Транзистора 2sa1015 (a1015)

Производители

DataSheet от транзистора S9012 можно скачать от фирм которые занимаются их производством: SeCoS Halbleitertechnologie, Galaxy Semi-Conductor Holdings, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Jiangsu High diode Semiconductor, KEC Semiconductor, Weitron Technology, Nanjing International Group, Tiger Electronic, SHENZHEN SLS TECHNOLOGY, Diode Semiconductor Korea, Daya Electric Group, SHIKE Electronics, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, Shenzhen Jin Yu Semiconductor.

На отечественном рынке данные изделия представлены несколькими конторами: Weitron Technology, KEC Semiconductor.

2SC1815GR Datasheet (PDF)

3.1. 2sc1815lt1.pdf Size:122K _update

2SC1815LT1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Package:SOT-23
* Complement to 2SA1015
* Collector Current :Ic=150mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25℃
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage Vcbo 60 V
Collector-Emitter Voltage Vceo 50 V
Emitter-Base Voltage Vebo 5 V
PIN: 1 2 3
Collector Current Ic 150 mA
STYLE
Collector Dissipation Ta=25℃* PD 225 mW
NO

3.2. 2sc1815-bl-gr-o-y.pdf Size:368K _update

2SC1815-O
MCC
2SC1815-Y
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
2SC1815-GR
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
2SC1815-BL
Fax: (818) 701-4939
Features
• 2SC1815 is NPN Silicon Epitaxial Transistor Designed for RF, AF
NPN Silicon
Amplifier and General Purpose Applications.
• Capable of 0.4Watts of Power Dissipation.
Epitaxial

 3.3. 2sc1815-t.pdf Size:213K _toshiba



3.4. 2sc1815l.pdf Size:308K _toshiba

2SC1815(L)
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC1815(L)
Audio Frequency Voltage Amplifier Applications
Unit: mm
Low Noise Amplifier Applications
• High breakdown voltage, high current capability
: V = 50 V (min), I = 150 mA (max)
CEO C
• Excellent linearity of h
FE
: hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA
: h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA)

 3.5. 2sc1815.pdf Size:272K _toshiba

2SC1815
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC1815
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
Unit: mm
Driver Stage Amplifier Applications
High voltage and high current: VCEO = 50 V (min),
IC = 150 mA (max)
• Excellent hFE linearity: hFE (2) = 100 (typ.)
at VCE = 6 V, IC = 150 mA
: hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA)
= 0.95 (typ.)

3.6. 2sc1815.pdf Size:227K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SC1815 NPN SILICON TRANSISTOR
AUDIO FREQUENCY
AMPLIFIER HIGH
FREQUENCY OSC
NPN
TRANSISTOR
? FEATURES
* Collector-Emitter voltage:
BV =50V
CEO
* Collector current up to 150mA
* High h linearity
FE
* Complimentary to UTC 2SA1015
? SYMBOL
? ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2

3.7. 2sc1815-m.pdf Size:168K _microelectronics

3.8. 2sc1815.pdf Size:175K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Transistor 2SC1815
DESCRIPTION
·High Voltage and High Current
Vceo=50V(Min.)
,Ic=150mA(Max)
·Excellent hFE Linearity
·Low Noise
·Complement to Type 2SA1015(O,Y,GR class)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Audio frequency general purpose amplifier Applications
·Driver sta

3.9. 2sc1815m.pdf Size:729K _blue-rocket-elect

2SC1815M(BR3DG1815M)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
耐压高,电流大,有极好的 h 特性,低噪声系数。
FE
High voltage and high current, excellent hFE linearity ,low noise.
用途 / Applications
用于普通低频放大,激励级放大

3.10. 2sc1815.pdf Size:959K _kexin

SMD Type or
SMD Type TransistICs
NPN Transistors
2SC1815
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
0.4+0.1
-0.1
3
Features
Power dissipation 1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector to Base Voltage VCBO 60 V
Collector to Emitter Voltage VCEO 50 V
Emitter to Base Voltage VEBO 5

2SA1815 Datasheet (PDF)

1.1. 2sa1815.pdf Size:70K _sanyo

Ordering number:EN4625
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SA1815
FM, RF, MIX, IF Amplifier, High-Frequency
General-Purpose Amplifier Applications
Features Package Dimensions
High power gain : PG=25dB (f=100MHz).
unit:mm
High cutoff frequency ; fT=750MHz typ.
2018A
Low collector-to-emitter saturation voltage.

