Транзистор кт3102: параметры и аналоги, цоколёвка

Транзисторы биполярные в корпусе SOT-23

SMD транзисторы. Маркировка и взаимозамена SMD-транзисторов. Как по маркировке правильно определить тип установленного в плату SMD- прибора, быстро и точно найти замену, подскажет предлагаемый материал. Можно спорить о частоте таких совпадений, но они нередки и встречаются даже среди продукции одной фирмы. Различить такие совпадения может только опытный человек по окружающим компонентам обвески и схеме включения. А пока встречаются элементы, корпус которых имеет стандартные размеры, но нестандартное название.

Корпуса с одним и тем же названием могут иметь разную высоту. В табл. Большинство из SMD-транзисторов можно заменить на их аналоги, а также на обычные дискретные транзисторы, зная электрические характеристики возможных замен. Таблица 3. Маркировка некоторых SMD-транзисторов и аналог для замены. Обозначение на корпусе. Тип транзистора.

Аналог по электрическим. В СА. MMBCF3 -. В таблице представлен далеко не полный список активных приборов в SMD- корпусах. Данные по SMD-транзисторам можно найти самостоятельно, обратившись к справочной литературе. Маркировка и электрические характеристики некоторых SMD-транзисторов широкого применения. U кэ откр. F гр МГц. SOT Маркировка транзисторных SMD-сборок. Маркировка некоторых высоковольтных SMD-транзисторов.

Коэффициент передачи. Тип прибора. SST «. Сейчас на сайте: гостей 3 роботов. Новые пользователи: Administrator. Всего пользователей: 1.

Подписка на новости. Все для радиолюбителя. Для тебя. Пользователи : 1 Статьи : Просмотры материалов : Подписка на новости Все для радиолюбителя. Маркировка некоторых SMD-транзисторов и аналог для замены Обозначение на корпусе. Аналог по электрическим характеристикам. U кэ откр В. I к const mA. Коэффициент передачи на МГц.

Граничная частота.

Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.

Транзисторы КТ315 — кремниевые, маломощные высокочастотные, структуры — n-p-n. Корпус пластиковый — желтого, красного, темно — зеленого, оранжевого цветов. Масса — около 0,18г. Маркировка буквенно — цифровая, либо буквенная. Цоколевка легко определяется с помощью буквы, обозначающей подкласс транзистора. Она распологается напротив вывода эмиттера. Вывод коллектора — посередине, базы — оставшийся, крайний.

Наиболее широко распространенный отечественный транзистор. При изготовлении КТ315 впервые массово была применена планарно — эпитаксиальная технология. На пластине из материала n — проводимости формировался участок базы, проводимостью — p, затем, уже в нем — n участок эмиттера. Эта технология способствовала значительному удешевлению производства, при меньшем разбросе параметрических характеристик, по тому времени — довольно высоких.

Благодаря плоской форме корпуса и выводов КТ315 хорошо подходит для поверхностного монтажа. Таким образом, применение КТ315 позволило в свое время значительно уменьшить размеры элементов ТТЛ советских ЭВМ второго поколения. Область применения КТ315 черезвычайно широка, кроме элементов логики это — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные усилители, генераторы, все что сотавляло основу огромного количества бытовых и промышленных электронных устройств советской эпохи.

Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР. Примечательно, что КТ315 до сих пор производятся в Белоруссии, в корпусе ТО-92.

Наиболее важные параметры.

Граничная частота передачи тока — 250 МГц. Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д — от 20 до 90. У транзисторов КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е — от 50 до 350. У транзистора КТ315Ж, — от 30 до 250. У транзистора КТ315Ж, не менее 30.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. транзистора КТ315А — 25в. Транзистора КТ315Б — 20в, транзистора КТ315Ж — 15в. У транзисторов КТ315В, КТ315Д — 40 в. у транзисторов КТ315Г, КТ315Е — 35 в. У транзистора КТ315И — 60 в.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы — 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 1,1 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1,5 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,9 в.

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 0,4 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,5 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база — 6 в.

Обратный ток коллектор-эмиттер при предельном напряжении : У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 1 мкА. У транзисторов КТ315Ж — 10 мкА. У транзисторов КТ315И — 100 мкА.

Обратный ток коллектора при напряжении колектор-база 10в — 1 мкА.

Максимальный ток коллектора. У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 100 мА. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 50 мА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, не более: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,КТ315Д, КТ315Е, КТ315И — 7 пФ. У транзисторов КТ315Ж — 10 пФ.

