Маркировка транзисторов — какая она бывает? типы, параметры и характеристики транзисторов, маркировка

Транзисторы в корпусе типа КТ-26

Для обозначения группы используется следующая цветная маркировка транзисторов: группе А соответствует темно-красная точка, Б – желтая, В – темно-зеленая, Г – голубая, Д – синяя, Е – белая, Ж – темно-коричневая, И – серебристая, К – оранжевая, Л – светло-табачная, М – серая.

Тип обозначают посредством указанных ниже символов и красок.

• КТ203 соответствует прямоугольный треугольник (катетами вниз и вправо) либо темно-красная точка.
• КТ208 – маленький круг (для этого типа цветовой маркировки нет).
• К209 – ромб (серая точка).
• К313 – символ, напоминающий перевернутую букву Т (оранжевая точка).
• КТ326 – перевернутый равносторонний треугольник (коричневая точка).
• КТ339 – равносторонний треугольник (голубая точка).
• КТ342 – четверть круга (синяя точка).
• КТ502 – полкруга (желтая точка); КТ503 – круг (белая точка).
• КТ3102 – прямоугольный треугольник катетами вверх и влево (темно-зеленая точка).
• КТ3157 – прямоугольный треугольник катетами влево и вниз (цветового обозначения нет).
• К366 – буква Т (цвета нет).
• КТ6127 – перевернутая буква П.
• КТ632 – символьного обозначения нет (серебристая точка).
• КТ638 – без символа (оранжевая точка).
• КТ680 – буква Г.
• КТ681 – вертикальная палочка.
• КТ698 – буква П.

Планарные MOSFETS транзисторы

D-PAK (доступны в корпусах I-Pak)

D2PAK (доступны в корпусах TO-262)

TO-220 и TO-247

Аудио MOSFET транзисторы класса D

Все корпуса

P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные

SOT-23

PQFN 2×2 мм, 3×3 мм

SO-8 и TSOP-6

PQFN 5×6мм

Цветовая и цифровая маркировка

Транзисторы, как и другие радиокомпоненты, маркируют с помощью цветового кода. Цветовой код состоит из изображения геометрических фигур (треугольников, квадратов, прямоугольников и др.), цветных точек и латинских букв.

Код наносится на плоских частях, крышке и других местах транзистора. По нему можно узнать тип транзистора, месяц и год изготовления. Места маркировки и расшифровка цветовых кодов некоторых типов транзисторов приведены на рис. 2…3 и в табл. 1…4. Практикуется также маркировка некоторых типов транзисторов цифровым кодом (табл. 4).

Таблица 1. Цветовая и кодовая маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов.

Таблица 2.  Цветовая маркировка транзистора КТ3107 .

Рис. 2. Места цветовой и кодовой маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов в корпусе КТ-26 (ТО-92).

Рис. 3. Места цветовой маркировки транзистора КТ3107 в корпусе КТ-26 (ТО-92).

Рис. 4. Места кодовой маркировки транзисторов в корпусе КТ-27 (ТО-126).

Таблица 3.  Цветовая и кодовая маркировки транзисторов.

Таблица 4. Кодовая маркировка мощных транзисторов.

Литература: В.М. Пестриков. Энциклопедия радиолюбителя.

Подключение транзисторов для управления мощными компонентами

Типичной задачей микроконтроллера является включение и выключение определённого компонента схемы. Сам микроконтроллер
обычно имеет скромные характеристики в отношении выдерживаемой мощности. Так Ардуино, при выдаваемых на контакт 5 В
выдерживает ток в 40 мА. Мощные моторы или сверхъяркие светодиоды могут потреблять сотни миллиампер. При подключении
таких нагрузок напрямую чип может быстро выйти из строя. Кроме того для работоспособности некоторых компонентов требуется
напряжение большее, чем 5 В, а Ардуино с выходного контакта (digital output pin) больше 5 В не может выдать впринципе.

Зато, его с лёгкостью хватит для управления транзистором, который в свою очередь будет управлять большим током. Допустим, нам нужно подключить длинную светодиодную ленту, которая требует 12 В и при этом потребляет 100 мА:

Теперь при установке выхода в логическую единицу (high), поступающие на базу 5 В откроют транзистор и через ленту потечёт ток — она будет светиться. При установке выхода в логический ноль (low), база будет заземлена через микроконтроллер, а течение тока заблокированно.

Обратите внимание на R. Он необходим, чтобы при подаче управляющего напряжения
не образовалось короткое замыкание по маршруту микроконтроллер — транзистор — земля

Главное — не превысить допустимый
ток через контакт Ардуино в 40 мА, поэтому нужно использовать резистор номиналом не менее:

здесь U_d — это падение напряжения на самом транзисторе. Оно зависит от материала из которого он изготовлен и обычно составляет 0.3 – 0.6 В.

Но совершенно не обязательно держать ток на пределе допустимого. Необходимо лишь, чтобы показатель gain транзистора позволил управлять необходимым током. В нашем случае — это 100 мА. Допустим для используемого транзистора
h_fe = 100, тогда нам будет достаточно управляющего тока в 1 мА

Нам подойдёт резистор номиналом от 118 Ом до 4.7 кОм. Для устойчивой работы с одной стороны и небольшой нагрузки на чип с другой, 2.2 кОм — хороший выбор.

Если вместо биполярного транзистора использовать полевой, можно обойтись без резистора:

это связано с тем, что затвор в таких транзисторах управляется исключительно напряжением: ток на участке микроконтроллер — затвор — исток отсутствует. А благодаря своим высоким характеристикам схема с использованием MOSFET позволяет управлять очень мощными компонентами.

