Транзистор кт815б

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать
на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены
для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает
сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц,
на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень
регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки
уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7.
Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой
каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается
схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока.
Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного
сигнала.
При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы
германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры.
Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Таблица 5 – Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ315

Параметр, единица измеренияОбозначениеНорма параметра
КГ315АКГ315БКГ315ВКГ315ГКТЗ15ДКГ315ЕКГ315ЖКГ315ИКТ315НКТ315Р
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, (RBE = 10 кОм), В 1)UCERmax2520403540352035
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при коротком замыкании в цепи эмиттер-база, В 1)UCES max2060
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В 1)UCB max2520403540352035
Макс. допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В 1)UEB max6666666666
Макс. допустимый постоянный ток коллектора, мА 1)IC max100100100100100100100100100100
Макс. допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт 2)PC max200200200200200200200200200200
Макс. допустимая температура перехода, ⁰Сtj max125125125125125125125125125125

Примечание: 1. Для всего диапазона рабочих температур. 2. При tатв от минус 60 до 25 °С. При повышении температуры более 25 °С PCmax рассчитывается по формуле:

где Rt hjα – общее тепловое сопротивление переход-окружающая среда, равное 0,5 °С/мВт.


Рисунок 3 – Типовые входные характеристики транзисторов КТ315 при UCE = 0, tатв = (25±10) °С


Рисунок 4 – Типовые выходные характеристики транзисторов типа КТ315 при tатв = (25±10) °С


Рисунок 5 – Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от постоянного тока коллектора для транзисторов КТ315 при IC/IB = 10, tатв = (25±10) °С


Рисунок 6 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзисторов КТ315 при UCB = 10, tатв = (25±10) °С


Рисунок 7 – Зависимость модуля коэффициента передачи тока по высокой частоте от постоянного тока эмиттера при UCB = 10, f = 100 МГц, tатв = (25±10) °С


Рисунок 8 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от напряжения коллектор-база при IE = 5 мА, tатв = (25±10) °С для КТ315


Рисунок 9 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от тока эмиттера при UCB = 10 В, f = 5 МГц, tатв = (25±10) °С для КТ315

Технические характеристики

D882 имеет достаточно хорошие технические параметры. Не много транзисторов, в корпусе TO-126, могут похвастаться возможностью пропускать через себя импульсные токи величиной до 6 А. Рассмотрим другие его максимальные значения предельно допустимых эксплуатационных значений:

  • напряжение между: К-Б — VCBO (Uкб max) до 40 В; К-Е — VCEO (Uкэ max) до 30 В;Э-Б — VEBO (Uэб max) до 6 В;
  • коллекторный ток: постоянный IC (Iк max) = 3 А; переменный, при tP < 5ms — ICM (Iки max) до 6 А;
  • ток базы IB (IБ max) = 3 А до 1 А;
  • мощность рассеиваемая на коллекторе РСк max) до 1.25 Вт;
  • тепловое сопротивление перехода Rthj-case —  10 ° C/Вт;
  • диапазон температур хранения и использования Tstg = -55 … 150 оС;
  • температура кристалла TJ до 150 оС.

Электрические параметры

Электрические параметры D882 тоже неплохие. Они представлены в даташит в виде отдельной таблицы с дополнительными условиями их измерений. Температуре окружающей среды, при этом, составляет не более 25 оС.

Коэффициента усиления по току

В зависимости от коэффициента передачи тока (hFE) транзистор D882 делятся на четыре группы по буквам: R (маленькое) – от 60 до 120; О (среднее) от 100 до 200; Y (высокое)– от 160 до 320; GR (самое большое) от 200 до 400.

Влияние радиатора

Стоит учитывать сильный нагрев D882 при использовании в предельно допустимых режимах, которые могут привести к выходу его из строя. Вероятности такого исхода очень высока, поэтому не рекомендуется длительная эксплуатация устройства на максимальных значениях.

Большое значение, в повышении надежности и уменьшении нагрева транзистора при работе, имеет его система охлаждения. Ниже приведен график зависимости рассеиваемой мощности (по горизонтали) от температуры окружающей среды (по вертикали). При тестировании изготовитель использует алюминиевый радиатор толщиной 10 мм.