Рассеиваемая мощность коллектора.

У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 150 мВт. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 100 мВт.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ361. Буква определяющая класс у КТ361 расположена посередине корпуса.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.

Прямых зарубежных аналогов у КТ315 нет. Наиболее близкий аналог(полное совпадение параметров) транзистора КТ315А — BFP719.

Аналог КТ315Б — 2SC633. Параметры этих транзисторов в основном совпадают, но у 2SC633 несколько ниже граничная частота передачи тока — 200МГц.

Аналог КТ315В — BFP721.

Аналог КТ315Г — BFP722, КТ315Д — BC546B

Маркировка и цоколёвка

Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.

Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:

• Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
• Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :

А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.

На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.

Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.

Технические характеристики

По своим техническим характеристикам КТ315Б самый слабый транзистор в серии по пропускаемому напряжению (до 20 В). Вместе с тем он один из сильнейших с точки зрения усиления по току (до 350 H_21Э). Рассмотрим его предельно допустимые значения эксплуатации подробнее:

• допустимое постоянное напряжение между: К-Э до 20 В (R_БЭ  = 10 Ом); Э-Б до 6 В;
• коллекторный ток: постоянный до 100мА;
• мощность рассеиваемая на коллекторе (при Т_окр. от -60 до +100°C) до 150 мВт;
• температура p-n-перехода до +120 °C;
• граничная частота для схем с общим эмиттером от 250 МГц;
• емкость коллекторного перехода менее 7 пФ;
• коэффициент H_21Э от 50 до 350;
• диапазон рабочих температур вокруг корпуса -60 … +100 °C.

КТ315б допускается возможность использования при P_K до 250 мВт, при U_КБ=12,5, I_K= 20 мА. При этом, максимальную мощность рассеиваемая на коллекторе определяют по формуле: P_Kмакс. =(120°C — Т_окр. )/0,67. При этом, недопустима длительная эксплуатация на предельных значениях допустимых параметров, из-за чего устройство обычно выходит из строя.

Электрические параметры

Основные электрические параметры КТ315Б приведены ниже, они отражены в даташит и характерны для всей изделий линейки данного типа. Приводятся обычно для Т_{окр. среды} до +25°C и определенных условий измерений.

Комплементарная пара

КТ315Б считается высокочастотным транзистором, разработанным прежде всего для функционирования в схемах усиления высокой, промежуточной и низкой частоты. Для работы в паре с ним, с противоположными полупериодами напряжений, применяется комплеменатрная пара КТ361Б, имеющая структуру p-n-p.

Аналоги

Чаще всего в виде аналога для КТ315Б в различных схемах используют КТ3102Б. Можно сказать, что это его более совершенная модель нового образца. Из зарубежных замен можно рассматривать следующие: BC546…BC548, 2SC2209.

Маркировка года и месяца изготовления

В соответствии с ГОСТ 25486-82, для обозначения даты используют две буквы или букву и цифру. Первый символ соответствует году, а второй — месяцу. Такой вид кодирования применяется не только для транзисторов, но и для других отечественных полупроводниковых элементов. На зарубежных приборах дата обозначается четырьмя цифрами, первые две из которых соответствуют году, а последние — номеру недели. Рассмотрим, что означает кодовая маркировка транзисторов, соответствующая дате изготовления. Год выпуска/символ: 1986 – U, 1987 – V, 1988 – W, 1989 – X, 1990 – А, 1991 – В, 1992 – С, 1993 – D, 1994 – Е, 1995 – F, 1996 – Н, 1997 – I, 1998 – К, 1999 – L, 2000 – М и т. д. Месяц выпуска: первые девять месяцев соответствуют цифрам от 1 до 9 (январь – 1, февраль – 2), а последние — начальным буквам слова: октябрь – О, ноябрь – N, декабрь – D.

КТ3102 цоколевка

Транзистор КТ3102 выпускался как в металлостеклянном так и в пластиковым КТ-26 (зарубежный аналог ТО92).

Обратите внимание на рисунке показан вид снизу. В верхней части рисунка показана цоколевка КТ3102 в металическом корпусе, это транзисторы без последный буквы М: КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е, КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102К

В нижней части рисунка показана цоколевка КТ3102 в пластиковом корпусе, это транзисторы в обозначении которых есть заключительная буква М: КТ3102АМ, КТ3102БМ, КТ3102ВМ, КТ3102ГМ, КТ3102ДМ, КТ3102ЕМ, КТ3102ЖМ, КТ3102ИМ, КТ3102КМ. Ещё говорят что у КТ3102 цоколевка КБЕ.

