Транзистор bc337

Корпус и распиновка

Цоколевка bc337 выглядит следующим образом. Большинство производителей выпускают его в пластмассовой упаковке ТО-92 с гибкими выводами, или её аналогах: SOT54, TO-226. Маркировка цифробуквенная, наносится на лицевой части корпуса по европейской системе Pro Electron. Если смотреть на неё, то первая ножка слева это — коллектор, второй — база, третий — эмиттер.

Несмотря на это, некоторые китайские компании выпускают устройство в тех же корпусах, что указаны выше, но с другой распиновкой. Например, у Foshan Blue Rocket Electronics сначала идет эмиттер, потом база и последним коллектор.

Биполярный транзистор BC337-25 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC337-25

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160

Корпус транзистора: TO92

BC337-25
Datasheet (PDF)

1.1. bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf Size:88K _update

BC337-xBK / BC338-xBK
BC337-xBK / BC338-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-05-27
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9

1.2. bc337-25 bc337-40.pdf Size:66K _st

BC337-25
BC337-40

SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC337-25 BC337-25 TO-92 / Bulk
BC337-25-AP BC337-25 TO-92 / Ammopack
BC337-40 BC337-40 TO-92 / Bulk
BC337-40-AP BC337-40 TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
THE PNP COMPLEMENTARY TYPES ARE

 1.3. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi

BC337-16
BC337-25
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from
Process 12. See TN3019A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
VCES Collector-Base Voltage 50

1.4. bc337-25-40.pdf Size:141K _onsemi

BC337, BC337-25,
BC337-40
Amplifier Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
These are Pb-Free Devices
COLLECTOR
1
2
MAXIMUM RATINGS
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 Vdc
3
EMITTER
Collector — Base Voltage VCBO 50 Vdc
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 800 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

BC337-40 Datasheet (PDF)

1.1. bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf Size:88K _update

BC337-xBK / BC338-xBK
BC337-xBK / BC338-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-05-27
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9

1.2. bc337-25 bc337-40.pdf Size:66K _st

BC337-25
BC337-40

SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC337-25 BC337-25 TO-92 / Bulk
BC337-25-AP BC337-25 TO-92 / Ammopack
BC337-40 BC337-40 TO-92 / Bulk
BC337-40-AP BC337-40 TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
THE PNP COMPLEMENTARY TYPES ARE

 4.1. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi

BC337-16
BC337-25
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from
Process 12. See TN3019A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
VCES Collector-Base Voltage 50

4.2. bc337-a bc338.pdf Size:65K _central

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 4.3. bc337-16-25-40 bc338-16-25-40.pdf Size:234K _mcc

MCC
BC337-16/25/40
TM Micro Commercial Components
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
BC338-16/25/40
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
NPN
Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.
Collector-current 0.8A
Plastic-Encapsulate
Collector-base Voltage :VCBO=50V(BC337) , VCBO=30V(BC338)
Transistors
Lead Free Finish/RoHS Co

4.4. bc337-25-40.pdf Size:141K _onsemi

BC337, BC337-25,
BC337-40
Amplifier Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
These are Pb-Free Devices
COLLECTOR
1
2
MAXIMUM RATINGS
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 Vdc
3
EMITTER
Collector — Base Voltage VCBO 50 Vdc
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 800 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD

 4.5. bc337-338.pdf Size:172K _lge

BC337/338(NPN)
TO-92 Bipolar Transistors
TO-92
1. COLLECTOR
2. BASE
3. EMITTER
Features

Power dissipation
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage BC337 50
V
BC338 30
VCEO Collector-Emitter Voltage BC337 45
V
BC338 25
Dimensions in inches and (millimeters)
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collecto

Характеристики семейства транзисторов BC548

Все члены семейства BC548 выдерживают выходные токи (ток между коллектором и эмиттером) до 100 мА, а максимальное напряжение зависит от модели, как мы это можем видеть на следующем рисунке.

Здесь видно, что диапазон рабочих напряжений в зависимости от модели составляет от 30В до 65В. Если наша схема питается от напряжения 5В, 12В или 24В, мы можем использовать любую модель семейства без каких-либо проблем.

