Биполярный транзистор BC817DS — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC817DS

Маркировка: N3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160

Корпус транзистора: SOT457

BC817DS
Datasheet (PDF)

1.1. bc817ds.pdf Size:215K _upd

 DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D302
BC817DS
NPN general purpose double
transistor
Product data sheet 2002 Nov 22
Supersedes data of 2002 Aug 09
NXP Semiconductors Product data sheet
NPN general purpose double transistor BC817DS
FEATURES QUICK REFERENCE DATA
• High current (500 mA)
SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
• 600 mW total power dissipation
VCEO colle

1.2. bc817ds.pdf Size:128K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D302
BC817DS
NPN general purpose double
transistor
Product data sheet 2002 Nov 22
Supersedes data of 2002 Aug 09
NXP Semiconductors Product data sheet
NPN general purpose double transistor BC817DS
FEATURES QUICK REFERENCE DATA
High current (500 mA)
SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
600 mW total power dissipation
VCEO collector-em

 4.1. bc817dpn.pdf Size:149K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D302
BC817DPN
NPN/PNP general purpose
transistor
Product data sheet 2002 Nov 22
Supersedes data of 2002 Aug 09
NXP Semiconductors Product data sheet
NPN/PNP general purpose transistor BC817DPN
FEATURES QUICK REFERENCE DATA
High current (500 mA)
SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
600 mW total power dissipation
VCEO collector-emitte

Другие транзисторы… BC817-25LT3G
, BC817-25QA
, BC817-40-G
, BC817-40LG
, BC817-40LT1G
, BC817-40LT3G
, BC817-40QA
, BC817-40WT1G
, BC548
, BC817K-16
, BC817K-16W
, BC818-40LT1G
, BC818K-16
, BC818K-25
, BC818LT1
, BC818W
, BC846_SER
.

BC817-40L Datasheet (PDF)

1.1. bc817-25lg bc817-40lg.pdf Size:570K _upd

BC817 SERIES
General Purpose Transistors
BC817-16/25/40LG
BC817-16LG,
BC817-25LG,BC817-40LG
SERIES
Features 3
• Pb-Free Packages are Available
1
2
Maximum Ratings
Rating Symbol Value Unit
SOT-23
Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V
Collector-Base Voltage VCBO 50 V
COLLECTOR
Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 V 3
Collector Current — Continuous IC 500 mAdc
1
BASE
2
EMITTER
Devi

1.2. bc817-16lt3g bc817-40lt3g.pdf Size:89K _upd

BC817-16L, SBC817-16L,
BC817-25L, SBC817-25L,
BC817-40L, SBC817-40L
General Purpose
Transistors
http://onsemi.com
NPN Silicon
COLLECTOR
Features 3
• S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications
Requiring Unique Site and Control Change Requirements; 1
BASE
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
2
Complian

 1.3. bc817-25lt1g bc817-40lt1g.pdf Size:125K _upd

BC817-16LT1G,
BC817-25LT1G,
BC817-40LT1G
General Purpose
Transistors
http://onsemi.com
NPN Silicon
COLLECTOR
Features 3
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
1
Compliant
BASE
2
EMITTER
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 V
3
Collector — Base Voltage VCBO 50 V
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 V
1
2
Collect

1.4. sbc817-40lt3g.pdf Size:89K _onsemi

BC817-16L, SBC817-16L,
BC817-25L, SBC817-25L,
BC817-40L, SBC817-40L
General Purpose
Transistors
http://onsemi.com
NPN Silicon
COLLECTOR
Features 3
• S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications
Requiring Unique Site and Control Change Requirements; 1
BASE
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
2
Complian

 1.5. sbc817-40lt1g.pdf Size:89K _onsemi

BC817-16L, SBC817-16L,
BC817-25L, SBC817-25L,
BC817-40L, SBC817-40L
General Purpose
Transistors
http://onsemi.com
NPN Silicon
COLLECTOR
Features 3
• S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications
Requiring Unique Site and Control Change Requirements; 1
BASE
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
2
Complian

