Транзистор кт815б

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать
на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены
для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает
сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц,
на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень
регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки
уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7.
Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой
каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается
схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока.
Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного
сигнала.
При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы
германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры.
Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Таблица 5 – Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ315

Параметр, единица измерения Обозначение Норма параметра
КГ315А КГ315Б КГ315В КГ315Г КТЗ15Д КГ315Е КГ315Ж КГ315И КТ315Н КТ315Р
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, (RBE = 10 кОм), В 1) UCERmax 25 20 40 35 40 35 20 35
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при коротком замыкании в цепи эмиттер-база, В 1) UCES max 20 60
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В 1) UCB max 25 20 40 35 40 35 20 35
Макс. допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В 1) UEB max 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6
Макс. допустимый постоянный ток коллектора, мА 1) IC max 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100
Макс. допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт 2) PC max 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200
Макс. допустимая температура перехода, ⁰С tj max 125 125 125 125 125 125 125 125 125 125

Примечание: 1. Для всего диапазона рабочих температур. 2. При tатв от минус 60 до 25 °С. При повышении температуры более 25 °С PCmax рассчитывается по формуле:

где Rt hjα – общее тепловое сопротивление переход-окружающая среда, равное 0,5 °С/мВт.


Рисунок 3 – Типовые входные характеристики транзисторов КТ315 при UCE = 0, tатв = (25±10) °С


Рисунок 4 – Типовые выходные характеристики транзисторов типа КТ315 при tатв = (25±10) °С


Рисунок 5 – Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от постоянного тока коллектора для транзисторов КТ315 при IC/IB = 10, tатв = (25±10) °С


Рисунок 6 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзисторов КТ315 при UCB = 10, tатв = (25±10) °С


Рисунок 7 – Зависимость модуля коэффициента передачи тока по высокой частоте от постоянного тока эмиттера при UCB = 10, f = 100 МГц, tатв = (25±10) °С


Рисунок 8 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от напряжения коллектор-база при IE = 5 мА, tатв = (25±10) °С для КТ315


Рисунок 9 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от тока эмиттера при UCB = 10 В, f = 5 МГц, tатв = (25±10) °С для КТ315

Технические характеристики

D882 имеет достаточно хорошие технические параметры. Не много транзисторов, в корпусе TO-126, могут похвастаться возможностью пропускать через себя импульсные токи величиной до 6 А. Рассмотрим другие его максимальные значения предельно допустимых эксплуатационных значений:

  • напряжение между: К-Б — VCBO (Uкб max) до 40 В; К-Е — VCEO (Uкэ max) до 30 В;Э-Б — VEBO (Uэб max) до 6 В;
  • коллекторный ток: постоянный IC (Iк max) = 3 А; переменный, при tP < 5ms — ICM (Iки max) до 6 А;
  • ток базы IB (IБ max) = 3 А до 1 А;
  • мощность рассеиваемая на коллекторе РСк max) до 1.25 Вт;
  • тепловое сопротивление перехода Rthj-case —  10 ° C/Вт;
  • диапазон температур хранения и использования Tstg = -55 … 150 оС;
  • температура кристалла TJ до 150 оС.

Электрические параметры

Электрические параметры D882 тоже неплохие. Они представлены в даташит в виде отдельной таблицы с дополнительными условиями их измерений. Температуре окружающей среды, при этом, составляет не более 25 оС.

Коэффициента усиления по току

В зависимости от коэффициента передачи тока (hFE) транзистор D882 делятся на четыре группы по буквам: R (маленькое) – от 60 до 120; О (среднее) от 100 до 200; Y (высокое)– от 160 до 320; GR (самое большое) от 200 до 400.

Влияние радиатора

Стоит учитывать сильный нагрев D882 при использовании в предельно допустимых режимах, которые могут привести к выходу его из строя. Вероятности такого исхода очень высока, поэтому не рекомендуется длительная эксплуатация устройства на максимальных значениях.

Большое значение, в повышении надежности и уменьшении нагрева транзистора при работе, имеет его система охлаждения. Ниже приведен график зависимости рассеиваемой мощности (по горизонтали) от температуры окружающей среды (по вертикали). При тестировании изготовитель использует алюминиевый радиатор толщиной 10 мм.