Максимальный постоянный ток 100 мА, а непродолжительный пиковый ток может достигать 200 мА

Важно уточнить, что некоторые производители, такие как Fairchild, выпустили транзистор BC548, который обеспечивает ток до 500 мА, однако он не соответствует стандартным характеристикам этого компонента (это можно увидеть на листе производителя Fairchild)

Это создало некоторую путаницу сред радиолюбителей о реальных возможностях транзистора BC548 . Чтобы не рисковать, рекомендуем вам соблюдать ограничение в 100 мА, указанное для стандартной модели.

Транзисторы серии BC54x имеют превосходный коэффициент усиления (hFE) от 110 до 800. В конце маркировки транзистора можно видеть букву, которая служит для более точного определения диапазона усиления. Если буква отсутствует, то коэффициент усиления охватывает весь возможный диапазон (от 110 до 800) . В следующей таблице приведены значения hFE для транзисторов серии BC54x соответствующее последней букве кода.

При проектировании электронной схемы, обычно берется в расчет минимальный коэффициент усиления.  Это гарантирует правильную работу схемы при любых обстоятельствах, даже если транзистор будет заменен другим подобным.

В случае BC548 все модели семейства взаимозаменяемы, за исключением нескольких случаев (в схемах с высоким рабочим напряжением или очень низким уровнем сигнала в схемах усиления). Ниже представлена распиновка BC548:

Аналоги и комплементарная пара

Существуют зарубежные устройства, которые полностью идентичны ВС337 по своим характеристикам и распиновке: BC184, 2N4401, MPSA06. Российская промышленность также выпускает изделия, которыми его можно заменить: КТ660А, КТ3102Б, КТ928.

Перед заменой транзистора нужно разобраться, в какой схеме и для чего он используется, а также знать режимы его работы и сравнить технические характеристики оригинального и предполагаемого на замену прибора. И только после этого можно решать, подходит он или нет.

В качестве комлементарой пары производители рекомендуют использовать BC327.

Производители

Все DataSheet от указных производителей ВС557 можно скачать здесь. Производители: Diotec Semiconductor, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Rectron Semiconductor, Unisonic Technologies, Fairchild Semiconductor, Continental Device India Limited, Olitech Electronics, Foshan Blue Rocket Electronics, First Silicon, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, KEC(Korea Electronics), Micro Electronics, ON Semiconductor, NXP Semiconductors, Dc Components, SEMTECH ELECTRONICS, Tiger Electronic, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Micro Commercial Components, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Siemens Semiconductor Group, General Semiconductor.

BC337-25 Datasheet (PDF)

1.1. bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf Size:88K _update

BC337-xBK / BC338-xBK
BC337-xBK / BC338-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-05-27
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9

1.2. bc337-25 bc337-40.pdf Size:66K _st

BC337-25
BC337-40

SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC337-25 BC337-25 TO-92 / Bulk
BC337-25-AP BC337-25 TO-92 / Ammopack
BC337-40 BC337-40 TO-92 / Bulk
BC337-40-AP BC337-40 TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
THE PNP COMPLEMENTARY TYPES ARE

 1.3. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi

BC337-16
BC337-25
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from
Process 12. See TN3019A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
VCES Collector-Base Voltage 50

1.4. bc337-25-40.pdf Size:141K _onsemi

BC337, BC337-25,
BC337-40
Amplifier Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
These are Pb-Free Devices
COLLECTOR
1
2
MAXIMUM RATINGS
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 Vdc
3
EMITTER
Collector — Base Voltage VCBO 50 Vdc
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 800 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

