Даташит sb3045st pdf ( datasheet )

Миниатюризация

С развитием микроэлектроники стали широко применяться специальные микросхемы, однокристальные микропроцессоры. Все это не исключает использования навесных элементов. Однако если для этой цели использовать радиоэлементы обычных размеров, то это сведет на нет всю идею миниатюризации в целом. Поэтому были разработаны бескорпусные элементы – smd компоненты, которые в 10 и более раз меньше обычных деталей. ВАХ таких компонентов ничем не отличается от ВАХ обычных приборов, а их уменьшенные размеры позволяют использовать такие запчасти в различных микросборках.

Компоненты smd имеют несколько типоразмеров. Для ручной пайки подходят smd размера 1206. Они имеют размер 3,2 на 1,6 мм, что позволяет их впаивать самостоятельно. Другие элементы smd более миниатюрные, собираются на заводе специальным оборудованием, и самому, в домашних условиях, их паять невозможно.

Принцип работы smd компонента также не отличается от его большого аналога, и если, к примеру, рассматривать ВАХ диода, то она в одинаковой степени будет подходить для полупроводников любого размера. По току изготавливаются от 1 до 10 ампер. Маркировка на корпусе часто состоит из цифрового кода, расшифровка которого приводится в специальных таблицах. Протестировать на пригодность их можно тестером, как и большие аналоги.

NTMFS4119N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: NTMFS4119N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 6.1
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 30
A

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0023
Ohm

Тип корпуса: SO8FL, DFN5

NTMFS4119N
Datasheet (PDF)

1.1. ntmfs4119nt1g.pdf Size:124K _update-mosfet

NTMFS4119N
Power MOSFET
30 V, 30 A, Single N-Channel,
SO-8 Flat Lead
Features
• Low RDS(on)
http://onsemi.com
• Fast Switching Times
• Low Inductance SO-8 Package
ID Max
V(BR)DSS RDS(on) Typ
(Note 1)
• These are Pb-Free Devices
2.3 mW @ 10 V
Applications
30 V 30 A
3.1 mW @ 4.5 V
• Notebooks, Graphics Cards
• Low Side Switch
• DC-DC D
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C

1.2. ntmfs4119n.pdf Size:82K _onsemi

NTMFS4119N
Power MOSFET
30 V, 30 A, Single N-Channel,
SO-8 Flat Lead
Features
Low RDS(on)
http://onsemi.com
Fast Switching Times
Low Inductance SO-8 Package
ID Max
V(BR)DSS RDS(on) Typ
(Note 1)
These are Pb-Free Devices
2.3 mW @ 10 V
Applications
30 V 30 A
3.1 mW @ 4.5 V
Notebooks, Graphics Cards
Low Side Switch
DC-DC D
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise

 3.1. ntmfs4120nt1g.pdf Size:136K _update-mosfet

NTMFS4120N
Power MOSFET
30 V, 31 A, Single N-Channel,
SO-8 Flat Lead
Features
• Low RDS(on)
http://onsemi.com
• Optimized Gate Charge
• Low Inductance SO-8 Package
ID Max
V(BR)DSS RDS(on) Typ
• These are Pb-Free Devices
(Note 1)
Applications
3.5 mW @ 10 V
30 V 31 A
• Notebooks, Graphics Cards
4.2 mW @ 4.5 V
• DC-DC Converters
• Synchronous Rectification
D
MAXI

3.2. ntmfs4121nt1g.pdf Size:132K _update-mosfet

NTMFS4121N
Power MOSFET
30 V, 29 A, Single N-Channel,
SO-8 Flat Lead
Features
• Low RDS(on)
http://onsemi.com
• Optimized Gate Charge
• Low Inductance SO-8 Package
ID Max
V(BR)DSS RDS(on) Typ
(Note 1)
• These are Pb-Free Devices
4.0 mW @ 10 V
Applications
30 V 29 A
5.5 mW @ 4.5 V
• Notebooks, Graphics Cards
• DC-DC Converters
D
• Synchronous Rectification
MAXI

 3.3. ntmfs4122nt1g.pdf Size:126K _update-mosfet

NTMFS4122N
Power MOSFET
30 V, 23 A, Single N-Channel,
SO-8 Flat Lead
Features
• Low RDS(on)
http://onsemi.com
• Low Inductance SO-8 Package
• These are Pb-Free Devices
ID MAX
V(BR)DSS RDS(on) TYP
(Note 1)
Applications
4.6 mW @ 10 V
• Notebooks, Graphics Cards
30 V 23 A
6.3 mW @ 4.5 V
• DC-DC Converters
• Synchronous Rectification
D
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unl