Complementary pair with the 2SC4432.
C : Collecto

1.2. 2sa1815.pdf Size:903K _kexin

SMD Type Transistors
PNP Transistors
2SA1815
SOT-23
Unit: mm
2.9+0.1
-0.1
+0.1
0.4 -0.1
■ Features 3
● High power gain : PG=25dB (f=100MHz).
● High cutoff frequency ; fT=750MHz typ.
● Low collector-to-emitter saturation voltage. 1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
● Complementary pair with the 2SC4432.
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Max

 4.1. 2sa1811.pdf Size:173K _toshiba



4.2. 2sa1814.pdf Size:84K _sanyo

Ordering number:EN3973
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SA1814
Low-Frequency General-Purpose Amplifier
Driver, Muting Circuit Applications
Features Package Dimensions
Very small-sized package permitting 2SA1814-
unit:mm
applied sets to be made smaller and slimmer.
2018B
Adoption of FBET process.

High DC current gain (hFE=500 to 1200).
Low collector-to-emi

 4.3. 2sa1813.pdf Size:83K _sanyo

Ordering number:EN3972
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SA1813
Low-Frequency General-Purpose Amplifier
Driver, Muting Circuit Applications
Features Package Dimensions
Very small-sized package permitting 2SA1813-
unit:mm
applied sets to be made smaller and slimmer.
2059A
Adoption of FBET process.

High DC current gain (hFE=500 to 1200).
Low collector-to-emi

4.4. 2sa1812 2sa1727 2sa1776.pdf Size:250K _rohm

2SA1812 / 2SA1727 / 2SA1776
Transistors
High-voltage Switching Transistor
( 400V, 0.5A)
2SA1812 / 2SA1727 / 2SA1776
Features
1) High breakdown voltage, BVCEO= 400V.
2) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = 0.3V at IC / IB = 100mA / 10mA.
3) High switching speed, typically tf : 1 s at IC = 100mA.
4) Wide SOA (safe operating area).
Absolute maximum ratings (Ta=25C)
Parameter Sy

 4.5. 2sa1812.pdf Size:27K _rohm

Transistors 2SA1812 / 2SA1727 / 2SA1776
(96-609-A313)
320

4.6. 2sa1816 e.pdf Size:25K _panasonic

Transistor
2SA1816(Tentative)
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency high breakdown voltage amplification
Unit: mm
4.0 0.2
Features
High collector to emitter voltage VCEO.
Absolute Maximum Ratings (Ta=25?C)
marking
Parameter Symbol Ratings Unit
1 2 3
Collector to base voltage VCBO 150 V
Collector to emitter voltage VCEO 150 V
Emitter to base voltage VEBO 5 V
1.27 1.

4.7. 2sa1816.pdf Size:21K _panasonic

Transistor
2SA1816(Tentative)
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency high breakdown voltage amplification
Unit: mm
4.0 0.2
Features
High collector to emitter voltage VCEO.
Absolute Maximum Ratings (Ta=25?C)
marking
Parameter Symbol Ratings Unit
1 2 3
Collector to base voltage VCBO 150 V
Collector to emitter voltage VCEO 150 V
Emitter to base voltage VEBO 5 V
1.27 1.

4.8. 2sa1810.pdf Size:32K _hitachi

2SA1810
Silicon PNP Epitaxial
Application
High frequency amplifier
Features
Excellent high frequency characteristics
fT = 300 MHz typ
High voltage and low output capacitance
VCEO = 200 V, Cob = 5.0 pF typ
Suitable for wide band video amplifier
Outline
TO-126 MOD
1. Emitter
2. Collector
3. Base
1
2
3
2SA1810
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit

4.9. 2sa1812.pdf Size:1133K _kexin

SMD Type Transistors
PNP Transistors
2SA1812
1.70 0.1
■ Features
● High breakdown voltage, BVCEO=-400V.
● High switching speed, typically tf :1us at IC =-100mA.
0.42 0.1
0.46 0.1
●High-voltage Switching Transistor
1.Base
2.Collector
3.Emitter
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO -400
Collector — Emitter V