1.6. lbc817-40lt1g.pdf Size:280K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
LBC817-16LT1G
LBC817-25LT1G
General Purpose Transistors
LBC817-40LT1G
NPN Silicon
S-LBC817-16LT1G
S-LBC817-25LT1G
• We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
• S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and
S-LBC817-40LT1G
Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
3
MA

2SB817C Datasheet (PDF)

1.1. 2sb817c 2sd1047c.pdf Size:445K _update_bjt

Ordering number : ENN6987
2SB817C/2SD1047C
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SB817C/2SD1047C
140V / 12A, AF 80W Output Applications
Features Package Dimensions
• Large current capacitance. unit : mm
• Wide ASO and high durability against breakdown. 2022A
• Adoption of MBIT process.
[2SB817C/2SD1047C]
15.6
3.2
4.8
14.0
2.0

1.2. 2sb817c.pdf Size:195K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB817C
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage-
: V = -2.0V(Max.) @I = -5A
CE(sat) C
·Good Linearity of h
FE
·High Current Capability
·Wide Area of Safe Operation
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for audio frequency amplifier output
stage a

 4.1. 2sb817p 2sd1047p.pdf Size:30K _sanyo

Ordering number : ENN6572
2SB817P / 2SD1047P
2SB817P : PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SD1047P : NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SB817P / 2SD1047P
140V / 12A, AF80W Output Applications
Features
Package Dimensions
Capable of being mounted easily because of one- unit : mm
point fixing type plastic molded package (Inter-
2022A
changeable with TO-3).
[2SB817P / 2S

4.2. 2sb817.pdf Size:199K _jmnic

JMnic Product Specification
Silicon PNP Power Transistors 2SB817
DESCRIPTION
·With TO-3PN package
·Complement to type 2SD1047
APPLICATIONS
·140V/12A AF 60W output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Tc=25?)
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE

 4.3. 2sb817.pdf Size:222K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB817
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -140V(Min)
(BR)CEO
·Good Linearity of h
FE
·High Current Capability
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SD1047
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Recommend for 60W audio frequency amplifier output
stage

4.4. 2sb817e.pdf Size:195K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB817E
DESCRIPTION
·
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -140V(Min)
(BR)CEO
·Good Linearity of h
FE
·High Current Capability
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SD1047E
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for audio frequency

BC817-40W Datasheet (PDF)

1.1. bc817-40wt1g.pdf Size:66K _upd

BC817-40W
45 V, 0.5 A, General
Purpose NPN Transistor
ON Semiconductor’s BC817-40W is a General Purpose NPN
Transistor that is housed in the SC-70/SOT-323 package.
Features
www.onsemi.com
• AEC-Q101 Qualified and Consult Factory for PPAP Capable
• This Device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHS
COLLECTOR
Compliant
3
1
BASE
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)
Rating Symbo

1.2. bc817-40wt1.pdf Size:287K _willas

FM120-M
WILLAS
THRU
BC817-40WT1
General Purpose Transistors
FM1200-M
1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY
BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V
SOD-123 PACKAGE
Pb Free Product
Package outline
Features
• Batch process design, excellent power dissipation offers
better reverse leakage current and thermal resistance.
SOD-123H
• Low profile surface mounted application in order to
optimize boa

 1.3. lbc817-40wt1g.pdf Size:170K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
• We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
LBC817-40WT1G
• S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
S-LBC817-40WT1G
3
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
1
2
Collector–Emit

BC817W Datasheet (PDF)

1.1. bc817 bc817w bc337.pdf Size:236K _philips

BC817; BC817W; BC337
45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
Rev. 06 17 November 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
NPN general-purpose transistors.
Table 1. Product overview
Type number Package PNP complement
NXP JEITA
BC817 SOT23 — BC807
BC817W SOT323 SC-70 BC807W
BC337 SOT54 (TO-92) SC-43A BC327
Also available in SOT54A and SOT54 variant

