Транзисторы кт503, 2т503. справочник, справочные данные, параметры, цоколевка, datasheet, даташит

Электрические параметры

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе базы 1 мА — не более 0.6 В, обычно на основе нашего опыта 0.15 В

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе базы 1 мА — не более 1.2 В, обычно на основе нашего опыта 0.6 В

Рабочая частота — до 2 МГц. Схемы с общим эмиттером, выполненные нами, стабильно работают на частоте до 2 МГц.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор — база 5 В — не более 20 пФ.

Постоянное обратное напряжение база — эмиттер — 5 В.

Постоянное ток коллектора — 0.15 А.

Импульсный ток коллектора — 0.35 А.

Постоянный ток базы — 0.1 А.

Постоянная рассеиваемая мощность — 0.35 Вт.

КТ502А, 2Т502А

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 40 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

КТ502Б, 2Т502Б

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 40 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 80 — 240.

КТ502В, 2Т502В

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 60 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

КТ502Г, 2Т502Г

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 60 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 80 — 240.

КТ502Д, 2Т502Д

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 80 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

КТ502Е, 2Т502Е

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 90 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

(читать дальше…) :: (в начало статьи)

 1  2 

:: ПоискТехника безопасности :: Помощь

 

К сожалению в статьях периодически встречаются ошибки, они исправляются, статьи дополняются, развиваются, готовятся новые. Подпишитесь, на новости, чтобы быть в курсе.

Если что-то непонятно, обязательно спросите!Задать вопрос. Обсуждение статьи.

Еще статьи

Сверхмощный импульсный усилитель звука. Площади. Вещательный. Звуковой…
Сверхмощный импульсный усилитель звука для озвучивания массовых мероприятий и пр…

Операционные усилители К544УД1, К544УД1A, К544УД1Б, 544УД1, 544УД1A, 5…
Характеристики и применение операционных усилителей 544УД1. Распиновка…

Датчик уровня жидкости. Реле. Автоматическое включение / выключение на…
Автомат наполнения емкости с водой включает и выключает насос в зависимости от у…

Усилитель на полевом транзисторе. FET, MOSFET. Звуковая, низкая частот…
Применение полевых транзисторов в низкочастотных усилителях….

Поиск, обнаружение разрывов, обрывов проводки. Найти, искать, отыскать…
Детали, сборка и наладка прибора для обнаружения скрытой проводки и ее разрывов…

Операционный усилитель, ОУ, операционник. Свойства. Характеристики. Ма…
Понятие операционного усилителя. Схемы, применение, классификация. Тонкости….

Интегральный аналог конденсатора большой емкости. Умножитель, имитатор…
Умножитель емкости. Имитатор большого конденсатора на интегральной микросхеме…

Детектор, датчик, обнаружитель скрытой проводки, разрывов, обрывов. Сх…
Схема прибора для обнаружения скрытой проводки и ее разрывов для самостоятельног…

Применение

В основном применяются в схемах автоматики, усилителях низкой частоты (если нет требований по низкому уровню шума, высокой линейности и стабильности), микромощных источникам питания.

Примеры устройств:

  • Бестрансформаторный источник питания
  • Аналог динистора в релаксационном генераторе
  • УМЗЧ высокого качества
  • Датчик уровня жидкости

Вообще эти транзисторы относятся к числу наших самых любимых радиодеталей. Если необходим низкочастотный биполярный n-p-n транзистор без дополнительных требований, то это — КТ503, если необходима пара транзисторов p-n-n, n-p-n, с близкими характеристиками, то это — КТ502, КТ503.

