst8050.pdf Size:1008K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type
NPN Transistors
KST8050
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
0.4+0.1
-0.1
3
Features
Collector Current: IC=1.5A
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 25 V
Emitter-Base Voltage VEBO 5 V

1.6. kst8050s.pdf Size:970K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type
NPN Transistors
KST8050S
SOT-23
Unit: mm
2.9+0.1
-0.1
+0.1
0.4-0.1
3
Features
Collector Current: IC=0.5A
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 25 V
Emitter-Base Voltage VEBO 5

1.7. kst8050m.pdf Size:810K _kexin

SMD Type
SMD Type Transistors
NPN Transistors
KST8050M
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
■ Features
● Collector Current: IC=0.8A
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 25 V
Emitter-Bas

Биполярный транзистор H8050 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: H8050

Маркировка: 8050B_8050C_8050D_8050D3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85

Корпус транзистора: SOT89

H8050
Datasheet (PDF)

1.1. lh8050plt1g.pdf Size:237K _upd

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
LH8050PLT1G
Series
NPN Silicon
S-LH8050PLT1G
FEATURE
High current capacity in compact package.
Series
IC =1.5A.
Epitaxial planar type.
NPN complement: LH8050
3
Pb-Free Package is available.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and
1
Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PP

1.2. lh8050qlt1g.pdf Size:211K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
LH8050PLT1G
Series
NPN Silicon
S-LH8050PLT1G
FEATURE Series
High current capacity in compact package.
IC =1.5A.
3
Epitaxial planar type.
NPN complement: LH8050
Pb-Free Package is available.
1
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and
2
Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

1.3. h8050s.pdf Size:130K _shantou-huashan

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H8050S
█ APPLICATIONS
Audio Frequency Amplifier.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ TO-92
Tj——Juncttion Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation……………………

1.4. h8050.pdf Size:137K _shantou-huashan

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H8050
█ NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE RADIOS IN CLASS
B PUSH-PULL OPERATION.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ TO-92
Tj——Juncttion Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipatio

1.5. h8050.pdf Size:788K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
H8050
■ Features
1.70 0.1
● Collector Power Dissipation: PC=1W
● Collector Current: IC=1.5A
Comlementary to H8550
●
0.42 0.1
0.46 0.1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 40 V
Collector-emitter voltage VCEO 25 V
Emitter-base voltage VEBO 5 V
C

Биполярный транзистор HE8050 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: HE8050

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85

Корпус транзистора: TO-92

HE8050
Datasheet (PDF)

1.1. he8050l.pdf Size:19K _utc

UTC HE8050 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
LOW VOLTAGE HIGH CURRENT
SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC HE8050 is a low voltage high current small
signal NPN transistor, designed for Class B push-pull 2W
audio amplifier for portable radio and general purpose
applications.
1
FEATURES
*Collector current up to 1.5A
*Collector-Emitter voltage up to 25 V
*Complimentary to UTC

1.2. he8050.pdf Size:216K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
HE8050 NPN SILICON TRANSISTOR
LOW VOLTAGE HIGH
CURRENT SMALL SIGNAL
NPN TRANSISTOR
? DESCRIPTION
The UTC HE8050 is a low voltage high current small signal NPN
transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for
portable radio and general purpose applications.
? FEATURES
*Collector current up to 1.5A
*Collector-Emitter voltage up t

1.3. he8050s.pdf Size:54K _hsmc

Spec. No. : HE6110
HI-SINCERITY
Issued Date : 1992.09.30
Revised Date : 2004.07.26
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/5
HE8050S
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HE8050S is designed for general purpose amplifier applications.
TO-92
Absolute Maximum Ratings
• Maximum Temperatures
Storage Temperature …………………………………………………………….