Как видно из графика, при температуре вокруг корпуса выше +25ОС рассеиваемая мощность D882 начинает понижаться, а при +150ОС падает до ноля. На рисунке наглядно показана положительная роль использования радиатора для подобных электронных устройств.

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистораМаркировочная метка на срезе боковой поверхности корпусаМаркировочная метка на торце корпуса
KT315A1Треугольник зеленого цветаТочка красного цвета
KT315Б1Треугольник зеленого цветаТочка желтого цвета
KT315В1Треугольник зеленого цветаТочка зеленого цвета
KT315Г1Треугольник зеленого цветаТочка голубого цвета
KT315Д1Треугольник зеленого цветаТочка синего цвета
KT315Е1Треугольник зеленого цветаТочка белого цвета
KT315Ж1Треугольник зеленого цветаДве точки красного цвета
KT315И1Треугольник зеленого цветаДве точка желтого цвета
KT315Н1Треугольник зеленого цветаДве точки зеленого цвета
KT315Р1Треугольник зеленого цветаДве точки голубого цвета

Транзистор КТ815

ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
КТ815А BD165, TIP29, 2N4921, 2N4910 *3 , DTL1651 *1 , 2SD146 *1 , 2SD236 *1
КТ815БBD167, MJE720, 2SC1419 *3 , BD233 *2 , BD813 *3 , BD165
КТ815В BD169, MJE721, KD235, BD815 *3 , BD167, 2N1481 *1 , 2N1479 *3 , 2N4922 *2 , 2N4911 *3 , 2SD147 *3
КТ815Г BD818, MJE722, 2N1482 *1 , 2N1480 *1 , BD169 *2 , 2N4923, 2N4912 *3 , DT41653 *3
Структураn-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P * K, τ max,P ** K, и maxКТ815А10*Вт
КТ815Б10*
КТ815В10*
КТ815Г10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f * h21б, f ** h21э, f *** maxКТ815А≥3МГц
КТ815Б≥3
КТ815В≥3
КТ815Г≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U * КЭR проб., U ** КЭО проб.КТ815А0.1к40*В
КТ815Б0.1к50*
КТ815В0.1к70*
КТ815Г0.1к100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб.,КТ815А5В
КТ815Б5
КТ815В5
КТ815Г5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I * К , и maxКТ815А1.5(3*)А
КТ815Б1.5(3*)
КТ815В1.5(3*)
КТ815Г1.5(3*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I * КЭR, I ** КЭOКТ815А40 В≤0.05мА
КТ815Б40 В≤0.05
КТ815В40 В≤0.05
КТ815Г40 В≤0.05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э, h * 21ЭКТ815А2 В; 0.15 А≥40*
КТ815Б2 В; 0.15 А≥40*
КТ815В2 В; 0.15 А≥40*
КТ815Г2 В; 0.15 А≥30*
Емкость коллекторного переходаcк, с * 12эКТ815А5 В≤60пФ
КТ815Б5 В≤60
КТ815В5 В≤60
КТ815Г5 В≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттеромrКЭ нас, r*БЭ нас, К ** у.р.КТ815А≤1.2Ом, дБ
КТ815Б≤1.2
КТ815В≤1.2
КТ815Г≤1.2
Коэффициент шума транзистораКш, r * b, P ** выхКТ815АДб, Ом, Вт
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас, t ** выкл, t *** пк(нс)КТ815Апс
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Зарубежные прототипы

  • КТ815Б — BD135
  • КТ815В — BD137
  • КТ815Г — BD139

14 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше

Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая

Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).