Справочный листок по транзисторам КТ501А…М:

Электрические
параметры:

Статический
коэффициент передачи тока в
схеме с ОЭ:
при UКЭ = 1 В,
IК = 30 мА
КТ501А, КТ501Г, КТ501Ж, КТ501Л20…60
КТ501Б, КТ501Д, КТ501И, КТ501М40…120
КТ501В, КТ501Е, КТ501К80…240
при UКЭ = 1 В,
IК, имп. = 0,5 мА
не менее6
Граничная частота
коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при UКЭ = 5 В, IК
= 10 мА:
 не менее5 МГц
Коэффициент шума при UКБ
= 3 В, IК = 0,2 мА, RГ = 3
кОм, f = 1 кГц
 не более4 дБ
 типовое значение2 дБ
Напряжение насыщения
коллектор — эмиттер, не более:
при IК = 0,3 А, IБ = 0,06
А
 0,4 В
при IК = 0,5 А, IБ = 0,1
А
 0,7 В
Напряжение насыщения
база — эмиттер при IК = 0,3 А,
IБ = 0,06 А:
 не более1, 5 В
Обратный ток
коллектор — эмиттер, при UКЭ R =
UКЭ R, макс., RБЭ = 10
кОм:
 не более1 мкА
Обратный ток эмиттера
при UБЭ = UБЭ, макс.:
 не более1 мкА
Емкость коллекторного
перехода при UКБ = 10 В, f = 500
кГц:
 не более50 пФ
Емкость эмиттерного
перехода при UБЭ = 0,5 В, f =
500 кГц:
 не более100 пФ

Предельные
эксплуатационные данные:

Постоянные напряжения
напряжение коллектор — база и
коллектор — эмиттер:
при RБЭ <= 10 кОм,
Т = +25…+125 С:
КТ501А, КТ501Б, КТ501В15 В
КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е30 В
КТ501Ж, КТ501И, КТ501К45 В
КТ501Л, КТ501М60 В
Постоянное напряжение
база — эмиттер:
при Т = -60…+125 С:КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г,
КТ501Д, КТ501Е
10 В
при Т = +25…+125 С:КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М20 В
Постоянный ток
коллектора:
  0,3 А
Импульсный ток
коллектора:
  0,5 А
Постоянный ток базы:
  0,1 А
Постоянная
рассеиваемая мощность
коллектора при T <= -60…+35С:
  0,35 Вт
Температура p-n
перехода:
  +150 С
Температура
окружающей среды:
  -60…+125 С
При включении
транзистора в цепь,
находящуюся под напряжением,
базовый контакт
присоединяется первым и
отключается последним.
Расстояние от места сгиба до
корпуса транзистора не менее 3
мм с радиусом закругления 1,5…2
мм.
Пайка выводов допускается не
ближе 5 мм от корпуса
транзистора.

Возврат к оглавлению
справочника
На Главную страницу
www.5v.ru

КТ501 (кремниевый транзистор, p-n-p)

КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г,
КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л,
КТ501М
Транзисторы кремниевые
эпитаксиально-планарные структуры
p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в
усилителях низкой частоты,
операционных, дифференциальных и
импульсных усилителях,
преобразователях.
Выпускаются в металлостеклянном
корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Изготовитель — акционерное
общество «Кремний», г. Брянск.

ПриборПредельные
параметры
Параметры при
T = 25°C
RТ п-с, °C/Вт
  при T = 25°C           
IК max, мАIК и max, мАUКЭ0 гр, ВUКБ0 max, ВUЭБ0 max, ВPК max, мВтT, °CTп max, °CTmax, °Ch21ЭUКЭ, ВIЭ, мАUКЭ нас, ВIКБ0, мкАfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtрас, мкс
КТ501 А3005001515103503515012520…6015000,415450100 300
КТ501 Б3005001515103503515012540…12015000,415450100 300
КТ501 В3005001515103503515012580…24015000,415450100 300
КТ501 Г3005003030103503515012520…6015000,415450100 300
КТ501 Д3005003030103503515012540…12015000,415450100 300
КТ501 Е3005003030103503515012580…24015000,415450100 300
КТ501 Ж3005004545203503515012520…6015000,415450100 300
КТ501 И3005004545203503515012540…12015000,415450100 300
КТ501 К3005004545203503515012580…24015000,415450100 300
КТ501 Л3005006060203503515012520…6015000,415450100 300
КТ501 М3005006060203503515012540…12015000,415450100 300

Оцените статью:
Оставить комментарий
Adblock
detector