Главная > Дополнительно > Транзистор 13001

Транзистор 13001

Содержание

1 Распиновка
2 ALJ13002 Datasheet (PDF)
3 Маркировка
4 S13005ED Datasheet (PDF)
5 H13005D Datasheet (PDF)
6 E13005-250 Datasheet (PDF)
7 KSH13005W Datasheet (PDF)
8 Маркировка
9 Основные технические характеристики
- 9.1 Предельные режимы эксплуатации
- 9.2 Электрические характеристики
10 Биполярный транзистор ALJ13002 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
11 ALJ13002 Datasheet (PDF)
12 Технические характеристики
- 12.1 Электрические параметры
- 12.2 Аналоги
13 Биполярный транзистор S13005ED — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
14 S13005ED Datasheet (PDF)
15 STI13005-1 Datasheet (PDF)
16 3DD13007_B8 Datasheet (PDF)
17 H13005 Datasheet (PDF)
18 Биполярный транзистор 13005F — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
19 13005F Datasheet (PDF)

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

ALJ13002 Datasheet (PDF)

Кт807б

1.1. alj13002.pdf Size:103K _update

SUNROC
ALJ13002 TRANSISTOR(NPN)
FEATURES
1. EMITTER
Power dissipation
2.COLLECTOR
PCM:0.8W(Tamb=25℃)
Collector current
3.BASE
ICM:0.6A
Collector-base voltage
V(BR)CBO: 600V
1 2 3
Opcrating and storage junction temperature range
TJ,Tstg:-65℃ to -150℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃ unless otherwise specjfied):
MIN TYP MAX UNIT
Parameter Symbol Tes

3.1. alj13003.pdf Size:104K _update

SUNROC
ALJ13003 TRANSISTOR(NPN)
FEATURES
·power switching applications
MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 600 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V
VEBO Emitter-Base Voltage 9 V
IC Collector Current-Continuous 1.2 A
PC Collector Power Dissipation 25 W
TJ Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature -55

3.2. alj13005.pdf Size:150K _update

SUNROC
ALJ13005 TRANSISTOR(NPN)
MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted)
MAXI Parameter Value Units
Collector-Base Voltage
VCBO 700 V
Collector-Emitter Voltage
VCEO 400 V
Emitter-Base Voltage
VEBO 9 V
Collector Current
IC 2.0 A
Collector Power Dissipation
PC 50 W
Junction Temperature
Tj 150 ℃
Storag Temperature -55～150 ℃
Tstg
ELECTRICAL CHARACTERISTICS

3.3. alj13003-251.pdf Size:104K _update

3.4. alj13001.pdf Size:195K _update

SUNROC
ALJ13001 TRANSISTOR (NPN)
TO-92
FEATURES
1. BASE
power switching applications
2. COLLECTOR
3. EMITTER
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
1 2 3
VCBO Collector -Base Voltage 600 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V
VEBO Emitter-Base Voltage 7 V
IC Collector Current -Continuous 0.2 A
PC Collector Power Dissipation

Маркировка

Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

S13005ED Datasheet (PDF)

C5353 транзистор характеристики

1.1. s13005ed.pdf Size:116K _jdsemi

R
S13005ED
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si NPN
◆RoHS COMPLIANT
1．
1．
1．APPLICATION
1．
Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、
and Switch-mode power supplies
2．
2．
2

4.1. ts13005 b07.pdf Size:364K _taiwansemi

TS13005
High Voltage NPN Transistor
TO-220 ITO-220
Pin Definition:
PRODUCT SUMMARY
1. Base
BVCEO 400V
2. Collector
3. Emitter
BVCBO 700V
IC 4A
VCE(SAT) 1V @ IC / IB = 4A / 1A
Features Block Diagram
? High Voltage
? High Speed Switching
Structure
? Silicon Triple Diffused Type
? NPN Silicon Transistor
Ordering Information
Part No. Package Packing
TS13005CZ

