Транзистор кт815 (а)

Транзистор КТ817 — DataSheet

Параметр
Обозначение
Маркировка
Условия
Значение
Ед. изм.

Аналог

КТ817А

BD433, TIP31, 2N4231 *1, 2SD226 *3, SDT4307 *3, SDT4301 *3, HSE2000 *3, ZT1483A *1, KSh41 *3, 2N1483A *1, MJE520

КТ817Б

BD175, BD233, BD175, BD633 *3, 2N4231 *1, 2SD226 *3, SDT4307 *3, SDT4301 *3, ZT1483A *1, KSh41 *1, 2N1483A *1

КТ817В

BD177. BD235, 2N4232 *1, 2N1079 *1, 2SD226A *3, SDT4308 *3, SDT4302 *3, BD635 *3, ZT1484A *1, 2N1484A *1

КТ817Г

BD179, BD237, MJD31C *1, CJD31C *1, 2N3676 *1, 2SD129 *1, BD179, 2N4233 *1, 2SD390A *3, 2SD389A *3, 2SD366A *3, 2SD365A *3, 2SD318A *3, 2SD317A *3

КТ817Б-2

2SD880, BD933 *3, KD233 *2, BD233 *2,  BD813 *2, 2SD235Y *1, 2SD1189FQ, 2SD1189FP, 

2SD1189F, 2SD235G-Y *1

КТ817Г-2

BD179-16, 2SC1826, BD179-16 *1, PG1013 *1, BD179-10 *3, 2SD1381FQ, 2SD1381FP, 

2SD1381F, PG1012 *3, 2SD880Y *3, 2SD1902R *3

Структура

 —
n-p-n

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора

PK max,P*K, τ max,P**K, и max
КТ817А

25*
Вт
КТ817Б

25*

КТ817В

25*

КТ817Г

25*

КТ817Б-2

25*

КТ817Г-2

25*

Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
fгр, f*h31б, f**h31э, f***max
КТ817А

≥3
МГц

КТ817Б

≥3

КТ817В

≥3

КТ817Г

≥3

КТ817Б-2

≥3

КТ817Г-2

≥3

Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.
КТ817А

40*
В

КТ817Б

45*

КТ817В

60*

КТ817Г

100*

КТ817Б-2

45*

КТ817Г-2

100*

Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
UЭБО проб., 
КТ817А

5

В

КТ817Б

5

КТ817В

5

КТ817Г

5

КТ817Б-2

5

КТ817Г-2

5

Максимально допустимый постоянный ток коллектора
IK max, I*К , и max
КТ817А

3(6*)
А

КТ817Б

3(6*)

КТ817В

3(6*)

КТ817Г

3(6*)

КТ817Б-2

3(6*)

КТ817Г-2

3(6*)

Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера

IКБО, I*КЭR, I**КЭO
КТ817А
25 В
≤0.1
мА

КТ817Б
45 В
≤0.1

КТ817В
60 В
≤0.1

КТ817Г
100 В
≤0.1

КТ817Б-2
40 В
≤0.1

КТ817Г-2
40 В
≤0.1

Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h21э,  h*21Э
КТ817А
2 В; 1 А
≥25*

КТ817Б
2 В; 1 А
≥25*

КТ817В
2 В;1 А
≥25*

КТ817Г
2 В; 1 А
≥25*

КТ817Б-2
5 В; 50 мА
≥100*
КТ817Г-2
5 В; 50 мА
≥100*

Емкость коллекторного перехода
cк,  с*12э
КТ817А
10 В
≤60
пФ

КТ817Б
10 В
≤60

КТ817В
10 В
≤60

КТ817Г
10 В
≤60

КТ817Б-2
10 В
≤60

КТ817Г-2
10 В
≤60

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
 rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.
КТ817А

≤0.6
Ом, дБ

КТ817Б

≤0.6

КТ817В


≤0.6

КТ817Г

≤0.6

КТ817Б-2

≤0.08

КТ817Г-2

≤0.08

Коэффициент шума транзистора
Кш, r*b, P**вых
КТ817А


Дб, Ом, Вт

КТ817Б

КТ817В

КТ817Г

КТ817Б-2

КТ817Г-2

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)

КТ817А


пс
КТ817Б

КТ817В

КТ817Г

КТ817Б-2

KT817V Datasheet (PDF)