3.4. ntmfs4108nt1g.pdf Size:153K _update-mosfet

NTMFS4108N
Power MOSFET
30 V, 35 A, Single N-Channel,
SO-8 Flat Lead Package
http://onsemi.com
Features
• Thermally and Electrically Enhanced Packaging Compatible with
http://onsemi.com
Standard SO-8 Package Footprint
• New Package Provides Capability of Inspection and Probe After
V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX
Board Mounting
1.8 mW @ 10 V
• Ultra Low RDS(on) (at 4.5 VGS), Low G

 3.5. ntmfs4120n.pdf Size:89K _onsemi

NTMFS4120N
Power MOSFET
30 V, 31 A, Single N-Channel,
SO-8 Flat Lead
Features
Low RDS(on)
http://onsemi.com
Optimized Gate Charge
Low Inductance SO-8 Package
ID Max
V(BR)DSS RDS(on) Typ
These are Pb-Free Devices
(Note 1)
Applications
3.5 mW @ 10 V
30 V 31 A
Notebooks, Graphics Cards
4.2 mW @ 4.5 V
DC-DC Converters
Synchronous Rectification
D
MAXIMUM RATINGS (TJ =

3.6. ntmfs4108n.pdf Size:90K _onsemi

NTMFS4108N
Power MOSFET
30 V, 35 A, Single N-Channel,
SO-8 Flat Lead Package
http://onsemi.com
Features
Thermally and Electrically Enhanced Packaging Compatible with
http://onsemi.com
Standard SO-8 Package Footprint
New Package Provides Capability of Inspection and Probe After
V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX
Board Mounting
1.8 mW @ 10 V
Ultra Low RDS(on) (at 4.5 VGS), Low Gate Resis

3.7. ntmfs4121n.pdf Size:89K _onsemi

NTMFS4121N
Power MOSFET
30 V, 29 A, Single N-Channel,
SO-8 Flat Lead
Features
Low RDS(on)
http://onsemi.com
Optimized Gate Charge
Low Inductance SO-8 Package
ID Max
V(BR)DSS RDS(on) Typ
These are Pb-Free Devices
(Note 1)
Applications
4.0 mW @ 10 V
30 V 29 A
Notebooks, Graphics Cards
5.5 mW @ 4.5 V
DC-DC Converters
Synchronous Rectification
D
MAXIMUM RATINGS (TJ =

3.8. ntmfs4122n.pdf Size:84K _onsemi

NTMFS4122N
Power MOSFET
30 V, 23 A, Single N-Channel,
SO-8 Flat Lead
Features
Low RDS(on)
http://onsemi.com
Low Inductance SO-8 Package
This is a Pb-Free Device
ID MAX
Applications
V(BR)DSS RDS(on) TYP
(Note 1)
Notebooks, Graphics Cards
4.6 mW @ 10 V
DC-DC Converters 30 V 23 A
6.3 mW @ 4.5 V
Synchronous Rectification
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)

Другие MOSFET… NTMD4840N
, NTMD4884NF
, NTMD5836NL
, NTMD5838NL
, NTMD6N02
, NTMD6N03
, NTMD6N04R2
, NTMD6P02
, IRF9640
, NTMFS4821N
, NTMFS4823N
, NTMFS4825NFE
, NTMFS4826NE
, NTMFS4833N
, NTMFS4833NS
, NTMFS4834N
, NTMFS4835N
.

2SK3934 Datasheet (PDF)

1.1. 2sk3934.pdf Size:288K _toshiba

2SK3934
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (?-MOSVI)
2SK3934
Switching Regulator Applications
Unit: mm
• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.23? (typ.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.2 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 100 ?A (VDS = 500 V)
• Enhancement model: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Absolute Maximum

4.1. 2sk3936.pdf Size:180K _toshiba

2SK3936
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (MACH II ?-MOS VI)
2SK3936
Switching Regulator Applications
Unit: mm
• Small gate charge: Qg = 60 nC (typ.)
• Fast reverse recovery time: trr = 380 ns (typ.)
• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.2 ? (typ.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 16.5 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS

4.2. 2sk3935.pdf Size:313K _toshiba

2SK3935
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (?-MOSVI)
2SK3935
Switching Regulator Applications
Unit: mm
Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.18? (typ.)
High forward transfer admittance : |Yfs| = 10 S (typ.)
Low leakage current : IDSS = 100 ?A (max) (VDS = 450 V)
Enhancement model : Vth = 2.0 to 4.0 V
(VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Absolute Ma

 4.3. 2sk3933-01l-s-sj.pdf Size:162K _fuji

2SK3933-01L,S,SJ
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
Outline Drawings (mm) 200406
FUJI POWER MOSFET
Super FAP-G Series
Features
High speed switching Low on-resistance
See to P4
No secondary breakdown Low driving power
Avalanche-proof
Applications
Switching regulators DC-DC converters
UPS (Uninterruptible Power Supply)
Maximum ratings and characteristic
Absolute maximum ratings
E

4.4. 2sk3930-01l-s-sj.pdf Size:173K _fuji

2SK3930-01L,S,SJ
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406
FUJI POWER MOSFET
Super FAP-G Series
Features
High speed switching Low on-resistance
See to P4
No secondary breakdown Low driving power
Avalanche-proof
Applications
Switching regulators DC-DC converters
UPS (Uninterruptible Power Supply)
Maximum ratings and characteristic
Absolute maximum ratings
(T

 4.5. 2sk3931.pdf Size:101K _fuji

2SK3931-01
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406
TO-220AB
FUJI POWER MOSFET
Super FAP-G Series
Features
High speed switching Low on-resistance
No secondary breadown Low driving power
Avalanche-proof
Applications
Switching regulators DC-DC converters
UPS (Uninterruptible Power Supply)
Maximum ratings and characteristic
Absolute maximum ratings
Equivalent ci

4.6. 2sk3932.pdf Size:105K _fuji

2SK3932-01MR
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406
TO-220F
FUJI POWER MOSFET
Super FAP-G Series
Features
High speed switching Low on-resistance
No secondary breadown Low driving power
Avalanche-proof
Applications
Switching regulators DC-DC converters
UPS (Uninterruptible Power Supply)
Maximum ratings and characteristic
Absolute maximum ratings
(Tc=25C unl

NTMFS4119N Datasheet (PDF)

1.1. ntmfs4119nt1g.pdf Size:124K _update-mosfet

NTMFS4119N
Power MOSFET
30 V, 30 A, Single N-Channel,
SO-8 Flat Lead
Features
• Low RDS(on)
http://onsemi.com
• Fast Switching Times
• Low Inductance SO-8 Package
ID Max
V(BR)DSS RDS(on) Typ
(Note 1)
• These are Pb-Free Devices
2.3 mW @ 10 V
Applications
30 V 30 A
3.1 mW @ 4.5 V
• Notebooks, Graphics Cards
• Low Side Switch
• DC-DC D
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C

1.2. ntmfs4119n.pdf Size:82K _onsemi

NTMFS4119N
Power MOSFET
30 V, 30 A, Single N-Channel,
SO-8 Flat Lead
Features
Low RDS(on)
http://onsemi.com
Fast Switching Times
Low Inductance SO-8 Package
ID Max
V(BR)DSS RDS(on) Typ
(Note 1)
These are Pb-Free Devices
2.3 mW @ 10 V
Applications
30 V 30 A
3.1 mW @ 4.5 V
Notebooks, Graphics Cards
Low Side Switch
DC-DC D
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise

 3.1. ntmfs4120nt1g.pdf Size:136K _update-mosfet

NTMFS4120N
Power MOSFET
30 V, 31 A, Single N-Channel,
SO-8 Flat Lead
Features
• Low RDS(on)
http://onsemi.com
• Optimized Gate Charge
• Low Inductance SO-8 Package
ID Max
V(BR)DSS RDS(on) Typ
• These are Pb-Free Devices
(Note 1)
Applications
3.5 mW @ 10 V
30 V 31 A
• Notebooks, Graphics Cards
4.2 mW @ 4.5 V
• DC-DC Converters
• Synchronous Rectification
D
MAXI

3.2. ntmfs4121nt1g.pdf Size:132K _update-mosfet

NTMFS4121N
Power MOSFET
30 V, 29 A, Single N-Channel,
SO-8 Flat Lead
Features
• Low RDS(on)
http://onsemi.com
• Optimized Gate Charge
• Low Inductance SO-8 Package
ID Max
V(BR)DSS RDS(on) Typ
(Note 1)
• These are Pb-Free Devices
4.0 mW @ 10 V
Applications
30 V 29 A
5.5 mW @ 4.5 V
• Notebooks, Graphics Cards
• DC-DC Converters
D
• Synchronous Rectification
MAXI