1.4. he8050.pdf Size:46K _hsmc

Spec. No. : HE6112
HI-SINCERITY
Issued Date : 1992.09.30
Revised Date : 2004.11.29
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/4
HE8050
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HE8050 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B
push-pull operation.
TO-92
Features
• High total power dissipation (PT: 2W, TC=25°C)
• High collector current (IC: 1.5A)
Abs

HE8050S Datasheet (PDF)

1.1. he8050s.pdf Size:54K _hsmc

4.1. he8050l.pdf Size:19K _utc

4.2. he8050.pdf Size:216K _utc

4.3. he8050.pdf Size:46K _hsmc

Технические характеристики j3y

Рассмотрим основные параметры транзистора J3Y. По своим свойствам он относится к кремниевым, маломощным, низкочастотным биполярным устройствам с структурой-NPN. Низкая стоимость, отличная линейность статического коэффициента усиления, способность выдерживать большие коллекторные токи до 800 мА (у некоторых производителей) и напряжение до 25 В, cделали это его одним из лидеров по применению в сегменте небольших бытовых аудиоустройств. Поэтому, его так легко можно найти практически в любом стареньком портативном CD-проигрывателе или плеере.

Предельно допустимые параметры

Приведем типовые максимальные параметры J3Y(SOT-23), встречающиеся в техописании большинства производителей, при температуре окружающей среды (Т_окр_.) до +25 ОС:

постоянное (DC) напряжение между выводами: К-Б (U_{КБмакс.}) до 40В; К-Э (U_{КЭмакс.}) до 25В; E-Б (U_{ЭБмакс.}) до 5 В;
ток коллектора (I_Кmax.) до 500 мА;
мощность рассеивания(P_{К макс.}) до 300 мВт;
температура: кристалла (T_К) до +150 ОС; хранения (Т_хран.) -55 … +150 ОС.

Электрические параметры

В столбце «Режимы измерения» указаны условия измерений. Они также приводятся в даташит для Т_окр_.= +25ОС., если не указывается иного.

J3Y имеют классификацию по степени усиления H_FE₁: L от 120 до 200;H от 200 до 350

Аналоги

В последнее время аналоги транзистора с символами “J3Y” на корпусе редко встречаются в продаже и встает вопрос «Чем его заменит?». Вместе с тем, их можно найти с названием S8050 или SS8050 в усовершенствованной пластмассовой упаковке SOT-23-3. Они лучше по своим параметрам, чем классический J3Y. Например, максимальный ток коллектора новых версий в три раза больше (до 1500 мА), а H_FE достигает 400 (для классификации J). Если заглянуть в его техническое описание, то можно увидеть другую маркировку — “Y1”.

Также этот транзистор можно попробовать заменить на следующие: 2N583О, 2SC1ОО8, 2SC1ОО9, 2SD471A, BC537, BC538, KSC1ОО8, KSC1ОО9, KSPО5, KSPО6, KSP42, KSP43, MPS65О, MPS65ОG, MPS651, MPS651G, MPS6532, MPS66О2, MPS66О2G, MPS8О5О, MPSA42, MPSA43, MPSWО1, MPSWО1A, MPSWО1AG, MPSWО1G, MPSWО5, MPSWО5G, MPSWО6, MPSWО6G, MPSW42, MPSW42G, S9О13, SS8О5О, ZTX457.

Российские изделия с похожими параметрами: КТ6114А, КТ968В, КТ6114Б, КТ6114В.

PXT8050 Datasheet (PDF)

1.1. pxt8050-c-d-d3.pdf Size:446K _update

PXT8050-C
MCC
Micro Commercial Components
TM
PXT8050-D
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
PXT8050-D3
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Halogen free available upon request by adding suffix «-HF»
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
NPN Silicon
• Moisture Sensitivity Level 1
• Marking:Y1 Plastic-Encapsulate

1.2. pxt8050.pdf Size:471K _htsemi

PXT8 050
TRANSISTOR(NPN)
SOT-89
FEATURES
Compliment to PXT8550
1. BASE
MARKING: Y1
2. COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) 3. EMITTER
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Current -Continuous 1.5 A
PC Collector Power dissipation 0.5 W
TJ Junction Tem

1.3. pxt8050.pdf Size:218K _lge

PXT8050
SOT-89 Transistor(NPN)
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
SOT-89
4.6
B
4.4
1.6
1.8
Features 1.4
1.4

Compliment to PXT8550
2.6
4.25
2.4
3.75
0.8
MARKING: Y1
MIN
0.53
0.40
0.48
0.44
2x)
0.13 B
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) 0.35
0.37
1.5
3.0
Symbol Parameter Value Units
Dimensions in inches and (millimeters)
VCBO Collector-Base Volta