Как видно из графика, при температуре вокруг корпуса выше +25ОС рассеиваемая мощность D882 начинает понижаться, а при +150ОС падает до ноля. На рисунке наглядно показана положительная роль использования радиатора для подобных электронных устройств.

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистора Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса Маркировочная метка на торце корпуса
KT315A1 Треугольник зеленого цвета Точка красного цвета
KT315Б1 Треугольник зеленого цвета Точка желтого цвета
KT315В1 Треугольник зеленого цвета Точка зеленого цвета
KT315Г1 Треугольник зеленого цвета Точка голубого цвета
KT315Д1 Треугольник зеленого цвета Точка синего цвета
KT315Е1 Треугольник зеленого цвета Точка белого цвета
KT315Ж1 Треугольник зеленого цвета Две точки красного цвета
KT315И1 Треугольник зеленого цвета Две точка желтого цвета
KT315Н1 Треугольник зеленого цвета Две точки зеленого цвета
KT315Р1 Треугольник зеленого цвета Две точки голубого цвета

Транзистор КТ815

Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
КТ815А BD165, TIP29, 2N4921, 2N4910 *3 , DTL1651 *1 , 2SD146 *1 , 2SD236 *1
КТ815Б BD167, MJE720, 2SC1419 *3 , BD233 *2 , BD813 *3 , BD165
КТ815В BD169, MJE721, KD235, BD815 *3 , BD167, 2N1481 *1 , 2N1479 *3 , 2N4922 *2 , 2N4911 *3 , 2SD147 *3
КТ815Г BD818, MJE722, 2N1482 *1 , 2N1480 *1 , BD169 *2 , 2N4923, 2N4912 *3 , DT41653 *3
Структура n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P * K, τ max,P ** K, и max КТ815А 10* Вт
КТ815Б 10*
КТ815В 10*
КТ815Г 10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f * h21б, f ** h21э, f *** max КТ815А ≥3 МГц
КТ815Б ≥3
КТ815В ≥3
КТ815Г ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U * КЭR проб., U ** КЭО проб. КТ815А 0.1к 40* В
КТ815Б 0.1к 50*
КТ815В 0.1к 70*
КТ815Г 0.1к 100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб., КТ815А 5 В
КТ815Б 5
КТ815В 5
КТ815Г 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I * К , и max КТ815А 1.5(3*) А
КТ815Б 1.5(3*)
КТ815В 1.5(3*)
КТ815Г 1.5(3*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I * КЭR, I ** КЭO КТ815А 40 В ≤0.05 мА
КТ815Б 40 В ≤0.05
КТ815В 40 В ≤0.05
КТ815Г 40 В ≤0.05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э, h * 21Э КТ815А 2 В; 0.15 А ≥40*
КТ815Б 2 В; 0.15 А ≥40*
КТ815В 2 В; 0.15 А ≥40*
КТ815Г 2 В; 0.15 А ≥30*
Емкость коллекторного перехода cк, с * 12э КТ815А 5 В ≤60 пФ
КТ815Б 5 В ≤60
КТ815В 5 В ≤60
КТ815Г 5 В ≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас, r*БЭ нас, К ** у.р. КТ815А ≤1.2 Ом, дБ
КТ815Б ≤1.2
КТ815В ≤1.2
КТ815Г ≤1.2
Коэффициент шума транзистора Кш, r * b, P ** вых КТ815А Дб, Ом, Вт
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас, t ** выкл, t *** пк(нс) КТ815А пс
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Зарубежные прототипы

  • КТ815Б — BD135
  • КТ815В — BD137
  • КТ815Г — BD139

14 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше

Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая

Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).