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы (BJT, Bipolar Junction Transistors) имеют три контакта:

• Коллектор (collector) — на него подаётся высокое напряжение, которым хочется управлять
• База (base) — через неё подаётся небольшой ток, чтобы разблокировать большой; база заземляется, чтобы заблокировать его
• Эмиттер (emitter) — через него проходит ток с коллектора и базы, когда транзистор «открыт»

Основной характеристикой биполярного транзистора является показатель h_fe
также известный, как gain. Он отражает во сколько раз больший ток по участку коллектор–эмиттер
способен пропустить транзистор по отношению к току база–эмиттер.

Например, если h_fe = 100, и через базу проходит 0.1 мА, то транзистор пропустит
через себя как максимум 10 мА. Если в этом случае на участке с большим током находится компонент,
который потребляет, например 8 мА, ему будет предоставлено 8 мА, а у транзистора останется «запас».
Если же имеется компонент, который потребляет 20 мА, ему будут предоставлены только максимальные
10 мА.

Также в документации к каждому транзистору указаны максимально допустимые напряжения и токи на
контактах. Превышение этих величин ведёт к избыточному нагреву
и сокращению службы, а сильное превышение может привести к разрушению.

NPN и PNP

Описанный выше транзистор — это так называемый NPN-транзистор. Называется он так из-за того, что состоит
из трёх слоёв кремния, соединённых в порядке: Negative-Positive-Negative. Где negative — это сплав
кремния, обладающий избытком отрицательных переносчиков заряда (n-doped), а positive —
с избытком положительных (p-doped).

NPN более эффективны и распространены в промышленности.

PNP-транзисторы при обозначении отличаются направлением стрелки. Стрелка всегда указывает от P к N.
PNP-транзисторы отличаются «перевёрнутым» поведением: ток не блокируется, когда база заземлена и блокируется,
когда через неё идёт ток.

Справочники

Система обозначений транзисторов

Встречаются транзисторы (биполярные), которые имеют старую, введенную до 1964 г. систему обозначений. По старой системе в обозначение транзистора входит буква П и цифровой номер.

По номеру транзистора можно определить, для каких каскадов радиоэлектронной конструкции он разработан. Если перед буквой П стоит буква М, то это значит, что корпус транзистора холодносварочной конструкции. Расшифровка типов транзисторов по номеру следующая:

Низкочастотные (до 5 МГц):

• 1…100 — германиевые малой мощности, до 0,25 Вт;
• 101…201 — кремниевые до 0,25 Вт;
• 201…300 — германиевые большой мощности, более 0,25 Вт;
• 301…400 — кремниевые более 0,25 Вт.

Высокочастотные (свыше 5 МГц):

• 401…500 — германиевые до 0,25 Вт;
• 501…600 — кремниевые до 0,25 Вт;
• 601…700 — германиевые более 0,25 Вт;
• 701…800 — кремниевые более 0,25 Вт.

Например:

• П416 Б — транзистор германиевый, высокочастотный, малой мощности, разновидности Б;
• МП39Б — германиевый транзистор, имеющий холодносварочный корпус, низкочастотный, малой мощности, разновидности Б.

В новой системе обозначений используется буквенно-цифровой шифр, который состоит из 5 элементов:

1-й  элемент системы обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор и его содержание не отличается от системы обозначения диодов, то есть Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия, И или 4 — индий.

2-1  элемент — буква Т (биполярный) или П (полевой).

3-1  элемент — цифра, указывающая на функциональные возможности транзистора по допустимой рассеиваемой мощности и частотным свойствам.

Транзисторы малой мощности, Рmах < 0,3 Вт:

• 1    — маломощный низкочастотный, Гф< 3 МГц;
• 2    — маломощный среднечастотный, 3 < frp< 30 МГц;
• 3    — маломощный высокочастотный, 30 < fгр< 300 МГц.

Транзисторы средней мощности, 0,3 < Рmах <1,5 Вт:

• 4    — средней мощности низкочастотный;
• 5    — средней мощности среднечастотный;
• 6    — средней мощности высокочастотный.

Транзисторы большой мощности, Рmах >1,5 Вт:

• 7    — большой мощности низкочастотный;
• 8    — большой мощности среднечастотный;
• 9    — большой мощности высокочастотный и сверхвысокочастотный (frp > 300 Гц).

4-й элемент — цифры от 01 до 99, указывающие порядковый номер разработки.

5-й элемент — одна из букв от А до Я, обозначающая деление технологического типа приборов на группы.

Например: КТ540Б — кремниевый транзистор средней мощности среднечастотный, номер разработки 40, группа Б.

При изготовлении транзисторов используют различные технологические приемы, в результате чего получаются приборы со специфическими особенностями, эксплуатационными свойствами и параметрами. Цоколевка транзисторов, широко используемых радиолюбителями, дана на рис. 1.

Рис. 1. Цоколевка отечественных транзисторов.

Японская система JIS

Данная система состоит из символов и содержит в себе пять элементов. Первая цифра соответствует типу полупроводникового прибора: 0 – фотодиод или фототранзистор; 1 – диод; 2 – транзистор. Второй элемент – буква S, она ставится на всех элементах. Следующая буква соответствует типу транзистора: А – высокочастотный PNP; В – низкочастотный PNP; С — высокочастотный NPN; D — низкочастотный NPN; Н – однопереходной; J — полевой с N-каналом; К — полевой с P-каналом. Далее следует серийный номер продукта (10 – 9999). Последний, пятый, элемент — это модификация прибора (зачастую он может отсутствовать). Иногда наносится и шестой символ – это дополнительный индекс (литеры N, M или S), означающий требование соответствия специальным стандартам. В японской системе цветовая маркировка транзисторов не применяется.