4.10. 2sa1813.pdf Size:1036K _kexin

SMD Type Transistors
PNP Transistors
2SA1813
■ Features
● High DC current gain (hFE=500 to 1200).
● Low collector-to-emitter saturation voltage
● High VEBO
1 Base
2 Emitter
3 Colletor
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO -30
Collector — Emitter Voltage VCEO -25 V
Emitter — Base Voltage VEBO -15
Collector

Технические характеристики

Как уже писалось ранее, неплохие технические характеристики КТ827А обеспечиваются его составной структурой. Как известно коэффициент усиления по току (h21Э) в такой схеме очень высокий. Фактически он представляет собой произведение h21Э двух транзисторов находящихся в ней. В нашем случае h21Э находится в диапазоне от 750 до 18000, а его типовое значение для большинства подобных устройств составляет около 5000.

Рассмотрим подробнее предельно допустимые режимы эксплуатации КТ827А:

  • напряжение между выводами: К-Э постоянное до 100 В (при RЭБ  = 1 кОм); К-Э импульсное до 100 В (при tФ=2 мкс); Э-Б до 5 В;
  • ток коллектора (IК): постоянный до 20 А; импульсный до 40 А;
  • ток базы до 500 мА;
  • мощность рассеиваемая на коллекторе (PК макс) до 125 Вт (при TК от -60 до +25 оС);
  • температура p-n-перехода (ТК) до +200 оС;
  • тепловое сопротивление кристалл-корпус (RТ П-К) до 4 °С/Вт (при UКЭ= 10 В, IК = 12.5 А);
  • диапазон рабочих температур вокруг корпуса (TОКР.) от -60 до +100 °C.

Превышение предельных значений или длительная эксплуатация в максимальных режимах приводит к выходу устройства из строя. Для расчета предельно возможной PК макс, при превышении TК более 25 оС, используют следующую формулу PК макс = (200-ТК)/1.4 Вт.

Электрические

Теперь приведем таблицу электрических параметров КТ827А. В ней указаны минимальные и максимальных значения характеристик для этого транзистора с учетом различных режимов измерений, при выпуске устройства производителем. Температура ТК, при этом составляет не более 25 оС.

Аналоги

Для КТ827А очень сложно найти аналог как среди отечественных, так и импортных компонентов. Полностью идентичных транзисторов с соответствующими физическими и электрическими свойствами не существует. На многих интернет-форумах возможной заменой указывают TIP142 (STMicroelectronics). Он похож по своей мощности (до 125 Вт) и типу корпуса, однако имеет меньший максимальный коллекторный ток 10 А и напряжение насыщения К-Э -3 В

Из российских аналогов рекомендуем обратить внимание на КТ8105А, но его найти в продаже проблематично

В связи с трудностями в поисках достойной замены, многие радиолюбители прибегают к использованию вместо КТ827А его эквивалентной схемы. Состав её радиоэлектронных компонентов небольшой. Пару Дарлингтона составляют два биполярных транзистора из серии КТ815 и КТ819. Маломощный диод Д223А можно заменить на импульсные КД521 или КД522.

Применение

Наиболее часто, в советский период, КТ3107 использовался в изделиях для проигрывания грампластинок и различных усилителях звука совместно с КТ3102. Эту парочку и сейчас можно встретить в различных популярных схемах радиолюбителей: микрофонного усилителя, радиомикрофона, усилителя для наушников и др. КТ3107 используют не только в устройствах усиления сигнала и схемах генераторов сигнала. Благодаря тому, что они могут работать в режимах насыщения и отсечки, их применяют в качестве электронных ключей. Пример  использовании устройства в таком режиме посмотрите в видео.

Основные технические характеристики

Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:

  • Тип проводимости транзистора NPN;
  • Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
  • Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
  • Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
  • Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
  • Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
  • Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft)100 МГц (MHz)
  • Максимально допустимое обратное напряжении на коллекторном переходе (Collector-Base Voltage) U КБ макс .(VCBО ) не более 40 В (V);
  • Коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) от 85 до 300 hFE;
  • Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО(ICBO) у транзистора S8050 не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
  • Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40 В (V) и отключенном эммитере (IЭ (IE)=0);
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) от — 65 до +150 градусов (C).

Аналоги и описание

Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.

Полезная информация:

  • Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
  • Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
  • Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
  • Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.

Применение

Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:

  • Реле;
  • Светодиоды;
  • Лампочками и т.д.