4.2. ts13005ci-cz.pdf Size:361K _taiwansemi

TS13005
High Voltage NPN Transistor
TO-220 ITO-220
Pin Definition:
PRODUCT SUMMARY
1. Base
BVCEO 400V
2. Collector
3. Emitter
BVCBO 700V
IC 4A
VCE(SAT) 1V @ IC / IB = 4A / 1A
Features Block Diagram
● High Voltage
● High Speed Switching
Structure
● Silicon Triple Diffused Type
● NPN Silicon Transistor
Ordering Information
Part No. Package Packing

4.3. s13005a.pdf Size:113K _jdsemi

R
S13005A
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si NPN
◆RoHS COMPLIANT
1．
1．
1．APPLICATION
1．
Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、
Charger and Switch-mode power supplies
2．
2

H13005D Datasheet (PDF)

Транзистор h945

1.1. h13005dl.pdf Size:120K _jdsemi

R
H13005DL
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si NPN
◆RoHS COMPLIANT
1．
1．
1．APPLICATION
1．
Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp、
Electronic Ballast，etc
2．
2．
2

1.2. h13005d 2.pdf Size:118K _jdsemi

R
H13005D
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si NPN
◆RoHS COMPLIANT
1．
1．
1．APPLICATION
1．
Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、
and Switch-mode power supplies
2．
2．
2．

1.3. h13005d.pdf Size:118K _jdsemi

E13005-250 Datasheet (PDF)

1.1. e13005-250.pdf Size:163K _upd

E13005-250

Pb
E13005-250
Pb Free Plating Product
MJE Power Transistor
Product specification
MJE13005 series
Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION
Silicon NPN, high power transistors in a plastic
envelope, primarily for use in high-speed power
switching circuits.
1. B 2. C 3. E
Absolute Maximum Ratings ( Ta = 25℃ )
Parameter Value Unit
l
Collector-Base Voltage VCBO 70

2.1. e13005-225.pdf Size:162K _upd

E13005-225

Pb
E13005-225
Pb Free Plating Product
MJE Power Transistor
Product specification
MJE13005 series
Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION
Silicon NPN, high power transistors in a plastic
envelope, primarily for use in high-speed power
switching circuits.
1. B 2. C 3. E
Absolute Maximum Ratings ( Ta = 25℃ )
Parameter Value Unit
l
Collector-Base Voltage VCBO 70

3.1. mje13005-k.pdf Size:393K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MJE13005-K NPN SILICON TRANSISTOR
NPN SILICON POWER
TRANSISTORS
? DESCRIPTION
These devices are designed for high-voltage, high-speed
power switching inductive circuits where fall time is critical.
They are particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE.
? FEATURES
* VCEO(SUS)= 400 V
* Reverse bias SOA with inductive loads @ TC = 100°С
* Indu

KSH13005W Datasheet (PDF)

1.1. ksh13005w.pdf Size:144K _shantou-huashan

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
KSH13005W
█ HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICICATION
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Montor Control
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
TO-263（D2PAK）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃
Tj——Junction Temperature………

2.1. ksh13005a.pdf Size:227K _upd

KSH13005A
KSH13005A
◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007
KSH130
005A
KSH13005A
Switch Mode series NPN silicon Power Transistor
Switch Mode series NPN silicon Power Transistor
— High voltage, high speed power switching
— Suitable for switching regulator, inverters motor controls
4 Amperes
NPN Silicon Power Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted
75 Watts
TO-220

2.2. ksh13005af.pdf Size:223K _upd

KSH13005AF
KSH13005AF
◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007
KSH130
005AF
KSH13005AF
Switch Mode series NPN silicon Power Transistor
Switch Mode series NPN silicon Power Transistor
— High voltage, high speed power switching
— Suitable for switching regulator, inverters motor controls
4 Amperes
NPN Silicon Power Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted
75 Watts
TO

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе.
Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (V_CEO) 400 вольт, а порогового (V_CEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (I_C) 1.5 A, а импульсного пиковое (I_CM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора I_C не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Биполярный транзистор ALJ13002 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: ALJ13002