1.2. bc817w 3.pdf Size:55K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D102
BC817W
NPN general purpose transistor
1999 Apr 15
Product specification
Supersedes data of 1997 Mar 05
Philips Semiconductors Product specification
NPN general purpose transistor BC817W
FEATURES PINNING
High current (max. 500 mA)
PIN DESCRIPTION
Low voltage (max. 45 V).
1 base
2 emitter
APPLICATIONS
3 collector
Gene

 1.3. bc817w.pdf Size:235K _secos

BC817 -16W, -25W, -40W
500 mA, 50 V
NPN Plastic Encapsulate Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
SOT-323
FEATURES
? For general AF applications
A
L
? High collector current
3
3
? High current gain
Top View C B
? Low collector-emitter saturation voltage
1
1 2
2
K E
PACKAGE INFORMATION
D
Wei

1.4. bc817w.pdf Size:35K _kec

SEMICONDUCTOR BC817W
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
E
FEATURES
M B M
Complementary to BC807W.
DIM MILLIMETERS
_
+
A 2.00 0.20
D
2
_
B 1.25 + 0.15
_
+
C 0.90 0.10
3
1
D 0.3+0.10/-0.05
_
E 2.10 + 0.20
MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 0.65
H 0.15+0.1/-0.06
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT J 1.30
K 0.00~0.10
V

 1.5. bc817w.pdf Size:1232K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
BC817W (KC817W)
■ Features
● For General AF Applications
● High Collector Current
● High Current Gain
● Low Collector-Emitter Saturation Voltage
● Complementary to BC807W
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 50
Collector — Emitter Volt

Цоколевка

Распиновку у РС817 определить несложно. Он изготавливается в четырехконтактном DIP-корпусе (DIP-4). Встречается как для поверхностного, так и для дырочного монтажа. Один из контактов отмечен вдавленной точкой, которая указывает на анод внутреннего светодиода. Ножки нумеруются против часовой стрелки. Следующим по счёту является катод. Третий и четвертый выводы соответственно: эмиттер и коллектор фототранзистора.

Последние версии устройства прошли успешное тестирование на соответствие международному стандарту безопасности UL1577 и классу воспламеняемости упаковки 94V-0

Биполярный транзистор BC817-40L — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC817-40L

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250

Корпус транзистора: SOT23

BC817-40L
Datasheet (PDF)

1.1. bc817-25lg bc817-40lg.pdf Size:570K _upd

BC817 SERIES
General Purpose Transistors
BC817-16/25/40LG
BC817-16LG,
BC817-25LG,BC817-40LG
SERIES
Features 3
• Pb-Free Packages are Available
1
2
Maximum Ratings
Rating Symbol Value Unit
SOT-23
Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V
Collector-Base Voltage VCBO 50 V
COLLECTOR
Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 V 3
Collector Current — Continuous IC 500 mAdc
1
BASE
2
EMITTER
Devi

1.2. bc817-16lt3g bc817-40lt3g.pdf Size:89K _upd

BC817-16L, SBC817-16L,
BC817-25L, SBC817-25L,
BC817-40L, SBC817-40L
General Purpose
Transistors
http://onsemi.com
NPN Silicon
COLLECTOR
Features 3
• S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications
Requiring Unique Site and Control Change Requirements; 1
BASE
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
2
Complian

 1.3. bc817-25lt1g bc817-40lt1g.pdf Size:125K _upd

BC817-16LT1G,
BC817-25LT1G,
BC817-40LT1G
General Purpose
Transistors
http://onsemi.com
NPN Silicon
COLLECTOR
Features 3
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
1
Compliant
BASE
2
EMITTER
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 V
3
Collector — Base Voltage VCBO 50 V
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 V
1
2
Collect

1.4. sbc817-40lt3g.pdf Size:89K _onsemi

BC817-16L, SBC817-16L,
BC817-25L, SBC817-25L,
BC817-40L, SBC817-40L
General Purpose
Transistors
http://onsemi.com
NPN Silicon
COLLECTOR
Features 3
• S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications
Requiring Unique Site and Control Change Requirements; 1
BASE
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
2
Complian