 3.3. ntmfs4122nt1g.pdf Size:126K _update-mosfet

NTMFS4122N
Power MOSFET
30 V, 23 A, Single N-Channel,
SO-8 Flat Lead
Features
• Low RDS(on)
http://onsemi.com
• Low Inductance SO-8 Package
• These are Pb-Free Devices
ID MAX
V(BR)DSS RDS(on) TYP
(Note 1)
Applications
4.6 mW @ 10 V
• Notebooks, Graphics Cards
30 V 23 A
6.3 mW @ 4.5 V
• DC-DC Converters
• Synchronous Rectification
D
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unl

3.4. ntmfs4108nt1g.pdf Size:153K _update-mosfet

NTMFS4108N
Power MOSFET
30 V, 35 A, Single N-Channel,
SO-8 Flat Lead Package
http://onsemi.com
Features
• Thermally and Electrically Enhanced Packaging Compatible with
http://onsemi.com
Standard SO-8 Package Footprint
• New Package Provides Capability of Inspection and Probe After
V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX
Board Mounting
1.8 mW @ 10 V
• Ultra Low RDS(on) (at 4.5 VGS), Low G

 3.5. ntmfs4120n.pdf Size:89K _onsemi

NTMFS4120N
Power MOSFET
30 V, 31 A, Single N-Channel,
SO-8 Flat Lead
Features
Low RDS(on)
http://onsemi.com
Optimized Gate Charge
Low Inductance SO-8 Package
ID Max
V(BR)DSS RDS(on) Typ
These are Pb-Free Devices
(Note 1)
Applications
3.5 mW @ 10 V
30 V 31 A
Notebooks, Graphics Cards
4.2 mW @ 4.5 V
DC-DC Converters
Synchronous Rectification
D
MAXIMUM RATINGS (TJ =

3.6. ntmfs4108n.pdf Size:90K _onsemi

NTMFS4108N
Power MOSFET
30 V, 35 A, Single N-Channel,
SO-8 Flat Lead Package
http://onsemi.com
Features
Thermally and Electrically Enhanced Packaging Compatible with
http://onsemi.com
Standard SO-8 Package Footprint
New Package Provides Capability of Inspection and Probe After
V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX
Board Mounting
1.8 mW @ 10 V
Ultra Low RDS(on) (at 4.5 VGS), Low Gate Resis

3.7. ntmfs4121n.pdf Size:89K _onsemi

NTMFS4121N
Power MOSFET
30 V, 29 A, Single N-Channel,
SO-8 Flat Lead
Features
Low RDS(on)
http://onsemi.com
Optimized Gate Charge
Low Inductance SO-8 Package
ID Max
V(BR)DSS RDS(on) Typ
These are Pb-Free Devices
(Note 1)
Applications
4.0 mW @ 10 V
30 V 29 A
Notebooks, Graphics Cards
5.5 mW @ 4.5 V
DC-DC Converters
Synchronous Rectification
D
MAXIMUM RATINGS (TJ =

3.8. ntmfs4122n.pdf Size:84K _onsemi

NTMFS4122N
Power MOSFET
30 V, 23 A, Single N-Channel,
SO-8 Flat Lead
Features
Low RDS(on)
http://onsemi.com
Low Inductance SO-8 Package
This is a Pb-Free Device
ID MAX
Applications
V(BR)DSS RDS(on) TYP
(Note 1)
Notebooks, Graphics Cards
4.6 mW @ 10 V
DC-DC Converters 30 V 23 A
6.3 mW @ 4.5 V
Synchronous Rectification
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)

2SK2843 Datasheet (PDF)

1.1. 2sk2843.pdf Size:411K _toshiba

2SK2843
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (?-MOSV)
2SK2843
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Applications Unit: mm
Low drain-source ON resistance : RDS = 0.54 ? (typ.)
(ON)
High forward transfer admittance : |Y | = 9.0 S (typ.)
fs
Low leakage current : I = 100 µA (max) (V = 600 V)
DSS DS
Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0 V (V