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора: TO92

ALJ13002
Datasheet (PDF)

1.1. alj13002.pdf Size:103K _update

3.1. alj13003.pdf Size:104K _update

3.2. alj13005.pdf Size:150K _update

3.3. alj13003-251.pdf Size:104K _update

3.4. alj13001.pdf Size:195K _update

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Технические характеристики

Рассмотрим основные технические параметры транзистора 13002. Они приведены в datasheet в разделах максимальных значений и электрических характеристик. Превышение предельно допустимых величин приводит к выходу устройства из строя.

Максимальные значения параметров для транзистора 13002:

напряжение К-Э: (V_C_E_{O (}_SUS₎) до 300 В;
напряжение Э-Б: (V_EBO) до 9 В;
ток коллектора: (I_C) до 1.5 А; (I_C_M) до 3 А (пиковый);
ток базы: (I_В) = 0.75 А; (I_ВМ) до 1.5 А (пиковый);
рассеиваемая мощность (Р_D): до 1.4 Вт (без радиатора); до 40 Вт (с теплоотводом);
диапазон рабочих температур (T_J,T_stg) от -65 до +150ОС.

Электрические параметры

Электрические характеристики представляют собой перечень номинальных значений параметров, при которых гарантируется стабильная работа полупроводникового устройства. Для транзистора 13002 представлены в таблице ниже. Обычно производитель указывает их с учётом температуры кристалла не более +25ОС. В столбце «режимы измерений» приведены условия тестирования.

Аналоги

Наиболее подходящей заменой для рассматриваемого полупроводникового триода можно назвать более мощный транзистор 13003. Он встречается с символами в начале маркировке: MJE, ST, PHE, KSE, указывающими на производителя. По расположению выводов полностью идентичен. Имеет лучшие технические параметры, но перед его использованием внимательно ознакомьтесь с datasheet.

Наиболее близкими российскими аналогами является: КТ8170Б1, КТ872.

Биполярный транзистор S13005ED — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S13005ED

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: SOT82

S13005ED
Datasheet (PDF)

1.1. s13005ed.pdf Size:116K _jdsemi

4.1. ts13005 b07.pdf Size:364K _taiwansemi

4.2. ts13005ci-cz.pdf Size:361K _taiwansemi

TS13005
High Voltage NPN Transistor
TO-220 ITO-220
Pin Definition:
PRODUCT SUMMARY
1. Base
BVCEO 400V
2. Collector
3. Emitter
BVCBO 700V
IC 4A
VCE(SAT) 1V @ IC / IB = 4A / 1A
Features Block Diagram
● High Voltage
● High Speed Switching
Structure
● Silicon Triple Diffused Type
● NPN Silicon Transistor
Ordering Information
Part No. Package Packing

4.3. s13005a.pdf Size:113K _jdsemi

STI13005-1 Datasheet (PDF)

1.1. sti13005-1.pdf Size:235K _update

STI13005-1
High voltage fast-switching NPN power transistor
Preliminary data
Features
■ STI13005-1 is opposite pin out versus standard
IPAK package
■ High voltage capability
■ Low spread of dynamic parameters
3
■ Very high switching speed
2
1
Application
IPAK
■ Switch mode power supplies (AC-DC
converters)
Description Figure 1. Internal schematic diagram
The device

2.1. sti13005h.pdf Size:226K _update

STI13005-H
High voltage fast-switching NPN power transistor
Datasheet — production data
Features
■ Low spread of dynamic parameters
■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
TAB
■ Very high switching speed
Applications
3
2
1
■ Electronic ballast for fluorescent lighting
I2PAK
■ Switch mode power supplies
Description
This device is manufactured using high volta