 1.5. sbc817-40lt1g.pdf Size:89K _onsemi

BC817-16L, SBC817-16L,
BC817-25L, SBC817-25L,
BC817-40L, SBC817-40L
General Purpose
Transistors
http://onsemi.com
NPN Silicon
COLLECTOR
Features 3
• S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications
Requiring Unique Site and Control Change Requirements; 1
BASE
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
2
Complian

1.6. lbc817-40lt1g.pdf Size:280K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
LBC817-16LT1G
LBC817-25LT1G
General Purpose Transistors
LBC817-40LT1G
NPN Silicon
S-LBC817-16LT1G
S-LBC817-25LT1G
• We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
• S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and
S-LBC817-40LT1G
Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
3
MA

Другие транзисторы… BC327-025
, BC337-025
, BC337-040
, BC807-16L
, BC807-25L
, BC807-40L
, BC817-16L
, BC817-25L
, 2SC5200
, BC846AL
, BC846BL
, BC846BM3T5G
, BC846BPDW1
, BC846C
, BC847AL
, BC847BDW1
, BC847BL
.

Биполярный транзистор KTB817B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KTB817B

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора: TO3P(N)-E

KTB817B
Datasheet (PDF)

1.1. ktb817b.pdf Size:688K _kec

SEMICONDUCTOR KTB817B
TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR
HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.
FEATURES
·Complementary to KTD1047B.
·Recommended for 60W Audio Frequency
Amplifier Output Stage.
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
VCBO -160 V
Collector-Base Voltage
VCEO -140 V
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage -6 V
IC
DC -12
C

4.1. ktb817.pdf Size:392K _kec

SEMICONDUCTOR KTB817
TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR
HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.
A Q B
K
FEATURES
Complementary to KTD1047.
Recommended for 60W Audio Frequency
DIM MILLIMETERS
Amplifier Output Stage.
A 15.9 MAX
B 4.8 MAX
_
C 20.0 + 0.3
_
D 2.0 + 0.3
D
d 1.0+0.3/-0.25
E 2.0
F 1.0
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
G 3.3 MAX
d
H 9.0
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING

Другие транзисторы… KTB2234
, KTB2510
, KTB2530
, KTB598
, KTB631K
, KTB688B
, KTB764
, KTB772
, 2SC2625
, KTB985
, KTC1815
, KTC2020D
, KTC2020L
, KTC2022D
, KTC2022L
, KTC2025D
, KTC2025L
.

Биполярный транзистор KT817A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT817A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

KT817A
Datasheet (PDF)

1.1. kt817a-b-v-g.pdf Size:699K _russia

5.1. kt8170.pdf Size:195K _integral

КТ8170
высоковольтный биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в
импульсных источниках питания, пускорегули

5.2. kt817.pdf Size:225K _integral

КТ817
n-p-n кремниевый
биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в
ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной апп

 5.3. kt8177.pdf Size:196K _integral

КТ8177
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

5.4. kt8176.pdf Size:196K _integral

КТ8176
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

KTB817B Datasheet (PDF)

1.1. ktb817b.pdf Size:688K _kec

SEMICONDUCTOR KTB817B
TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR
HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.
FEATURES
·Complementary to KTD1047B.
·Recommended for 60W Audio Frequency
Amplifier Output Stage.
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
VCBO -160 V
Collector-Base Voltage
VCEO -140 V
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage -6 V
IC
DC -12
C

4.1. ktb817.pdf Size:392K _kec

SEMICONDUCTOR KTB817
TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR
HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.
A Q B
K
FEATURES
Complementary to KTD1047.
Recommended for 60W Audio Frequency
DIM MILLIMETERS
Amplifier Output Stage.
A 15.9 MAX
B 4.8 MAX
_
C 20.0 + 0.3
_
D 2.0 + 0.3
D
d 1.0+0.3/-0.25
E 2.0
F 1.0
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
G 3.3 MAX
d
H 9.0
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING

Биполярный транзистор A817 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: A817

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

Корпус транзистора: TO92L

A817
Datasheet (PDF)