5.1. kt817a-b-v-g.pdf Size:699K _russia

5.2. kt8170.pdf Size:195K _integral

КТ8170
высоковольтный биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в
импульсных источниках питания, пускорегули

 5.3. kt817.pdf Size:225K _integral

КТ817
n-p-n кремниевый
биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в
ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной апп

5.4. kt8177.pdf Size:196K _integral

КТ8177
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

 5.5. kt8176.pdf Size:196K _integral

КТ8176
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

Биполярный транзистор KT817G — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT817G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

KT817G
Datasheet (PDF)

5.1. kt817a-b-v-g.pdf Size:699K _russia

5.2. kt8170.pdf Size:195K _integral

КТ8170
высоковольтный биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в
импульсных источниках питания, пускорегули

 5.3. kt817.pdf Size:225K _integral

КТ817
n-p-n кремниевый
биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в
ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной апп

5.4. kt8177.pdf Size:196K _integral

КТ8177
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

 5.5. kt8176.pdf Size:196K _integral

КТ8176
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

KT817B2 Datasheet (PDF)

5.1. kt817a-b-v-g.pdf Size:699K _russia

5.2. kt8170.pdf Size:195K _integral

КТ8170
высоковольтный биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в
импульсных источниках питания, пускорегули

 5.3. kt817.pdf Size:225K _integral

КТ817
n-p-n кремниевый
биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в
ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной апп

5.4. kt8177.pdf Size:196K _integral

КТ8177
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

 5.5. kt8176.pdf Size:196K _integral

КТ8176
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

Транзистор КТ817. Параметры, цоколевка, аналог

Содержание страницы

Транзистор КТ817 – это кремниевый биполярный транзистор n-p-n типа, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии.

Основное назначение КТ817 — применение в линейных и ключевых электрических схемах, модулях и блоках радио-электронных устройствах предназначенных для широкого использования.

Uкбо— max напряжение коллектор-база
Uкбои— max напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо— max напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои— max напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax— max постоянный ток коллектора
Iкmax и— max импульсный ток коллектора
Pкmax— max рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
Pкmax т— max рассеиваемая мощность коллектора с радиатором
h21э— коэффициент усиления в схеме с ОЭ
Iкбо— ток коллектора (обратный)
fгр— граничная частота h21э в схеме с ОЭ
Uкэн— напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер

ТО-126 (пластмасса) – КТ817А, Б, В, Г

DPAK (пластмасса) – КТ817А9, Б9, В9, Г9

Специфика КТ817

• Допустимая рабочая температура составляет: — 60…+ 150°C

• Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816

Биполярный транзистор KT817V — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT817V

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

KT817V
Datasheet (PDF)

5.1. kt817a-b-v-g.pdf Size:699K _russia

5.2. kt8170.pdf Size:195K _integral

КТ8170
высоковольтный биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в
импульсных источниках питания, пускорегули

 5.3. kt817.pdf Size:225K _integral

КТ817
n-p-n кремниевый
биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в
ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной апп

5.4. kt8177.pdf Size:196K _integral

КТ8177
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

 5.5. kt8176.pdf Size:196K _integral

КТ8176
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

КТ817 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

КТ817 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка.

ПриборМаксимальные параметры
Параметры при температуре = 25°CRТ п-к, °C/Ватт
  при температуре = 25°C            
IК, max, амперIК и, макс, амперUКЭ0 гран, вольтUКБ0 макс, вольтUЭБ0 макс, вольтPК макс, ваттTК, °CTп макс, °CTК макс, °Ch21ЭUКЭ, вольтIЭ, амперUКЭ насыщ, вольтIКБ0, мАмперfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ817А3525 5252515010025210,60,13 60115  5
КТ817Б3545 5252515010025210,60,13 60115  5
КТ817В3560 5252515010025210,60,13 60115  5
КТ817Г3580 5252515010025210,60,13 60115  5

KT817B Datasheet (PDF)

5.1. kt817a-b-v-g.pdf Size:699K _russia

5.2. kt8170.pdf Size:195K _integral

КТ8170
высоковольтный биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в
импульсных источниках питания, пускорегули

 5.3. kt817.pdf Size:225K _integral

КТ817
n-p-n кремниевый
биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в
ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной апп

5.4. kt8177.pdf Size:196K _integral

КТ8177
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

 5.5. kt8176.pdf Size:196K _integral

КТ8176
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

Оцените статью:
Оставить комментарий
Adblock
detector