Где и как мы можем использовать ?
Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.

Биполярный транзистор 2SC1815BL — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC1815BL

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500

Корпус транзистора: TO92

2SC1815BL
Datasheet (PDF)

3.1. 2sc1815lt1.pdf Size:122K _update

2SC1815LT1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Package:SOT-23
* Complement to 2SA1015
* Collector Current :Ic=150mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25℃
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage Vcbo 60 V
Collector-Emitter Voltage Vceo 50 V
Emitter-Base Voltage Vebo 5 V
PIN: 1 2 3
Collector Current Ic 150 mA
STYLE
Collector Dissipation Ta=25℃* PD 225 mW
NO

3.2. 2sc1815-bl-gr-o-y.pdf Size:368K _update

2SC1815-O
MCC
2SC1815-Y
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
2SC1815-GR
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
2SC1815-BL
Fax: (818) 701-4939
Features
• 2SC1815 is NPN Silicon Epitaxial Transistor Designed for RF, AF
NPN Silicon
Amplifier and General Purpose Applications.
• Capable of 0.4Watts of Power Dissipation.
Epitaxial

 3.3. 2sc1815-t.pdf Size:213K _toshiba



3.4. 2sc1815l.pdf Size:308K _toshiba

2SC1815(L)
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC1815(L)
Audio Frequency Voltage Amplifier Applications
Unit: mm
Low Noise Amplifier Applications
• High breakdown voltage, high current capability
: V = 50 V (min), I = 150 mA (max)
CEO C
• Excellent linearity of h
FE
: hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA
: h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA)

 3.5. 2sc1815.pdf Size:272K _toshiba

2SC1815
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC1815
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
Unit: mm
Driver Stage Amplifier Applications
High voltage and high current: VCEO = 50 V (min),
IC = 150 mA (max)
• Excellent hFE linearity: hFE (2) = 100 (typ.)
at VCE = 6 V, IC = 150 mA
: hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA)
= 0.95 (typ.)

3.6. 2sc1815.pdf Size:227K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SC1815 NPN SILICON TRANSISTOR
AUDIO FREQUENCY
AMPLIFIER HIGH
FREQUENCY OSC NPN
TRANSISTOR
? FEATURES
* Collector-Emitter voltage:
BV =50V
CEO
* Collector current up to 150mA
* High h linearity
FE
* Complimentary to UTC 2SA1015
? SYMBOL
? ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2

3.7. 2sc1815-m.pdf Size:168K _microelectronics

3.8. 2sc1815.pdf Size:175K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Transistor 2SC1815
DESCRIPTION
·High Voltage and High Current
Vceo=50V(Min.)
,Ic=150mA(Max)
·Excellent hFE Linearity
·Low Noise
·Complement to Type 2SA1015(O,Y,GR class)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Audio frequency general purpose amplifier Applications
·Driver sta

3.9. 2sc1815m.pdf Size:729K _blue-rocket-elect

2SC1815M(BR3DG1815M)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
耐压高,电流大,有极好的 h 特性,低噪声系数。
FE
High voltage and high current, excellent hFE linearity ,low noise.
用途 / Applications
用于普通低频放大,激励级放大

3.10. 2sc1815.pdf Size:959K _kexin

SMD Type or
SMD Type TransistICs
NPN Transistors
2SC1815
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
0.4+0.1
-0.1
3
Features
Power dissipation 1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector to Base Voltage VCBO 60 V
Collector to Emitter Voltage VCEO 50 V
Emitter to Base Voltage VEBO 5

Другие транзисторы… 2SC181
, 2SC1810
, 2SC1811
, 2SC1811-1
, 2SC1811-2
, 2SC1812
, 2SC1813
, 2SC1815
, BC337
, 2SC1815GR
, 2SC1815LB
, 2SC1815LG
, 2SC1815LO
, 2SC1815LY
, 2SC1815O
, 2SC1815Y
, 2SC1816
.