4.1. 2sk2842.pdf Size:425K _toshiba

2SK2842
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (?-MOSV)
2SK2842
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Applications Unit: mm
Low drain-source ON resistance : RDS = 0.4 ? (typ.)
(ON)
High forward transfer admittance : |Y | = 9.0 S (typ.)
fs
Low leakage current : I = 100 µA (max) (V = 500 V)
DSS DS
Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0 V (V

4.2. 2sk2841.pdf Size:417K _toshiba

2SK2841
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (?-MOSV)
2SK2841
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Unit: mm
Applications
Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.4 ? (typ.)
High forward transfer admittance : |Yfs| = 8.0 S (typ.)
Low leakage current : IDSS = 100 ?A (max) (VDS = 400 V)
Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS =

 4.3. 2sk2847.pdf Size:411K _toshiba

2SK2847
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (?-MOSIII)
2SK2847
DC-DC Converter and Motor Drive Applications
Unit: mm
Low drain-source ON resistance : RDS = 1.1 ? (typ.)
(ON)
High forward transfer admittance : |Y | = 7.0 S (typ.)
fs
Low leakage current : I = 100 µA (max) (V = 720 V)
DSS DS
Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA)

4.4. 2sk2844.pdf Size:426K _toshiba

2SK2844
2
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L -?-MOSV)
2SK2844
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Applications Unit: mm
4 V gate drive
Low drain-source ON resistance : R = 16 m? (typ.)
DS (ON)
High forward transfer admittance : |Y | = 26 S (typ.)
fs
Low leakage current : IDSS = 100 µA (max) (V = 30 V)
DS
Enhancement-mod

 4.5. 2sk2846.pdf Size:408K _toshiba

2SK2846
2
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L -?-MOSV)
2SK2846
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Applications Unit: mm
Low drain-source ON resistance : RDS = 4.2 ? (typ.)
(ON)
High forward transfer admittance : |Y | = 1.7 S (typ.)
fs
Low leakage current : I = 100 µA (max) (V = 600 V)
DSS DS
Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0

4.6. 2sk2845.pdf Size:411K _toshiba

2SK2845
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (?-MOSIII)
2SK2845
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Applications Unit: mm
Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 8.0 ? (typ.)
High forward transfer admittance : |Y | = 0.9 S (typ.)
fs
Low leakage current : I = 100 µA (max) (V = 720 V)
DSS DS
Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0 V (V

4.7. 2sk2848.pdf Size:43K _sanken-ele

2SK2848
External dimensions
1 …… FM20
Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics
(Ta = 25?C) (Ta = 25?C)
Ratings
Symbol Ratings Unit Symbol Unit Conditions
min typ max
V 600 V I = 100A, V = 0V
(BR) DSS D GS
V 600 V
DSS
I 100 nA V = 30V
GSS GS
V 30 V
GSS
I 100 A V = 600V, V = 0V
DSS DS GS
I 2A
D
V 2.0 3.0 4.0 V V = 10V, I = 250A
TH DS D
I 8 A
D (pulse)

4.8. 2sk2842.pdf Size:255K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2842
·FEATURES
·With TO-220F packaging
·High speed switching
·Low gate input resistance
·Standard level gate drive
·Easy to use
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Power supply
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PAR

2SK3069 Datasheet (PDF)

1.1. 2sk3069.pdf Size:87K _renesas

2SK3069
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
REJ03G1062-1100
(Previous: ADE-208-694I)
Rev.11.00
Sep 07, 2005
Features
Low on-resistance
RDS(on) = 6 m? typ.
Low drive current
4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004AC-A
(Package name: TO-220AB)
D
1. Gate
2. Drain
(Flange)
G
3. Source
1
2
3
S

1.2. rej03g1062 2sk3069ds.pdf Size:101K _renesas

To our customers,
Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both
companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Re

 4.1. 2sk3065t100.pdf Size:83K _update

2SK3065
Transistors
Small switching (60V, 2A)
2SK3065
Features External dimensions (Units : mm)
1) Low on resistance.
2) High-speed switching.
4.5+0.2
-0.1
1.6±0.1 1.5±0.1
3) Optimum for a pocket resource etc. because of
undervoltage actuation (2.5V actuation).
4) Driving circuit is easy.
(1) (2) (3)
0.4+0.1
-0.05
5) Easy to use parallel.
0.4±0.1 0.5±0.1 0.4±0.1
1.5±0.

