Транзистор bc557

Распиновка

Bc547 впервые появился на рынке радиоэлектронных компонентов в апреле 1966 года, благодаря компаниям Philips (Голландия) и Mullard (Великобритания). Это совместная доработка популярного в то время bc107. Он был идентичный по своим техническим характеристикам, но выпускался в отличии от металлического bc107 в пластиковом герметичном корпусе ТО-92. В настоящее время является действующей заменой для более старых BC107 или BC147, которые включены во множество разработок компаний Mullard и Philips.

Цоколевка корпуса ТО-92 (или ТО-226AA) у bc547 имеет три гибких вывода для дырочного монтажа. Если смотреть на скошенную часть спереди, то назначение этих выводов слева направо: эмиттер, база, коллектор. На рисунке показан базовый внешний вид устройства, который будет немного отличаться в зависимости от конкретной марки, однако характеристики и назначения выводов остаются идентичными.

Datasheets

Просмотр и загрузка
Datasheet BC557B

PDF, 139 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 7 июл 2019, Страниц: 4General Purpose Transistors

Выписка из документа

BC557BGeneral Purpose TransistorsFeatures:• PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors.• Especially Suited For use in Driver Stages of Audio Amplifiers, Low Noise InputStages of Tape Recorders, HI-FI Amplifiers, Signal Processing Circuits of TelevisionReceivers. TO-92 Plastic Package Dimensions Minimum Maximum A 4.32 5.33 B 4.45 5.20 C 3.18 4.19 D 0.41 0.55 E 0.35 0.50 FGHK 5°1.40 1.14 1.53 12.70 Dimensions : Millimetres Pin Configuration:1. Emitter2. Base3. Collector Page 13/05/08 V1.1 BC557BGeneral Purpose TransistorsAbsolute Maximum RatingsParameters Symbol Rating Collector-Emitter Voltage VCEO 45 Collector-Emitter Voltage VCES Collector-Base Voltage VCBO Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 Collector Current Continuous Peak ICICM 100200 Base Current Peak IBM Emitter Current Peak IEM Power Dissipation at Ta = 25°CDerate above 25°C PTA 5004.0 Storage Temperature Tstg -65 to +150 Junction Temperature Tj 150 Rth (j-a) 250 Unit 50 V mA200mW …

Биполярный транзистор BC547BP — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC547BP

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: TO226

BC547BP
Datasheet (PDF)

4.1. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _update

BC546xBK … BC549xBK
BC546xBK … BC549xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2009-12-03
±0.1
Power dissipation – Verlustleistung 500 mW
4.6
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
C B E
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial

4.2. bc547ba3.pdf Size:412K _update

Spec. No. : C204A3
Issued Date : 2015.01.23
CYStech Electronics Corp.
Revised Date :
Page No. : 1 / 7
General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor
BC547BA3
Description
• The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching.
• Complementary to BC557BA3.
• Pb-free package
Symbol Outline
BC547BA3 TO-92
B:Base
C:Collector

 4.3. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547B
BC547C

SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC547B BC547B TO-92 / Bulk
BC547B-AP BC547B TO-92 / Ammopack
BC547C BC547C TO-92 / Bulk
BC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
BC547B — THE PNP COMPLEMENTARY
Bulk Ammopack
TYPE IS BC557B
APPLIC

4.4. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & Signal
Technologies
BC547
BC547A
BC547B
BC547C
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from
Process 10. See PN100A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emit

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

BC547B Datasheet (PDF)

1.1. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _update

BC546xBK … BC549xBK
BC546xBK … BC549xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2009-12-03
±0.1
Power dissipation – Verlustleistung 500 mW
4.6
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
C B E
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial

1.2. bc547ba3.pdf Size:412K _update

Spec. No. : C204A3
Issued Date : 2015.01.23
CYStech Electronics Corp.
Revised Date :
Page No. : 1 / 7
General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor
BC547BA3
Description
• The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching.
• Complementary to BC557BA3.
• Pb-free package
Symbol Outline
BC547BA3 TO-92
B:Base
C:Collector

 1.3. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547B
BC547C

SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC547B BC547B TO-92 / Bulk
BC547B-AP BC547B TO-92 / Ammopack
BC547C BC547C TO-92 / Bulk
BC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
BC547B — THE PNP COMPLEMENTARY
Bulk Ammopack
TYPE IS BC557B
APPLIC

1.4. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & Signal
Technologies
BC547
BC547A
BC547B
BC547C
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from
Process 10. See PN100A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emit

2SC557 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5570.pdf Size:349K _toshiba

2SC5570
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5570
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH
Unit: mm
RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1700 V
Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.)
CE (sat)
High Speed : t (2) = 0.1 µs (Typ.)
f
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
C

1.2. 2sc5577.pdf Size:40K _sanyo

Ordering number:ENN6281
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5577
Ultrahigh-Definition Color Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed (tf=100ns typ).
unit:mm
High breakdown voltage (VCBO=1500V).
2048B
High reliability (Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
20.0 3.3
5.0
2.0
3.4
0.6
1.2

 1.3. 2sc5578.pdf Size:40K _sanyo

Ordering number:ENN6297
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5578
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed.
unit:mm
High breakdown voltage (VCBO=1600V).
2048B
High reliability (Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
20.0 3.3
5.0
2.0
3.4
0.6
1.2
1 : Base
1 2 3