3DD13007_B8 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd13007 b8d.pdf Size:154K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DD13007 B8D
产品概述特征参数
产品特点
3DD13007 B8D 是硅 ● 开关损耗低符号额定值单位
● 反向漏电流小
NPN 型功率开关晶体管，该 VCEO 400 V
● 高温特性好
IC 7 A
产品采用平面工艺，
分压环
● 合适的开关速度
Ptot
（TC=25℃） 80 W
终端结构和少

1.2. 3dd13007 h8d.pdf Size:155K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DD13007 H8D
产品概述特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DD13007 H8D 是硅符号额定值单位
● 反向漏电流小
NPN 型功率开关晶体管，该 VCEO 400 V
● 高温特性好
IC 9 A
产品采用平面工艺，
分压环
● 合适的开关速度
Ptot W
（TC=25℃） 90
终端结构和

1.3. 3dd13007 b8.pdf Size:155K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DD13007 B8
产品概述特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DD13007 B8 是硅 NPN 符号额定值单位
● 反向漏电流小
型功率开关晶体管， VCEO 400 V
该产品
● 高温特性好
IC 8 A
采用平面工艺，
分压环终端
● 合适的开关速度
Ptot W
（TC=25℃） 80
结构和

1.4. 3dd13007 z7.pdf Size:151K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DD13007 Z7
产品概述特征参数
产品特点
3DD13007 Z7 是硅 NPN ● 开关损耗低符号额定值单位
● 反向漏电流小
VCEO 200 V
型功率开关晶体管，
该产品
● 高温特性好
IC 8 A
采用平面工艺，
分压环终端
● 合适的开关速度
Ptot （TC=25℃） 50 W
结构和少

1.5. 3dd13007 x1.pdf Size:153K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DD13007 X1
产品概述特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DD13007 X1 是硅NPN
符号额定值单位
● 反向漏电流小
型功率开关晶体管， VCEO 400 V
该产品
● 高温特性好
IC 8 A
采用平面工艺，
分压环终端
● 反向击穿电压高
Ptot W
（TC=25℃） 80
结构和

1.6. 3dd13007 y8.pdf Size:153K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DD13007 Y8
产品概述特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DD13007 Y8 是硅NPN
符号额定值单位
● 反向漏电流小
型功率开关晶体管， VCEO 340 V
该产品
● 高温特性好
IC 7 A
采用平面工艺，
分压环终端
● 反向击穿电压高
Ptot W
（TC=25℃） 80
结构和

1.7. 3dd13007 z8.pdf Size:154K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DD13007 Z8
产品概述特征参数
产品特点
3DD13007 Z8 是硅 NPN ● 开关损耗低符号额定值单位
● 反向漏电流小
VCEO 200 V
型功率开关晶体管，
该产品
● 高温特性好
IC 8 A
采用平面工艺，
分压环终端
● 合适的开关速度
Ptot （TC=25℃） 75 W
结构和少

H13005 Datasheet (PDF)

1.1. ksh13005a.pdf Size:227K _upd

1.2. ksh13005af.pdf Size:223K _upd

1.3. ksh13005w.pdf Size:144K _shantou-huashan

1.4. h13005adl.pdf Size:120K _jdsemi

R
H13005ADL
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si NPN
◆RoHS COMPLIANT
1．
1．
1．APPLICATION
1．
Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp、
Electronic Ballast，etc
2．
2．
2

1.5. h13005dl.pdf Size:120K _jdsemi

1.6. h13005.pdf Size:116K _jdsemi

R
H13005
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si NPN
◆RoHS COMPLIANT
1．
1．
1．APPLICATION
1．
Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、
Charger and Switch-mode power supplies
2．
2

1.7. h13005d 2.pdf Size:118K _jdsemi

1.8. h13005d.pdf Size:118K _jdsemi

Биполярный транзистор 13005F — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 13005F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO220F

13005F
Datasheet (PDF)

1.1. kse13005f.pdf Size:23K _samsung

KSE13005F NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONS
TO-220F
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector Base Voltage VCBO 700 V
Collector Emitter Voltage V CEO 400 V
Emitter Base Voltage VEBO 9 V
Collector Current (DC) IC 4 A
Collector Current (Pulse) IC 8 A
Bas