2SC1815BL Datasheet (PDF)

3.1. 2sc1815lt1.pdf Size:122K _update

2SC1815LT1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Package:SOT-23
* Complement to 2SA1015
* Collector Current :Ic=150mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25℃
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage Vcbo 60 V
Collector-Emitter Voltage Vceo 50 V
Emitter-Base Voltage Vebo 5 V
PIN: 1 2 3
Collector Current Ic 150 mA
STYLE
Collector Dissipation Ta=25℃* PD 225 mW
NO

3.2. 2sc1815-bl-gr-o-y.pdf Size:368K _update

2SC1815-O
MCC
2SC1815-Y
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
2SC1815-GR
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
2SC1815-BL
Fax: (818) 701-4939
Features
• 2SC1815 is NPN Silicon Epitaxial Transistor Designed for RF, AF
NPN Silicon
Amplifier and General Purpose Applications.
• Capable of 0.4Watts of Power Dissipation.
Epitaxial

 3.3. 2sc1815-t.pdf Size:213K _toshiba



3.4. 2sc1815l.pdf Size:308K _toshiba

2SC1815(L)
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC1815(L)
Audio Frequency Voltage Amplifier Applications
Unit: mm
Low Noise Amplifier Applications
• High breakdown voltage, high current capability
: V = 50 V (min), I = 150 mA (max)
CEO C
• Excellent linearity of h
FE
: hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA
: h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA)

 3.5. 2sc1815.pdf Size:272K _toshiba

2SC1815
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC1815
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
Unit: mm
Driver Stage Amplifier Applications
High voltage and high current: VCEO = 50 V (min),
IC = 150 mA (max)
• Excellent hFE linearity: hFE (2) = 100 (typ.)
at VCE = 6 V, IC = 150 mA
: hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA)
= 0.95 (typ.)

3.6. 2sc1815.pdf Size:227K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SC1815 NPN SILICON TRANSISTOR
AUDIO FREQUENCY
AMPLIFIER HIGH
FREQUENCY OSC NPN
TRANSISTOR
? FEATURES
* Collector-Emitter voltage:
BV =50V
CEO
* Collector current up to 150mA
* High h linearity
FE
* Complimentary to UTC 2SA1015
? SYMBOL
? ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2

3.7. 2sc1815-m.pdf Size:168K _microelectronics

3.8. 2sc1815.pdf Size:175K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Transistor 2SC1815
DESCRIPTION
·High Voltage and High Current
Vceo=50V(Min.)
,Ic=150mA(Max)
·Excellent hFE Linearity
·Low Noise
·Complement to Type 2SA1015(O,Y,GR class)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Audio frequency general purpose amplifier Applications
·Driver sta

3.9. 2sc1815m.pdf Size:729K _blue-rocket-elect

2SC1815M(BR3DG1815M)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
耐压高,电流大,有极好的 h 特性,低噪声系数。
FE
High voltage and high current, excellent hFE linearity ,low noise.
用途 / Applications
用于普通低频放大,激励级放大

3.10. 2sc1815.pdf Size:959K _kexin

SMD Type or
SMD Type TransistICs
NPN Transistors
2SC1815
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
0.4+0.1
-0.1
3
Features
Power dissipation 1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector to Base Voltage VCBO 60 V
Collector to Emitter Voltage VCEO 50 V
Emitter to Base Voltage VEBO 5

Распиновка

Цоколевка IRFP064N следующая. Почти все производители выпускают устройство в не изолированном пластиковом ТО-247 для монтажа в отверстия, который имеет большую площадь контакта с радиатором. В нем улучшена мощность рассеивания по сравнению со стандартным ТО-220 и устаревшим ТО-218. Расположение выводов, если смотреть на транзистор со стороны маркировки будет такое: первая ножка затвор, вторая сток, третья исток. Между стоком и истоком располагается паразитный диод, характерный для всех MOSFET данного типа.

Приведенное выше расположение выводов характерно и для большинства транзисторов Vishay. У этой компании своя усовершенствованная модификация упаковки ТО-247AC, c не изолированным монтажным отверстием. В других корпусах данное устройство не выпускается.

Стоит отметить, что полупроводниковый кристалл у TO-247 расположен на металлической теплоотводящей поверхности корпуса. Она соединена со стоком (у MOSFET), и в некоторых схемах электрически изолируется от заземленного радиатора с помощью слюды или полимерной шайбы. Для лучшего контакта в таком соединении, на заднюю часть ТО-247 наносится тонкий слой теплопроводящей пасты.