4.2. 2sk3064.pdf Size:100K _update

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Silicon MOSFETs (Small Signal)
2SK3064
Silicon N-channel MOSFET
Unit: mm
For switching circuit
0.15+0.10
0.3+0.1
–0.05
–0.0
For rechargeable buttery pack (Li+ ion buttery, etc.)
3
■ Features
• High gate-source voltage (Drain open) VGSO
1 2
• Low gate threshold voltage Vth
(0.65) (0.65)
1.3±0.1
2.0±0.2

 4.3. 2sk3067.pdf Size:141K _toshiba



4.4. 2sk3068.pdf Size:759K _toshiba

2SK3068
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (?-MOSV)
2SK3068
Chopper Regulator DC-DC Converter, and Motor Drive
Unit: mm
Applications
Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.4 ? (typ.)
High forward transfer admittance : |Yfs| = 9.0 S (typ.)
Low leakage current : IDSS = 100 ?A (max) (VDS = 500 V)
Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10

 4.5. 2sk3065 ke sot89.pdf Size:59K _rohm

2SK3065
Transistors
Small switching (60V, 2A)
2SK3065
Features External dimensions (Units : mm)
1) Low on resistance.
2) High-speed switching.
4.5+0.2
-0.1
1.60.1 1.50.1
3) Optimum for a pocket resource etc. because of
undervoltage actuation (2.5V actuation).
4) Driving circuit is easy.
(1) (2) (3)
0.4+0.1
-0.05
5) Easy to use parallel.
0.40.1 0.50.1 0.40.1
1.50.1 1.50.1

4.6. 2sk3065.pdf Size:85K _rohm

2SK3065
Transistors
Small switching (60V, 2A)
2SK3065
Features External dimensions (Units : mm)
1) Low on resistance.
2) High-speed switching.
4.5+0.2
-0.1
1.60.1 1.50.1
3) Optimum for a pocket resource etc. because of
undervoltage actuation (2.5V actuation).
4) Driving circuit is easy.
(1) (2) (3)
0.4+0.1
-0.05
5) Easy to use parallel.
0.40.1 0.50.1 0.40.1
1.50.1 1.50.1

DMN3030LSS Datasheet (PDF)

1.1. dmn3030lss.pdf Size:177K _diodes

DMN3030LSS
SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Please click here to visit our online spice models database.
Features Mechanical Data
Low On-Resistance Case: SO-8
18m? @ VGS = 10V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound.
UL Flammability Classification Rating 94V-0
30m? @ VGS = 4.5V
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
Low Gate Threshold Volt

2.1. dmn3030lfg.pdf Size:272K _diodes

DMN3030LFG
Green
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
POWERDI
Product Summary Features
ID  Low RDS(ON) – ensures on state losses are minimized
V(BR)DSS RDS(ON) Package
TA = +25°C
 Small form factor thermally efficient package enables higher
18mΩ @ VGS = 10V
POWERDI 8.6A
density end products
30V
3333-8
27mΩ @ VGS = 4.5V 5.5A
 Occupies just 33% of the boa

 4.1. dmn3031lss.pdf Size:179K _diodes

DMN3031LSS
SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Please click here to visit our online spice models database.
Features Mechanical Data
Low On-Resistance Case: SO-8
18.5m? @ VGS = 10V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound.
UL Flammability Classification Rating 94V-0
31m? @ VGS = 4.5V
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
Low Gate Threshold Vo

4.2. dmn3033lsnq.pdf Size:397K _diodes

DMN3033LSNQ
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Product Summary Features
 Low Gate Charge
ID
BVDSS RDS(on) max
 Low RDS(ON)
TA = +25°C
 Low Input/Output Leakage
6A
30mΩ @ VGS = 10V
30V
40mΩ @ VGS = 4.5V 4A  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
 Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
 Qualified to AEC-Q101 Standa

 4.3. dmn3032le.pdf Size:321K _diodes

DMN3032LE
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Product Summary Features and Benefits
ID • Low On-Resistance
V(BR)DSS RDS(on) max
TA = +25°C
• Low Input Capacitance
29mΩ @ VGS = 10V 5.6A
• Fast Switching Speed
30V
35mΩ @ VGS = 4.5V 4.8A
• Low Input/Output Leakage
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Gre

4.4. dmn3033lsn.pdf Size:130K _diodes

DMN3033LSN
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Please click here to visit our online spice models database.
Features Mechanical Data
Low Gate Charge Case: SC-59
Low RDS(ON): Case Material — Molded Plastic, Green Molding Compound.
UL Flammability Classification Rating 94V-0
30 m? @VGS = 10V
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020
40 m? @VGS = 4.5V
Terminals: Fin