Type Mat Struct Pc Ucb Uce Ueb Ic Tj Ft Cc Hfe Caps
2N7051 Si NPN 0.625 100 100 12 1.5 150 200  1000 TO92
2N7052 Si NPN 0.625 100 100 12 1.5 150 200  1000 TO92
2SC3726 Si NPN 0.9 50   2 155 150  1200 TO92
2SC4169 Si NPN 1 50 50 6 1.2 175   4000 TO92
2SD1146 Si NPN 0.9 50   2 150   300 TO92
2SD1153 Si NPN 0.9 80 50 10 1.5 150 120  6000 TO92
2SD1153A Si NPN 0.9 80 50 10 1.5 150 120  8000 TO92
2SD1207U Si NPN 1 60 50 6 2 150 150 12 280 TO92
2SD1209 Si NPN 0.9 60   1 150   4000 TO92
2SD1388 Si NPN 0.7 60   1 150   250 TO92
2SD1616AL Si NPN 0.75 120 60 8 1 150 100 19 300 TO92
2SD1616L Si NPN 0.75 60 50 8 1 150 100 19 300 TO92
2SD1698 Si NPN 0.75 100   0.8 150   10000 TO92
2SD1701 Si NPN 0.75 1700   0.8 150   10000 TO92
2SD1835U Si NPN 0.75 60 50 6 2 150 150 12 280 TO92
2SD1853 Si NPN 0.7 80 60 6 1.5 150   2000 TO92
2SD1929 Si NPN 1.2 60   2 150   5000 TO92
2SD1930 Si NPN 1.2 100   2 150   5000 TO92
2SD1931 Si NPN 1.2 60   2 150   10000 TO92
2SD1978 Si NPN 0.9 120   1.5 150   10000 TO92
2SD1981 Si NPN 1 100 80 6 2 150   24000 TO92
2SD2046 Si NPN 1 50   1.5 150   5000 TO92
2SD2068 Si NPN 1 60   1 150   18000 TO92
2SD2088 Si NPN 0.9 60 60 8 2 150 100 20 4000 TO92
2SD2206 Si NPN 0.9 100 100 8 2 150 100 20 4000 TO92
2SD2206A Si NPN 0.9  120  2    2000 TO92MOD
2SD2213 Si NPN 0.9 150 80 8 1.5 150   1000 TO92MOD
2SD2248 Si NPN 0.9 80 80 8 2 150 100 20 4000 TO92
BC337-040 Si NPN 0.625  45  0.8  210  250 TO92
BC337-40 Si NPN 0.36 50 45 5 0.8 150 60 20 250 TO92
BC337A-25 Si NPN 0.625 60 60 5 0.8 150 100 18 250 TO92
BC337BPL Si NPN 0.625 50 45 5 0.8 150 100 18 250 TO92
BC337CP Si NPN 0.36 50 45 5 0.8 150 60 20 250 TO92
BC618 Si NPN 0.625 80 55 12 1 150 150 4.5 3000 TO92
BC875 Si NPN 0.8 60 45 5 1 150 200  1000 TO92
BC877 Si NPN 0.8 80 60 5 1 150 200  1000 TO92
BC879 Si NPN 0.8 100 80 5 1 150 200  1000 TO92
BCX74-40 Si NPN 0.625 75 45 5 1 150 100 12 250 TO92
BSR50 Si NPN 0.8 60 45 5 2 150 175  2000 TO92
BSR51 Si NPN 0.8 80 60 5 2 150 175  2000 TO92
BSR52 Si NPN 0.8 100 80 5 1 150 175  4000 TO92
CE1N2R Si NPN 1 60 60 15 2 150   1000 TO92
CE2F3P Si NPN 1 60 60 15 2 150   1000 TO92
CSD1616L Si NPN 0.75 60 50 6 1 150 100 19 300 TO92
ECG2341 Si NPN 0.8  80  1 150   2000 TO92
ECG48 Si NPN 1  50  1 150 100  25000 TO92
KSD1616-L Si NPN 0.75 60 50 6 1 150 100 19 300 TO92
KSD1616AL Si NPN 0.75 120 60 8 1 150 100 19 300 TO92
KSD1616L Si NPN 0.75 60 50 8 1 150 100 19 300 TO92
KTD2854 Si NPN 1 100 100 8 2 150 100 20 2000 TO92L
MPSW45A Si NPN 1 60 50 12 1 150 100 6 25000 TO92
MPSW45AG Si NPN 1 60 50 12 1 150 100 6 25000 TO92
MPSW45ARLRAG Si NPN 1 60 50 12 1 150 100 6 25000 TO92
MPSW45AZL1G Si NPN 1 60 50 12 1 150 100 6 25000 TO92
NTE2341 Si NPN 1 100 80 7 1    2000 TO92
NTE48 Si NPN 1 60 50 12 1    25000 TO92
SK3250 Si NPN 0.75 100 50 6 1  80  370 TO92M
SML2182 Si NPN 0.36  120  5 200 200  400 TO92
STX112 Si NPN 1.2 100 100 5 2 150   1000 TO92
TIPK110 Si NPN 0.8 60 60 5 2 150   1000 TO92
TIPK111 Si NPN 0.8 80 80 5 2 150   1000 TO92
TIPK112 Si NPN 0.8 100 100 5 2 150   1000 TO92
TIPK115 Si NPN 0.8 60 60 5 2 150   1000 TO92
TIPK116 Si NPN 0.8 80 80 5 2 150   1000 TO92
TIPK117 Si NPN 0.8 100 100 5 2 150   1000 TO92
TIPP110 Si NPN 0.8 60 60 5 2 150   1000 TO92
TIPP111 Si NPN 0.8 80 80 5 2 150   1000 TO92
TIPP112 Si NPN 0.8 100 100 5 2 150   1000 TO92