Основные технические характеристики

У транзисторов серии C945 представлены такие технические характеристики (при температуре окружающей среды +25 °C,):

физические:

  • принцип действия – биполярный;
  • корпус ТО-92, SOT-23;
  • материал корпуса – пластмасса;
  • материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) Si;

электрические:

  • проводимость – обратная (n-p-n);
  • максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,15 А или 150 мА (mA);
  • максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U КЭ макс. (VCEmax) не более 50 В (V);
  • максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) UКБ макс. (VCBmax) не более 60 В (V);
  • максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) UЭБ макс (VЕВ max) не более 5 В (V);
  • напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Collector-emitter saturation voltage) UКЭ.нас. (VCEsat) не более 0.3 В (V);
  • граничная частота передачи тока (Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft) от 100 до 450 МГц (MHz), при U КЭ = 6 В (V), IK = 10 мА (mA);
  • максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0.01 мкА (µA), при U КБ макс. (VCBО ) = 60 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
  • максимальный обратный ток эммитера (Emmiter Cutoff Current) IЭБО (IEBO) не более 0.01 мкА (µA), при U EБ макс. (VEBО ) = 5 В (V) и отключенном коллекторе (ток коллектора IК (IС)=0);
  • максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) PK макс. (PC) 0,400 Вт (Watt) или 400 мВт (mW);
  • максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) Tхран. (Tstr) от — 55 до + 150 °C.
  • Коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) при UКЭ макс = 6 В (V) и IK макс  = 1 мА (mA) находится в пределах от 70 до 700 Hfe.

Классификация по Hfe

НаименованиеКоэффициент Hfe
С945-Y120-240
С945-O70-140
С945-R90-180
С945-Q135-270
С945-P200-400
C945-K300-600
C945-G200-400
C945-GR200-400
C945-BL350-700
C945-L (SOT-23)120-200
C945-H (SOT-23)200-400

Точное значение Hfeсмотрите в даташите производителя, предварительно посмотрев буквы находящиеся в конце маркировки транзистора. Например у c945O Electronic Manufacturer Hfe характеристика находится в пределах от 70-140, а у С945R Stanson Technology от 90-180.

Биполярный транзистор 2SC1815GR — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC1815GR

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300

Корпус транзистора: TO92

2SC1815GR
Datasheet (PDF)

3.1. 2sc1815lt1.pdf Size:122K _update

2SC1815LT1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Package:SOT-23
* Complement to 2SA1015
* Collector Current :Ic=150mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25℃
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage Vcbo 60 V
Collector-Emitter Voltage Vceo 50 V
Emitter-Base Voltage Vebo 5 V
PIN: 1 2 3
Collector Current Ic 150 mA
STYLE
Collector Dissipation Ta=25℃* PD 225 mW
NO

3.2. 2sc1815-bl-gr-o-y.pdf Size:368K _update

2SC1815-O
MCC
2SC1815-Y
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
2SC1815-GR
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
2SC1815-BL
Fax: (818) 701-4939
Features
• 2SC1815 is NPN Silicon Epitaxial Transistor Designed for RF, AF
NPN Silicon
Amplifier and General Purpose Applications.
• Capable of 0.4Watts of Power Dissipation.
Epitaxial

 3.3. 2sc1815-t.pdf Size:213K _toshiba



3.4. 2sc1815l.pdf Size:308K _toshiba

2SC1815(L)
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC1815(L)
Audio Frequency Voltage Amplifier Applications
Unit: mm
Low Noise Amplifier Applications
• High breakdown voltage, high current capability
: V = 50 V (min), I = 150 mA (max)
CEO C
• Excellent linearity of h
FE
: hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA
: h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA)

 3.5. 2sc1815.pdf Size:272K _toshiba

2SC1815
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC1815
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
Unit: mm
Driver Stage Amplifier Applications
High voltage and high current: VCEO = 50 V (min),
IC = 150 mA (max)
• Excellent hFE linearity: hFE (2) = 100 (typ.)
at VCE = 6 V, IC = 150 mA
: hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA)
= 0.95 (typ.)