 4.5. dmn3035lwn.pdf Size:545K _diodes

DMN3035LWN
30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Product Summary Features
 Low On-Resistance
ID MAX
V(BR)DSS RDS(ON) MAX
TA = +25°C  Low Input Capacitance
35mΩ @ VGS = 10V 5.5A  Fast Switching Speed
30V
45mΩ @ VGS = 4.5V 4.9A
 Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
 Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Descriptio

4.6. dmn3033lsd.pdf Size:153K _diodes

DMN3033LSD
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Please click here to visit our online spice models database.
Features Mechanical Data
Dual N-Channel MOSFET Case: SOP-8L
Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL
Flammability Classification Rating 94V-0
22m? @ VGS = 10V
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
33

4.7. dmn3033ldm.pdf Size:147K _diodes

DMN3033LDM
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Please click here to visit our online spice models database.
Features Mechanical Data
Low Gate Charge Case: SOT-26
Low RDS(ON): Case Material — Molded Plastic, Green Molding Compound.
UL Flammability Classification Rating 94V-0
33 m? @VGS = 10V
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
40 m? @VGS = 4.5V
Terminals: F

4.8. dmn3033lsn.pdf Size:75K _tysemi

Product specification
DMN3033LSN
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Features Mechanical Data
• Low Gate Charge • Case: SC-59
• Low RDS(ON): • Case Material — Molded Plastic, “Green” Molding Compound.
UL Flammability Classification Rating 94V-0
• 30 mΩ @VGS = 10V
• Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020
• 40 mΩ @VGS = 4.5V
• Terminals: Finish – Matte

APM3055L Datasheet (PDF)

1.1. apm3055l.pdf Size:310K _anpec

APM3055L
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Features Pin Description
• 30V/12A, RDS(ON)=100mΩ(max) @ VGS=10V
RDS(ON)=200mΩ(max) @ VGS=4.5V
• Super High Dense Cell Design
•
•
•
•
• High Power and Current Handling Capability
•
•
•
•
1 2 3
1 2 3
• TO-252 and SOT-223 Packages
•
•
•
•
G D S
G D S
Applications
Top View of TO-252
Top View

5.1. apm3023n.pdf Size:212K _update-mosfet

APM3023N
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Features Pin Description
• 30V/30A, RDS(ON)=15mΩ(typ.) @ VGS=10V
RDS(ON)=22mΩ(typ.) @ VGS=5V
• Super High Dense Cell Design
•
•
•
•
1 2 3
1 2 3
• High Power and Current Handling Capability
•
•
•
•
G D S
• TO-252.TO-220 and SOT-223 Packages G D S
•
•
•
•
Top View of SOT-223
Top View of TO-25

5.2. apm3009n.pdf Size:723K _update-mosfet

APM3009N
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Features Pin Description
• 30V/70A , RDS(ON)=7mΩ(typ.) @ VGS=10V
RDS(ON)=11mΩ(typ.) @ VGS=4.5V
• Super High Dense Advanced Cell Design for
•
•
•
•
Extremely Low RDS(ON)
• Reliable and Rugged
•
•
•
•
1 2 3
• TO-220 , TO-252 and TO-263 Packages
•
•
•
•
G D S
Applications
Top View of TO-220, TO

 5.3. apm3023n.pdf Size:212K _anpec

APM3023N
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Features Pin Description
• 30V/30A, RDS(ON)=15mΩ(typ.) @ VGS=10V
RDS(ON)=22mΩ(typ.) @ VGS=5V
• Super High Dense Cell Design
•
•
•
•
1 2 3
1 2 3
• High Power and Current Handling Capability
•
•
•
•
G D S
• TO-252.TO-220 and SOT-223 Packages G D S
•
•
•
•
Top View of SOT-223
Top View of TO-25

5.4. apm3009n.pdf Size:723K _anpec

APM3009N
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Features Pin Description
• 30V/70A , RDS(ON)=7mΩ(typ.) @ VGS=10V
RDS(ON)=11mΩ(typ.) @ VGS=4.5V
• Super High Dense Advanced Cell Design for
•
•
•
•
Extremely Low RDS(ON)
• Reliable and Rugged
•
•
•
•
1 2 3
• TO-220 , TO-252 and TO-263 Packages
•
•
•
•
G D S
Applications
Top View of TO-220, TO

 5.5. apm3095pu.pdf Size:173K _sino

APM3095PU
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Features Pin Description
• -30V/-8A,
D
RDS(ON)=95mΩ (typ.) @ VGS=-10V
S
RDS(ON)=140mΩ (typ.) @ VGS=-4.5V
G
100% UIS + Rg Tested
Reliable and Rugged
Top View of TO-252-2
Lead Free and Green Devices Available
(RoHS Compliant)
D
ESD Protection
Applications
G
• Power Management in Desktop Computer or
DC/DC Converters.