Маркировался КТ3102 как полным буквенноцифровым обозначением, так и цветными точками.

Маркировка

По маркировке кт315 можно точно понять, что перед нами именно он, рассмотрим его в корпусе КТ13. Он имеет цифробуквенное обозначение и может отличается от своих собратьев цветом. Чаще всего встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска. Вот их фотографии во всем цветовом разнообразии.

Устройства в таком исполнении до 1986 года имели золоченные контакты. После 1986 года количество содержания драгметаллов в них значительно снизилось. А в современных устройствах его практически нет. Усовершенствованный KT315 выпускается в корпусах для дырочного КТ-26 (TO-92) и поверхностного монтажа КТ-46А (SOT-23). На фотографии пример такого устройства — КТ315Г1 (TO-92).

Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315(TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в  группе, можно определить его основное назначение. Например, КТ315Н1 использовался ранее в цветных телевизорах, а KT315P и КТ315Р1 применялись в видеомагнитофонах «Электроника ВМ».

Мощный низковольтный маяк

Для обозначения опасного участка, или неисправной машины, стоящей на дороге, в ночное время может быть весьма полезным световой маяк, питающийся от автомобильного аккумулятора. Схема маяка показана на рисунке 2. Выполнена она по схеме несимметричного мультивибратора, в котором одно из плеч сделано на мощном коммутаторном полевом транзисторе VT2 типа IRF530.

Схема включается последовательно лампе накаливания Н1, и питается через неё. Полевой транзистор VT2 в открытом состоянии имеет очень низкое сопротивление канала, поэтому напряжение питания схемы во время открытого состояния VT2 снижается почти до нулевого значения.

Чтобы поддерживать питание схемы во время горения лампы, когда полевой транзистор VT2 открыт, есть цепь из конденсатора С1 и диода VD1. Конденсатор С1, в то время, когда VT2 закрыт, через диод VD1 и лампу быстро заряжается, и во время открытого состояния VT2 схема питается напряжением, накопленном на С1, потому что диод VD1 препятствует разрядке этого конденсатора.

Рис. 2. Схема мощный низковольтного свето-маяка.

Частота мигания лампы зависит от емкости конденсатора С2. Лампа Н1 — стандартная автомобильная лампочка от фар. Можно использовать лампу мощностью до 65 W. При этом, нужно учесть что транзистору VT2 может потребоваться радиатор.

Разновидности и характеристики

Существует достаточно большое количество различных вариантов данного прибора, отличающихся друг от друга теми или иными показателями. Для рассмотрения всех вариантов прибора, введём следующие параметры КТ3102 :

• Максимальный допустимый ток на коллекторе( I K MAX ) – 0,1 A .
• Максимальный импульсный ток на коллекторе( I K I MAX ) – 0,2 A .
• Максимальная мощность коллектора( P K MAX ) – 0,25 B т. ( Данное значение мощности подсчитано без использования радиатора)
• Максимальная частота при подключении по схеме с общим эмиттером ( f гр ) – 150МГц.

Вышеперечисленные характеристики КТ3102 одинаковы для всех моделей прибора. То есть, при любой маркировке прибора, вы должны учитывать вышеперечисленные значения. Описанные ниже показатели будут отличаться в зависимости от типа элемента. В последующем приведём краткую сводку параметров для каждого типа.

• U КБ – максимальная разность потенциалов системы коллектор-база.
• U КЭ – максимальная разность потенциалов системы коллектор-эмиттер.
• H 21э – коэффициент усиления при подключении с общим эмиттером.
• I КБ – обратный ток коллектора.
• К Ш – коэффициент шума.

Для удобства, все показатели будут вынесены в таблицу. Буква М и её отсутствие в обозначении пары транзисторов (например, КТ3102А и КТ3102АМ) означает тип корпуса. С буквой М – пластиковый корпус. Без неё – металлический. Показатели не зависят от типа корпуса. В таблице, также, будут приведены зарубежные аналоги КТ3102.

Мастерам на все руки будет интересна статья о самостоятельном подключении дифавтомата в однофазной сети.