1.2. std13005f.pdf Size:274K _auk

STD13005F
NPN Silicon Power Transistor
SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS
Features
PIN Connection
• High speed switching
• VCEO(sus)=400V
C
• Suitable for Switching Regulator and Motor Control
B
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
B C E
E
STD13005F STD13005 TO-220F-3L
Marking Diagram
Column 1 : Manufacturer
Column 2 : Production Information
AU

1.3. std13005fc.pdf Size:271K _auk

STD13005FC
NPN Silicon Power Transistor
SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS
Features
PIN Connection
• High speed switching
• VCEO(sus)=400V
C
• Suitable for Switching Regulator and Motor Control
B
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
B C E
E
STD13005FC STD13005 TO-220F-3SL
Absolute maximum ratings (Tc=25℃)
Characteristic Symbol Ratings Unit
Coll

1.4. mje13005f.pdf Size:442K _kec

SEMICONDUCTOR MJE13005F
TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
SWITCHING REGULATOR APPLICATION.
HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATION.
HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATION.
FLUORESCENT LIGHT BALLASTOR APPLICATION.
FEATURES
·Excellent Switching Times
: ton=0.8μ S(Max.), at IC=2A
S(Max.), tf=0.9μ
·High Collector Voltage : VCBO=700V.
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC S

1.5. 3dd13005f9-1.pdf Size:161K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DD13005 F9-1
产品概述特征参数
产品特点
● 开关损耗低符号额定值单位
3DD13005 F9-1 是硅
● 反向漏电流小
VCEO 450 V
NPN 型功率开关晶体管，该
● 高温特性好
IC 6 A
产品采用平面工艺，
分压环
● 合适的开关速度
Ptot （TC=25℃） 80 W
终端结构和

1.6. 3dd13005f7.pdf Size:147K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DD13005 F7
产品概述特征参数
产品特点
● 开关损耗低符号额定值单位
3DD13005 F7 是硅 NPN
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
型功率开关晶体管，
该产品
● 高温特性好
IC 6 A
采用平面工艺，
分压环终端
● 合适的开关速度
Ptot （TC=25℃） 65 W
结构

1.7. 3dd13005f8-1.pdf Size:170K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DD13005 F8-1
产品概述特征参数
产品特点
符号额定值单位
3DD13005 F8-1 是硅 ● 开关损耗低
● 反向漏电流小
VCEO 450 V
NPN 型功率开关晶体管，该
● 高温特性好
IC 6 A
产品采用平面工艺，
分压环
● 合适的开关速度
Ptot （TC=25℃） 80 W
终端结构

1.8. 3dd13005f8.pdf Size:154K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DD13005 F8
产品概述特征参数
产品特点
● 开关损耗低符号额定值单位
3DD13005 F8 是硅 NPN
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
型功率开关晶体管，
该产品
● 高温特性好
IC 6 A
采用平面工艺，
分压环终端
● 合适的开关速度
Ptot （TC=25℃） 80 W
结构

1.9. 13005f.pdf Size:117K _jdsemi

R
13005F
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si NPN
◆RoHS COMPLIANT
1．
1．
1．APPLICATION
1．
Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、
Charger and Switch-mode power supplies
2．
2

1.10. mje13005f.pdf Size:251K _first_silicon

SEMICONDUCTOR
MJE13005F
TECHNICAL DATA
C
MJE13005F TRANSISTOR (NPN) A
SWITCHING REGULATOR APPLICATION.
HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATION. E DIM MILLIMETERS
_
A 10 16 0 20
+
HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATION.
_
B 15 00 0 20
+
_
C 3 00 0 20
+
FLUORESCENT LIGHT BALLASTOR APPLICATION.
D 0 625±0 125
E 3 50 typ
F 2 7 typ
_
G 16 80 0 4
+
FEATURES
L
M
_
H 0 45 0 1