Конструкция

Отличается диод Шоттки от обыкновенных диодов своей конструкцией, в которой используется металл-полупроводник, а не p-n переход. Понятно, что свойства здесь разные, а значит, и характеристики тоже должны отличаться.

Действительно, металл-полупроводник обладает такими параметрами:

• Имеет большое значение тока утечки;
• Невысокое падение напряжения на переходе при прямом включении;
• Восстанавливает заряд очень быстро, так как имеет низкое его значение.

Диод Шоттки изготавливается из таких материалов, как арсенид галлия, кремний; намного реже, но также может использоваться – германий. Выбор материала зависит от свойств, которые нужно получить, однако в любом случае максимальное обратное напряжение, на которое могут изготавливаться данные полупроводники, не выше 1200 вольт – это самые высоковольтные выпрямители. На практике же намного чаще их используют при более низком напряжении – 3, 5, 10 вольт.

На принципиальной схеме диод Шоттки обозначается таким образом:

Но иногда можно увидеть и такое обозначение:

Это означает сдвоенный элемент: два диода в одном корпусе с общим анодом или катодом, поэтому элемент имеет три вывода. В блоках питания используют такие конструкции с общим катодом, их удобно использовать в схемах выпрямителей. Часто на схемах рисуется маркировка обычного диода, но в описании указывается, что это Шоттки, поэтому нужно быть внимательными.

Диодные сборки с барьером Шоттки выпускаются трех типов:

1 тип – с общим катодом;

2 тип – с общим анодом;

3 тип – по схеме удвоения.

Такое соединение помогает увеличить надежность элемента: ведь находясь в одном корпусе, они имеют одинаковый температурный режим, что важно, если нужны мощные выпрямители, например, на 10 ампер. Но есть и минусы

Все дело в том, что малое падение напряжения (0,2–0,4 в) у таких диодов проявляется на небольших напряжениях, как правило – 50–60 вольт. При более высоком значении они ведут себя как обычные диоды. Зато по току эта схема показывает очень хорошие результаты, ведь часто бывает необходимо – особенно в силовых цепях, модулях питания – чтобы рабочий ток полупроводников был не ниже 10а

Но есть и минусы. Все дело в том, что малое падение напряжения (0,2–0,4 в) у таких диодов проявляется на небольших напряжениях, как правило – 50–60 вольт. При более высоком значении они ведут себя как обычные диоды. Зато по току эта схема показывает очень хорошие результаты, ведь часто бывает необходимо – особенно в силовых цепях, модулях питания – чтобы рабочий ток полупроводников был не ниже 10а.

https://youtube.com/watch?v=M5Yg0L4GHGY

Еще один главный недостаток: для этих приборов нельзя превышать обратный ток даже на мгновение. Они тут же выходят из строя, в то время как кремниевые диоды, если не была превышена их температура, восстанавливают свои свойства.

Но положительного все-таки больше. Кроме низкого падения напряжения, диод Шоттки имеет низкое значение емкости перехода. Как известно: ниже емкость – выше частота. Такой диод нашел применение в импульсных блоках питания, выпрямителях и других схемах, с частотами в несколько сотен килогерц.

Вольтамперная характеристика светодиода (ВАХ)

ВАХ такого диода имеет несимметричный вид. Когда приложено прямое напряжение, видно, что ток растет по экспоненте, а при обратном – ток от напряжения не зависит.

Все это объясняется, если знать, что принцип работы этого полупроводника основан на движении основных носителей – электронов. По этой же самой причине эти приборы и являются такими быстродействующими: у них отсутствуют рекомбинационные процессы, свойственные приборам с p-n переходами. Для всех приборов, имеющих барьерную структуру, свойственна несимметричность ВАХ, ведь именно количеством носителей электрического заряда обусловлена зависимость тока от напряжения.