Основные параметры

• Коэффициент передачи по току.
• Входное сопротивление.
• Выходная проводимость.
• Обратный ток коллектор-эмиттер.
• Время включения.
• Предельная частота коэффициента передачи тока базы.
• Обратный ток коллектора.
• Максимально допустимый ток.
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные параметры характеризуют свойства транзистора, независимо от схемы его включения. В качестве основных собственных параметров принимают:

• коэффициент усиления по току α;
• сопротивления эмиттера, коллектора и базы переменному току r_э, r_к, r_б, которые представляют собой:
  • r_э — сумму сопротивлений эмиттерной области и эмиттерного перехода;
  • r_к — сумму сопротивлений коллекторной области и коллекторного перехода;
  • r_б — поперечное сопротивление базы.

Эквивалентная схема биполярного транзистора с использованием h-параметров.

Вторичные параметры различны для различных схем включения транзистора и, вследствие его нелинейности, справедливы только для низких частот и малых амплитуд сигналов. Для вторичных параметров предложено несколько систем параметров и соответствующих им эквивалентных схем. Основными считаются смешанные (гибридные) параметры, обозначаемые буквой «h».

Входное сопротивление — сопротивление транзистора входному переменному току при коротком замыкании на выходе. Изменение входного тока является результатом изменения входного напряжения, без влияния обратной связи от выходного напряжения.

h₁₁ = U_m1/I_m1, при U_m2 = 0.

Коэффициент обратной связи по напряжению показывает, какая доля выходного переменного напряжения передаётся на вход транзистора вследствие обратной связи в нём. Во входной цепи транзистора нет переменного тока, и изменение напряжения на входе происходит только в результате изменения выходного напряжения.

h₁₂ = U_m1/U_m2, при I_m1 = 0.

Коэффициент передачи тока (коэффициент усиления по току) показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения.

h₂₁ = I_m2/I_m1, при U_m2 = 0.

Выходная проводимость — внутренняя проводимость для переменного тока между выходными зажимами. Выходной ток изменяется под влиянием выходного напряжения.

h₂₂ = I_m2/U_m2, при I_m1 = 0.

Зависимость между переменными токами и напряжениями транзистора выражается уравнениями:

U_m1 = h₁₁I_m1 + h₁₂U_m2;

I_m2 = h₂₁I_m1 + h₂₂U_m2.

В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК.

Для схемы ОЭ: I_m1 = I_mб, I_m2 = I_mк, U_m1 = U_mб-э, U_m2 = U_mк-э. Например, для данной схемы:

h_21э = I_mк/I_mб = β.

Для схемы ОБ: I_m1 = I_mэ, I_m2 = I_mк, U_m1 = U_mэ-б, U_m2 = U_mк-б.

Собственные параметры транзистора связаны с h-параметрами, например для схемы ОЭ:

h11∍=rδ+r∍1−α{\displaystyle h_{11\backepsilon }=r_{\delta }+{\frac {r_{\backepsilon }}{1-\alpha }}};

h12∍≈r∍rκ(1−α){\displaystyle h_{12\backepsilon }\approx {\frac {r_{\backepsilon }}{r_{\kappa }(1-\alpha )}}};

h21∍=β=α1−α{\displaystyle h_{21\backepsilon }=\beta ={\frac {\alpha }{1-\alpha }}};

h22∍≈1rκ(1−α){\displaystyle h_{22\backepsilon }\approx {\frac {1}{r_{\kappa }(1-\alpha )}}}.

С повышением частоты заметное влияние на работу транзистора начинает оказывать ёмкость коллекторного перехода C_к. Его реактивное сопротивление уменьшается, шунтируя нагрузку и, следовательно, уменьшая коэффициенты усиления α и β. Сопротивление эмиттерного перехода C_э также снижается, однако он шунтируется малым сопротивлением перехода r_э и в большинстве случаев может не учитываться. Кроме того, при повышении частоты происходит дополнительное снижение коэффициента β в результате отставания фазы тока коллектора от фазы тока эмиттера, которое вызвано инерционностью процесса перемещения носителей через базу от эммитерного перехода к коллекторному и инерционностью процессов накопления и рассасывания заряда в базе.
Частоты, на которых происходит снижение коэффициентов α и β на 3 дБ, называются граничными частотами коэффициента передачи тока для схем ОБ и ОЭ соответственно.