По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1

ТипСтруктураPК max, PК* т. max, мВтfгр, МГцUКБО max, UКЭR*max, ВUЭБО max, ВIК max, мАIКБО, мкАh21э, h21Э*CК, пФrКЭ нас, Омrб, Омτк, пс
KT315A1n-p-n150≥250256100≤0,520…90 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315Б1n-p-n150≥250206100≤0,550…350 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315В1n-p-n150≥250406100≤0,520…90 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315Г1n-p-n150≥250356100≤0,550…350 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315Д1n-p-n150≥250406100≤0,520…90 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315Е1n-p-n150≥250356100≤0,520…90 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315Ж1n-p-n100≥250156100≤0,530…250 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315И1n-p-n100≥250606100≤0,530 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315Н1n-p-n150≥250206100≤0,550…350 (10 В; 1 мА)≤7
KT315Р1n-p-n150≥250356100≤0,5150…350 (10 В; 1 мА)≤7
КТ315Аn-p-n150 (250*)≥250256100≤0,530…120* (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
КТ315Бn-p-n150 (250*)≥250206100≤0,550…350* (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤500
КТ315Вn-p-n150 (250*)≥250406100≤0,530…120* (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤500
КТ315Гn-p-n150 (250*)≥250356100≤0,550…350* (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤500
КТ315Дn-p-n150 (250*)≥25040* (10к)6100≤0,620…90 (10 В; 1 мА)≤7≤30≤40≤1000
КТ315Еn-p-n150 (250*)≥25035* (10к)6100≤0,650…350* (10 В; 1 мА)≤7≤30≤40≤1000
КТ315Жn-p-n100≥25020* (10к)650≤0,630…250* (10 В; 1 мА)≤7≤25≤800
КТ315Иn-p-n100≥25060* (10к)650≤0,6≥30* (10 В; 1 мА)≤7≤45≤950
КТ315Нn-p-n150≥25035* (10к)6100≤0,650…350* (10 В; 1 мА)≤7≤5,5≤1000
КТ315Рn-p-n150≥25035* (10к)6100≤0,5150…350* (10 В; 1 мА)≤7≤20≤500

Примечание: 1. IКБО – обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, измеренный при UКБ = 10 В; 2. IК max – максимально допустимый постоянный ток коллектора; 3. UКBO max – пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- лектора и разомкнутой цепи эмиттера; 4. UЭБO max – пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора; 5. UКЭR max – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер; 6. РК.т max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом; 7. PК max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора; 8. rб – сопротивление базы; 9. rКЭ нас – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером; 10. CК – емкость коллекторного перехода , измеренная при UК = 10 В; 11. fгp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером; 12. h2lэ – коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме мало сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно; 13. h2lЭ – статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала; 14. τк – постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.

Проверка КТ815

Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.

Во-первых

, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром , так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.

Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.

Затем нужно проверить обратное падение напряжение

. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.

Таблица 3 – Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Отечественный транзисторЗарубежный аналогВозможность купитьПредприятие производительСтрана производитель
КТ315АBFP719нетUnitra CEMIПольша
КТ315БBFP720нетUnitra CEMIПольша
КТ315ВBFP721нетUnitra CEMIПольша
КТ315ГBFP722нетUnitra CEMIПольша
КТ315Д2SC641естьHitachiЯпония
КТ315Е2N3397есть ~ 4$Central SemiconductorСША
КТ315Ж2N2711есть ~ 9$Sprague electric corp.США
BFY37, BFY37iестьITT Intermetall GmbHГермания
КТ315И2SC634есть ~ 16$New Jersey SemiconductorСША
естьSonyЯпония
КТ315Н2SC633есть ~ 1$SonyЯпония
КТ315РBFP722нетUnitra CEMIПольша

Зарубежным прототипом транзистора КТ315-1 являются транзисторы 2SC544, 2SC545, 2SC546 предприятие производитель Sanyo Electric, страна производства Япония. Транзисторы 2SC545, 2SC546 также можно приобрести, ориентировочная цена составляет около 6$.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький «Кикстартер»

Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик — порог входа очень низкий.

КТ815 параметры сходные для всех модификаций

Таблица с предельно допустимыми электрическими режимами:

ПараметрыОбозначениеЗначение
Напряжение эмиттер — базаUэб max5 В
Постоянный ток коллектораIк max1,5 А
Импульсный ток коллектораIк max3 А
Максимально допустимый постоянный ток базыIб max0,5 А
Рассеиваемая мощность коллектораPк max10 Вт
Температура переходаTпер150 °C

Основные электрические параметры КТ815 при Токр.среды = 25°С

ПаpаметpыОбозначениеРежимы измеpенияMinMaхЕд.измеp
Обратный ток коллектораIкбоUкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)50мкА
Обратный ток коллектор-эмиттерIкэоRэб ≤ 100 Ом, Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)100мкА
Статический коэффициент передачи токаh21эUкб=2 В, Iэ=0,15 А40,30(Г)275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерUкэ насIк=0,5 А, Iб=50 мА0,6В
Оцените статью:
Оставить комментарий
Adblock
detector