Всего результатов: 68

BC337-40 Datasheet (PDF)

1.1. bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf Size:88K _update

BC337-xBK / BC338-xBK
BC337-xBK / BC338-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-05-27
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9

1.2. bc337-25 bc337-40.pdf Size:66K _st

BC337-25
BC337-40

SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC337-25 BC337-25 TO-92 / Bulk
BC337-25-AP BC337-25 TO-92 / Ammopack
BC337-40 BC337-40 TO-92 / Bulk
BC337-40-AP BC337-40 TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
THE PNP COMPLEMENTARY TYPES ARE

 4.1. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi

BC337-16
BC337-25
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from
Process 12. See TN3019A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
VCES Collector-Base Voltage 50

4.2. bc337-a bc338.pdf Size:65K _central

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 4.3. bc337-16-25-40 bc338-16-25-40.pdf Size:234K _mcc

MCC
BC337-16/25/40
TM Micro Commercial Components
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
BC338-16/25/40
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
NPN
Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.
Collector-current 0.8A
Plastic-Encapsulate
Collector-base Voltage :VCBO=50V(BC337) , VCBO=30V(BC338)
Transistors
Lead Free Finish/RoHS Co

4.4. bc337-25-40.pdf Size:141K _onsemi

BC337, BC337-25,
BC337-40
Amplifier Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
These are Pb-Free Devices
COLLECTOR
1
2
MAXIMUM RATINGS
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 Vdc
3
EMITTER
Collector — Base Voltage VCBO 50 Vdc
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 800 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD

 4.5. bc337-338.pdf Size:172K _lge

BC337/338(NPN)
TO-92 Bipolar Transistors
TO-92
1. COLLECTOR
2. BASE
3. EMITTER
Features

Power dissipation
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage BC337 50
V
BC338 30
VCEO Collector-Emitter Voltage BC337 45
V
BC338 25
Dimensions in inches and (millimeters)
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collecto

Биполярный транзистор BC558A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC558A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 125

Корпус транзистора: TO226

BC558A
Datasheet (PDF)

1.1. bc556abk bc557abk bc558abk bc559abk bc556bbk bc557bbk bc558bbk bc559bbk bc556cbk bc557cbk bc558cbk bc559cbk.pdf Size:80K _update

BC556xBK … BC559xBK
BC556xBK … BC559xBK
General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors
PNP PNP
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2009-12-07
±0.1
Power dissipation – Verlustleistung 500 mW
4.6
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
C B E
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial

5.1. bc556 bc557 bc558.pdf Size:159K _motorola

MOTOROLA
Order this document
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
by BC556/D
Amplifier Transistors
BC556,B
PNP Silicon
BC557A,B,C
COLLECTOR
BC558B
1
2
BASE
3
EMITTER
MAXIMUM RATINGS
1
2
BC BC BC
3
556 557 558
Rating Symbol Unit
CASE 2904, STYLE 17
CollectorEmitter Voltage VCEO 65 45 30 Vdc
TO92 (TO226AA)
CollectorBase Voltage VCBO 80 50 30 Vdc
EmitterBase Voltage VEBO

5.2. bc556 bc557 bc558 2.pdf Size:220K _motorola

MOTOROLA
Order this document
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
by BC556/D
Amplifier Transistors
BC556,B
PNP Silicon
BC557A,B,C
COLLECTOR
BC558B
1
2
BASE
3
EMITTER
MAXIMUM RATINGS
1
2
BC BC BC
3
556 557 558
Rating Symbol Unit
CASE 2904, STYLE 17
CollectorEmitter Voltage VCEO 65 45 30 Vdc
TO92 (TO226AA)
CollectorBase Voltage VCBO 80 50 30 Vdc
EmitterBase Voltage VEBO

 5.3. bc556 bc557 bc558 bc559 bc560.pdf Size:43K _fairchild_semi

BC556/557/558/559/560
Switching and Amplifier
High Voltage: BC556, VCEO= -65V
Low Noise: BC559, BC560
Complement to BC546 … BC 550
TO-92
1
1. Collector 2. Base 3. Emitter
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage
: BC556 -80 V
: BC557/560 -50 V
: BC558/559 -30 V
VCEO Col

5.4. bc556b bc557a-b-c bc558b.pdf Size:81K _onsemi

BC556B, BC557A, B, C,
BC558B
Amplifier Transistors
PNP Silicon
http://onsemi.com
Features
Pb-Free Packages are Available*
COLLECTOR
1
MAXIMUM RATINGS 2
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO Vdc
3
BC556 -65
EMITTER
BC557 -45
BC558 -30
Collector — Base Voltage VCBO Vdc
BC556 -80
BC557 -50
BC558 -30
TO-92
Emitter — Base Voltage VEBO -5.0 Vdc CASE 29

 5.5. sbc558.pdf Size:94K _auk

 SBC558
Semiconductor
Semiconductor
PNP Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose application
• Switching application
Features
• High voltage : VCEO=-30V
• Complementary pair with SBC548
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
SBC558 SBC558 TO-92
Outline Dimensions unit : mm
3.45±0.1
4.5±0.1
2.25±0.1
0.4±0.02
2.06±0.1
1.27 Typ.
2.54 Typ.

5.6. bc556 bc557 bc558.pdf Size:353K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
BC556, A, B,
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC557, A, B, C
BC558, A, B, C
TO-92
Plastic Package
For Lead Free Parts, Device
Part # will be Prefixed with
E
B «T»
C
Amplifier Transistors
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25?C)
DESCRIPTION SYMBOL BC556 BC557 BC558 UNITS
Collector Emitter

5.7. bc556 bc557 bc558.pdf Size:274K _kec

SEMICONDUCTOR BC556/7/8
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION .
B C
FEATURES
For Complementary With NPN Type BC546/547/548.
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
K
G B 4.80 MAX
C 3.70 MAX
D
D 0.45
E 1.00
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
F 1.27
G 0.85
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
H 0.45
_
H J 14.00 + 0.50
BC556 -80
K 0.55 M

5.8. bc556 bc557 bc558.pdf Size:2241K _wietron

BC556, A/B
BC557, A/B/C
BC558, A/B/C
PNP General Purpose Transistor
COLLECTOR
3
P b Lead(Pb)-Free
2
BASE
1
2
3
1
EMITTER
TO-92
Maximum Ratings ?
( T =25 C unless otherwise noted)
A
Rating Symbol BC556 BC557 BC558 Unit
V -65 -45
Collector-Emitter Voltage ECO -30
V
-30
V
Collector-Base Voltage CBO -80 -50 V
V
EBO
Emitter-Base Voltage -5 -5 -5 V
l 100
Collector Current Co