По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1

Тип Структура PК max, PК* т. max, мВт fгр, МГц UКБО max, UКЭR*max, В UЭБО max, В IК max, мА IКБО, мкА h21э, h21Э* CК, пФ rКЭ нас, Ом rб, Ом τк, пс
KT315A1 n-p-n 150 ≥250 25 6 100 ≤0,5 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Б1 n-p-n 150 ≥250 20 6 100 ≤0,5 50…350 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315В1 n-p-n 150 ≥250 40 6 100 ≤0,5 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Г1 n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 50…350 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Д1 n-p-n 150 ≥250 40 6 100 ≤0,5 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Е1 n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Ж1 n-p-n 100 ≥250 15 6 100 ≤0,5 30…250 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315И1 n-p-n 100 ≥250 60 6 100 ≤0,5 30 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Н1 n-p-n 150 ≥250 20 6 100 ≤0,5 50…350 (10 В; 1 мА) ≤7
KT315Р1 n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 150…350 (10 В; 1 мА) ≤7
КТ315А n-p-n 150 (250*) ≥250 25 6 100 ≤0,5 30…120* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
КТ315Б n-p-n 150 (250*) ≥250 20 6 100 ≤0,5 50…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
КТ315В n-p-n 150 (250*) ≥250 40 6 100 ≤0,5 30…120* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
КТ315Г n-p-n 150 (250*) ≥250 35 6 100 ≤0,5 50…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
КТ315Д n-p-n 150 (250*) ≥250 40* (10к) 6 100 ≤0,6 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤30 ≤40 ≤1000
КТ315Е n-p-n 150 (250*) ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,6 50…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤30 ≤40 ≤1000
КТ315Ж n-p-n 100 ≥250 20* (10к) 6 50 ≤0,6 30…250* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤25 ≤800
КТ315И n-p-n 100 ≥250 60* (10к) 6 50 ≤0,6 ≥30* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤45 ≤950
КТ315Н n-p-n 150 ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,6 50…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤5,5 ≤1000
КТ315Р n-p-n 150 ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,5 150…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤500

Примечание: 1. IКБО – обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, измеренный при UКБ = 10 В; 2. IК max – максимально допустимый постоянный ток коллектора; 3. UКBO max – пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- лектора и разомкнутой цепи эмиттера; 4. UЭБO max – пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора; 5. UКЭR max – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер; 6. РК.т max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом; 7. PК max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора; 8. rб – сопротивление базы; 9. rКЭ нас – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером; 10. CК – емкость коллекторного перехода , измеренная при UК = 10 В; 11. fгp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером; 12. h2lэ – коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме мало сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно; 13. h2lЭ – статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала; 14. τк – постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.

Проверка КТ815

Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.

Во-первых

, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром , так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.

Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.

Затем нужно проверить обратное падение напряжение

. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.

Таблица 3 – Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Отечественный транзистор Зарубежный аналог Возможность купить Предприятие производитель Страна производитель
КТ315А BFP719 нет Unitra CEMI Польша
КТ315Б BFP720 нет Unitra CEMI Польша
КТ315В BFP721 нет Unitra CEMI Польша
КТ315Г BFP722 нет Unitra CEMI Польша
КТ315Д 2SC641 есть Hitachi Япония
КТ315Е 2N3397 есть ~ 4$ Central Semiconductor США
КТ315Ж 2N2711 есть ~ 9$ Sprague electric corp. США
BFY37, BFY37i есть ITT Intermetall GmbH Германия
КТ315И 2SC634 есть ~ 16$ New Jersey Semiconductor США
есть Sony Япония
КТ315Н 2SC633 есть ~ 1$ Sony Япония
КТ315Р BFP722 нет Unitra CEMI Польша

Зарубежным прототипом транзистора КТ315-1 являются транзисторы 2SC544, 2SC545, 2SC546 предприятие производитель Sanyo Electric, страна производства Япония. Транзисторы 2SC545, 2SC546 также можно приобрести, ориентировочная цена составляет около 6$.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький «Кикстартер»

Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик — порог входа очень низкий.

КТ815 параметры сходные для всех модификаций

Таблица с предельно допустимыми электрическими режимами:

Параметры Обозначение Значение
Напряжение эмиттер — база Uэб max 5 В
Постоянный ток коллектора Iк max 1,5 А
Импульсный ток коллектора Iк max 3 А
Максимально допустимый постоянный ток базы Iб max 0,5 А
Рассеиваемая мощность коллектора Pк max 10 Вт
Температура перехода Tпер 150 °C

Основные электрические параметры КТ815 при Токр.среды = 25°С

Паpаметpы Обозначение Режимы измеpения Min Maх Ед.измеp
Обратный ток коллектора Iкбо Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г) 50 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэо Rэб ≤ 100 Ом, Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г) 100 мкА
Статический коэффициент передачи тока h21э Uкб=2 В, Iэ=0,15 А 40,30(Г) 275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нас Iк=0,5 А, Iб=50 мА 0,6 В
Оцените статью:
Оставить комментарий