В импульсном режиме ток коллектора изменяется с запаздыванием на время задержки τ_з относительно импульса входного тока, что вызвано конечным временем пробега носителей через базу. По мере накопления носителей в базе ток коллектора нарастает в течение длительности фронта τ_ф. Временем включения транзистора называется τ_вкл = τ_з + τ_ф.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и. т. д — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из него. Проще всего обстоит дело с КТ315. В любой промышленной и бытовой аппаратуре и с середины 70-х годов двадцатого века и заканчивая началом 90-х его можно встретить практически повсеместно. КТ3102 можно найти в предварительных каскадах усилителей магнитофонов — «Электроника», «Вега», «Маяк», «Вильма» и. т. д. КТ817 — в стабилизаторах блоков питания тех же магнитофонов, иногда в оконечных каскадах усилителей звука (в магнитолах Вега РМ-238С,РМ338С и. т. п)

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

КТ315 — аналоги отечественные и зарубежные

Но так как главной темой статьи является не КТ315 — аналоги для этого транзистора, то следует уже уделить внимание и основной теме. Итак, вот список аналогов:

1. Биполярный транзистор BC847B. Относительно дорогой (3 рубля за 1 штуку) маломощный транзистор, имеющий значительный коэффициент усиления. Если сравнивать с КТ315, аналог зарубежный довольно дорогой. Но он имеет то преимущество, что при пайке и перепайке не так быстро выходит из строя (что не в последнюю очередь благодаря его увеличенной и укреплённой конструкции). Максимальная рассеиваемая мощность — 0,25. На направление «коллектор-база» может подаваться до 50 Вольт. На коллектор-эмиттер — до 45 Вольт. Максимальное напряжение для направления эмиттер-база составляет 6 Вольт. Коллекторный переход имеет ёмкость 8. Предельная температура перехода составляет 150 градусов. Статистический коэффициент передачи тока — 200.
2. Биполярный транзистор 2SC634. Этот импортный аналог КТ315 является довольно сбалансированным относительно характеристик и цены. Значение максимальной рассеиваемой мощности составляет 0,18. Максимально допустимое напряжение на коллектор-базу и коллектор-эмиттер — 40 Вольт. Эмиттер-база — всего 6 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 8. Предельная температура перехода — 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока — 90.
3. Биполярный транзистор КТ3102. Сказать, что он для КТ315 — аналог отечественный будет неверно, ведь исторически так сложилось, что подобные детали изготавливались одного вида, который соответствует всем необходимым запросам и может выполнить возложенные на него функции. Дело в том, что просто КТ3102 не существует, обязательно вслед идёт ещё одна буква. Во избежание конфликтов значения будут указаны для всей группы. Более детальную информацию вы сможете получить, просматривая каждый транзистор. Отечественная разработка является усовершенствованным КТ315. Аналог в этом случае — слово не совсем уместное, скорее, усовершенствованный механизм. Максимальная рассеиваемая мощность КТ3102 составляет 0,25. На коллектор-базу может подаваться максимальное напряжение в 20-50 Вольт. Максимальное напряжение, которое можно подавать на коллектор-эмиттер, тоже составляет 20-50 Вольт. Максимальное напряжение на эмиттер-базу составляет 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода равняется 6. Предельная температура перехода — 150 градусов. Статический коэффициент передачи тока равняется 100.
4. Биполярный транзистор 2SC641. Максимальная рассеиваемая мощность — 0,1. Напряжение на направлении коллектор — база не должно превышать 40 Вольт. Максимальное напряжение на направлении коллектор — эмиттер не должно быть больше 15 Вольт. Для направления эмиттер — база это значение не должно превышать 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 6 единиц. Предельная температура перехода — 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока равен 35.

Распиновка

Цоколевка современного КТ315Б, выпускаемого в наши дни преимущественно выполнена в корпусе ТО-92 (отечественный КТ-26), имеет следующий вид. Эта стандартная пластиковая упаковка для подобных транзисторов имеющая три гибких металлических вывода. Если смотреть на её маркировку, то первая левая ножка — это эмиттер (Э), следующая – коллектор (К) и последняя – база (Б). Такое назначение контактов характерно для всех групп устройств серии КТ315, независимо от их корпусного исполняя – Э.К.Б.

Вместе с тем, первые КТ315Б были изготовлены в другом, достаточно специфичном, но очень известном пластмассовом корпусе  КТ-13. Он был преимущественно оранжевый, однако может быть и в других цветах: красного, тёмно-зелёного, черного, желтого. В таком устаревшем корпусном исполнении, его выпуск продолжается по настоящее время . Например, на российском предприятии по производству электронных компонентов — ОАО СКБ «Элькор» (г.Нальчик).