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Биполярный транзистор BC337-025 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC337-025

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 210
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160

Корпус транзистора: TO92

BC337-025
Datasheet (PDF)

4.1. bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf Size:88K _update

BC337-xBK / BC338-xBK
BC337-xBK / BC338-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-05-27
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9

4.2. bc337-25 bc337-40.pdf Size:66K _st

BC337-25
BC337-40

SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC337-25 BC337-25 TO-92 / Bulk
BC337-25-AP BC337-25 TO-92 / Ammopack
BC337-40 BC337-40 TO-92 / Bulk
BC337-40-AP BC337-40 TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
THE PNP COMPLEMENTARY TYPES ARE

 4.3. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi

BC337-16
BC337-25
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from
Process 12. See TN3019A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
VCES Collector-Base Voltage 50

4.4. bc337-a bc338.pdf Size:65K _central

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 4.5. bc337-16-25-40 bc338-16-25-40.pdf Size:234K _mcc

MCC
BC337-16/25/40
TM Micro Commercial Components
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
BC338-16/25/40
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
NPN
Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.
Collector-current 0.8A
Plastic-Encapsulate
Collector-base Voltage :VCBO=50V(BC337) , VCBO=30V(BC338)
Transistors
Lead Free Finish/RoHS Co

4.6. bc337-25-40.pdf Size:141K _onsemi

BC337, BC337-25,
BC337-40
Amplifier Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
These are Pb-Free Devices
COLLECTOR
1
2
MAXIMUM RATINGS
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 Vdc
3
EMITTER
Collector — Base Voltage VCBO 50 Vdc
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 800 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD

4.7. bc337-338.pdf Size:172K _lge

BC337/338(NPN)
TO-92 Bipolar Transistors
TO-92
1. COLLECTOR
2. BASE
3. EMITTER
Features

Power dissipation
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage BC337 50
V
BC338 30
VCEO Collector-Emitter Voltage BC337 45
V
BC338 25
Dimensions in inches and (millimeters)
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collecto

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

BC337-040 Datasheet (PDF)

4.1. bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf Size:88K _update

BC337-xBK / BC338-xBK
BC337-xBK / BC338-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-05-27
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9

4.2. bc337-25 bc337-40.pdf Size:66K _st

BC337-25
BC337-40

SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC337-25 BC337-25 TO-92 / Bulk
BC337-25-AP BC337-25 TO-92 / Ammopack
BC337-40 BC337-40 TO-92 / Bulk
BC337-40-AP BC337-40 TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
THE PNP COMPLEMENTARY TYPES ARE

 4.3. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi

BC337-16
BC337-25
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from
Process 12. See TN3019A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
VCES Collector-Base Voltage 50

4.4. bc337-a bc338.pdf Size:65K _central

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 4.5. bc337-16-25-40 bc338-16-25-40.pdf Size:234K _mcc

MCC
BC337-16/25/40
TM Micro Commercial Components
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
BC338-16/25/40
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
NPN
Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.
Collector-current 0.8A
Plastic-Encapsulate
Collector-base Voltage :VCBO=50V(BC337) , VCBO=30V(BC338)
Transistors
Lead Free Finish/RoHS Co

4.6. bc337-25-40.pdf Size:141K _onsemi

BC337, BC337-25,
BC337-40
Amplifier Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
These are Pb-Free Devices
COLLECTOR
1
2
MAXIMUM RATINGS
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 Vdc
3
EMITTER
Collector — Base Voltage VCBO 50 Vdc
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 800 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD

4.7. bc337-338.pdf Size:172K _lge

BC337/338(NPN)
TO-92 Bipolar Transistors
TO-92
1. COLLECTOR
2. BASE
3. EMITTER
Features

Power dissipation
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage BC337 50
V
BC338 30
VCEO Collector-Emitter Voltage BC337 45
V
BC338 25
Dimensions in inches and (millimeters)
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collecto

Оцените статью:
Оставить комментарий
Adblock
detector