1.1. sia817edj.pdf Size:319K _upd-mosfet

New Product
SiA817EDJ
Vishay Siliconix
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET
Qg
• Thermally Enhanced PowerPAK
VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)
(Typ.)
SC-70 Package
0.065 at VGS = — 10 V — 4.5a
— Small Footprint Area
0.080 at VGS = — 4.5 V — 4.5a
— Low On-Resistance
— 30
0.092 at VGS = — 3.7

1.2. 2sa817a.pdf Size:173K _toshiba



 1.3. 2sa817.pdf Size:209K _toshiba

2SA817
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA817
Audio Frequency Amplifier Applications
Unit: mm
• Complementary to 2SC1627.
• Suitable for driver of 20~25 watts audio amplifiers.
Maximum Ratings (Ta =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO -80 V
Collector-emitter voltage VCEO -80 V
Emitter-base voltage VEB

1.4. 2sa817a to-92mod.pdf Size:232K _lge

2SA817A
TO-92MOD Transistor (PNP)
TO-92MOD
1. EMITTER
1
2
2. COLLECTOR
3
3. BASE
5.800
6.200
Features 8.400
8.800
Complementary to 2SC1627A.
0.900
1.100
Driver Stage Application of 30 to
0.400
0.600
35 Watts Amplifiers.
13.800
14.200
1.500 TYP
2.900 Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
3.100
0.000 1.600
Sym

 1.5. a817.pdf Size:244K _fgx

风光欣技术资料
A817
—PNP silicon —
■■APPLICATION: General Purpose Applications.
■■MAXIMUM RATINGS（Ta＝25℃）
PARAMETER SYMBOL RATING UNIT
Collector-base voltage VCBO -80 V
Collector-emitter voltage VCEO -80 V
TO-92L
1
Emitter-base voltage VEBO -5 V
1. Emitter 2. Collector 3. Base
Collector current IC -0.4 A
Collector Power Dissipation PC 0.8 W
Junction Te

Другие транзисторы… A1663
, A2071
, A327A
, A3355
, A708
, A720
, A751
, A773
, S9018
, A838
, A844
, A9015
, A928A
, A931
, A933
, A933AS
, A940
.

Биполярный транзистор KT817B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT817B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

KT817B
Datasheet (PDF)

5.1. kt817a-b-v-g.pdf Size:699K _russia

5.2. kt8170.pdf Size:195K _integral

КТ8170
высоковольтный биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в
импульсных источниках питания, пускорегули

 5.3. kt817.pdf Size:225K _integral

КТ817
n-p-n кремниевый
биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в
ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной апп

5.4. kt8177.pdf Size:196K _integral

КТ8177
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

 5.5. kt8176.pdf Size:196K _integral

КТ8176
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

BC817DS Datasheet (PDF)

1.1. bc817ds.pdf Size:215K _upd

 DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D302
BC817DS
NPN general purpose double
transistor
Product data sheet 2002 Nov 22
Supersedes data of 2002 Aug 09
NXP Semiconductors Product data sheet
NPN general purpose double transistor BC817DS
FEATURES QUICK REFERENCE DATA
• High current (500 mA)
SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
• 600 mW total power dissipation
VCEO colle

1.2. bc817ds.pdf Size:128K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D302
BC817DS
NPN general purpose double
transistor
Product data sheet 2002 Nov 22
Supersedes data of 2002 Aug 09
NXP Semiconductors Product data sheet
NPN general purpose double transistor BC817DS
FEATURES QUICK REFERENCE DATA
High current (500 mA)
SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
600 mW total power dissipation
VCEO collector-em

 4.1. bc817dpn.pdf Size:149K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D302
BC817DPN
NPN/PNP general purpose
transistor
Product data sheet 2002 Nov 22
Supersedes data of 2002 Aug 09
NXP Semiconductors Product data sheet
NPN/PNP general purpose transistor BC817DPN
FEATURES QUICK REFERENCE DATA
High current (500 mA)
SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
600 mW total power dissipation
VCEO collector-emitte