3.6. 2sc1815.pdf Size:227K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SC1815 NPN SILICON TRANSISTOR
AUDIO FREQUENCY
AMPLIFIER HIGH
FREQUENCY OSC NPN
TRANSISTOR
? FEATURES
* Collector-Emitter voltage:
BV =50V
CEO
* Collector current up to 150mA
* High h linearity
FE
* Complimentary to UTC 2SA1015
? SYMBOL
? ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2

3.7. 2sc1815-m.pdf Size:168K _microelectronics

3.8. 2sc1815.pdf Size:175K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Transistor 2SC1815
DESCRIPTION
·High Voltage and High Current
Vceo=50V(Min.)
,Ic=150mA(Max)
·Excellent hFE Linearity
·Low Noise
·Complement to Type 2SA1015(O,Y,GR class)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Audio frequency general purpose amplifier Applications
·Driver sta

3.9. 2sc1815m.pdf Size:729K _blue-rocket-elect

2SC1815M(BR3DG1815M)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
耐压高,电流大,有极好的 h 特性,低噪声系数。
FE
High voltage and high current, excellent hFE linearity ,low noise.
用途 / Applications
用于普通低频放大,激励级放大

3.10. 2sc1815.pdf Size:959K _kexin

SMD Type or
SMD Type TransistICs
NPN Transistors
2SC1815
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
0.4+0.1
-0.1
3
Features
Power dissipation 1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector to Base Voltage VCBO 60 V
Collector to Emitter Voltage VCEO 50 V
Emitter to Base Voltage VEBO 5

Другие транзисторы… 2SC1810
, 2SC1811
, 2SC1811-1
, 2SC1811-2
, 2SC1812
, 2SC1813
, 2SC1815
, 2SC1815BL
, TIP31
, 2SC1815LB
, 2SC1815LG
, 2SC1815LO
, 2SC1815LY
, 2SC1815O
, 2SC1815Y
, 2SC1816
, 2SC1816H
.

Цоколевка

Распиновка IRFZ24N у большинства производителей выполнена в стандартном пластиковом корпусе ТО-220AB, с максимальной рассеиваемой мощностью около 50 Вт. Благодаря низкому тепловому сопротивлению и невысокой стоимости эта упаковка завоевала широкое распространение. Расположение выводов показано на рисунке. Цифрой 1 обозначен затвор (G), под номером 2 – сток (D), 3 – исток (S). Радиатор имеет характерное отверстие для крепления устройства на печатную плату и физический контакт со стоком.

На российском рынке встречаются и более совершенные транзисторы данного типа. Таким устройством является IRFZ24N, также в корпусе ТО220AB, от компании Philips Semiconductor. Они отличаются от классических тем, что выпускаются с применением так называемой «траншейной» технологии  (Trench MOSFET) и имеют в сравнении с ними немного лучшие характеристики. Например, сопротивление открытого n-канала у них меньше, чем у обычного планарного полевого транзистора MOSFET. Кроме того предусмотрена защита от электростатических разрядов, при использовании в импульсных источниках питания до 2 кВ.

Маркировка

Первые советские транзисторы серии кт3107 появились в 1977 году и маркировка у них была цветовая состоящая из четырех цветных точек. В последующем, с 1986 года использовалась кодовая маркировка.

Цветовая

На скошенной части корпуса, в верхнем левом углу будет нанесена светло-голубая точка. Цвет точки правее определяет групповую принадлежность: розовый – “а”; жёлтый – “б”; синий – “в”; бежевый –“г”; оранжевый – “д”; электрик – “e”; салатный – “ж”; зелёный – “и”; красный – “к”; серый – “л”. В нижней части цветовыми точками указывалась дата выпуска: месяц и год. Пример цветовой маркировки транзистора КТ3107А 1977 года выпуска.

Кодовая

Буквы и фигуры, согласно стандартной кодовой маркировке, наносятся белым цветом. КТ3107 обозначен белым равнобедренным треугольником, на скошенной стороне корпуса, сверху слева. Правее от фигуры буквой указана группа. В нижней части год выпуска и месяц соответственно. Месяц и год указывается цифрой или латинской буквой.

Нестандартная

Встречается и нестандартная цветовая и кодовая маркировки. При кодовой никаких особых правил нет. Просто надо запомнить, как транзистор выглядит в таких случаях.

В настоящее время, производители указывают на корпусе полное наименование модели и дату изготовления в соответствии с ГОСТ25486-82 и ТУ бКО.347.098 ТУ1.

Для определения версии транзисторов по информации на корпусе многие радиолюбители используют программу Color and Code 9.3.

Оцените статью:
Оставить комментарий
Adblock
detector