1.4. 2sc5574.pdf Size:52K _rohm

2SC5574
Transistors
Power Transistor (80V, 4A)
2SC5574
Features External dimensions (Units : mm)
1) Low saturation voltage.
(Typ. VCE(sat) = 0.3V at IC / IB =2 / 0.2A)
10.0 4.5
2) Excellent DC current gain characteristics.
3.2 2.8
?
3) Pc = 30W (Tc = 25C)
4) Wide SOA (safe operating area).
1.2
1.3
5) Complements the 2SA2017.
0.8
0.75
2.54 2.54 2.6
(1) (2) (3)
( )
(1) (2) (3

 1.5. 2sc5576.pdf Size:49K _rohm

2SC5576
Transisitors
Medium Power Transistor
(Motor or Relay drive) (6010V, 4A)
2SC5576
Features Circuit diagram
1) Built-in zener diode between collector and base.
C
2) Strong protection against reverse power surges due to
«L» loads.
B
3) Built-in resistor between base and emitter.
4) Built-in damper diode.
R1 R2
E
B : Base
R1 4.5k?
C : Collector
R2 300?
E : Emitter
Absol

1.6. 2sc5575.pdf Size:52K _rohm

2SC5575
Transistors
High-voltage Switching Transisitor
(Power Supply) (120V, 7A)
2SC5575
Features
External dimensions (Units : mm)
1) Low VCE(sat). (Typ. 0.17V at IC / IB = 5 / 0.5A)
2) Fast switching. (tf : Typ. 0.18s at IC = 5A)
3) Wide SOA. (safe operating area)
10.0 4.5
3.2 2.8
?
Absolute maximum ratings (Ta = 25C)
1.2
1.3
Parameter Symbol Limits Unit
0.8
Collector-base

1.7. 2sc5572.pdf Size:71K _panasonic

Подробное описание

Specifications:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 V
  • Collector Emitter Voltage Vces: -300 mV
  • Continuous Collector Current Ic Max: 100 mA
  • Current Ic Continuous a Max: 100 mA
  • DC Collector Current: 100 mA
  • DC Current Gain Max: 800
  • DC Current Gain Min: 125
  • DC Current Gain: 2 mA
  • Device Marking: BC557
  • Gain Bandwidth ft Min: 100 MHz
  • Gain Bandwidth ft Typ: 100 MHz
  • Mounting Type: Through Hole
  • Number of Pins: 3
  • Number of Transistors: 1
  • Operating Temperature Range: -65°C to +150°C
  • Package / Case: SOT-54
  • Pin Configuration: d
  • Power Dissipation Pd: 500 mW
  • Power Dissipation Ptot Max: 500 mW
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Transistor Case Style: SOT-54
  • Transistor Polarity: PNP
  • Voltage Vcbo: 50 V

RoHS: Yes

Биполярный транзистор 2SC557 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC557

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Корпус транзистора: TO60

2SC557
Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5570.pdf Size:349K _toshiba

2SC5570
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5570
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH
Unit: mm
RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1700 V
Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.)
CE (sat)
High Speed : t (2) = 0.1 µs (Typ.)
f
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
C

1.2. 2sc5577.pdf Size:40K _sanyo

Ordering number:ENN6281
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5577
Ultrahigh-Definition Color Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed (tf=100ns typ).
unit:mm
High breakdown voltage (VCBO=1500V).
2048B
High reliability (Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
20.0 3.3
5.0
2.0
3.4
0.6
1.2

 1.3. 2sc5578.pdf Size:40K _sanyo

Ordering number:ENN6297
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5578
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed.
unit:mm
High breakdown voltage (VCBO=1600V).
2048B
High reliability (Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
20.0 3.3
5.0
2.0
3.4
0.6
1.2
1 : Base
1 2 3

1.4. 2sc5574.pdf Size:52K _rohm

2SC5574
Transistors
Power Transistor (80V, 4A)
2SC5574
Features External dimensions (Units : mm)
1) Low saturation voltage.
(Typ. VCE(sat) = 0.3V at IC / IB =2 / 0.2A)
10.0 4.5
2) Excellent DC current gain characteristics.
3.2 2.8
?
3) Pc = 30W (Tc = 25C)
4) Wide SOA (safe operating area).
1.2
1.3
5) Complements the 2SA2017.
0.8
0.75
2.54 2.54 2.6
(1) (2) (3)
( )
(1) (2) (3

 1.5. 2sc5576.pdf Size:49K _rohm

2SC5576
Transisitors
Medium Power Transistor
(Motor or Relay drive) (6010V, 4A)
2SC5576
Features Circuit diagram
1) Built-in zener diode between collector and base.
C
2) Strong protection against reverse power surges due to
«L» loads.
B
3) Built-in resistor between base and emitter.
4) Built-in damper diode.
R1 R2
E
B : Base
R1 4.5k?
C : Collector
R2 300?
E : Emitter
Absol

1.6. 2sc5575.pdf Size:52K _rohm

2SC5575
Transistors
High-voltage Switching Transisitor
(Power Supply) (120V, 7A)
2SC5575
Features
External dimensions (Units : mm)
1) Low VCE(sat). (Typ. 0.17V at IC / IB = 5 / 0.5A)
2) Fast switching. (tf : Typ. 0.18s at IC = 5A)
3) Wide SOA. (safe operating area)
10.0 4.5
3.2 2.8
?
Absolute maximum ratings (Ta = 25C)
1.2
1.3
Parameter Symbol Limits Unit
0.8
Collector-base

1.7. 2sc5572.pdf Size:71K _panasonic

Другие транзисторы… 2SC550
, 2SC551
, 2SC552
, 2SC553
, 2SC554
, 2SC555
, 2SC555D
, 2SC556
, , 2SC557D
, 2SC558
, 2SC559
, 2SC56
, 2SC560
, 2SC560N
, 2SC561
, 2SC562
.

Оцените статью:
Оставить комментарий
Adblock
detector