Маркировка транзисторов — какая она бывает? типы, параметры и характеристики транзисторов, маркировка

Транзисторы в корпусе типа КТ-26

Для обозначения группы используется следующая цветная маркировка транзисторов: группе А соответствует темно-красная точка, Б – желтая, В – темно-зеленая, Г – голубая, Д – синяя, Е – белая, Ж – темно-коричневая, И – серебристая, К – оранжевая, Л – светло-табачная, М – серая.

Тип обозначают посредством указанных ниже символов и красок.

  • КТ203 соответствует прямоугольный треугольник (катетами вниз и вправо) либо темно-красная точка.
  • КТ208 – маленький круг (для этого типа цветовой маркировки нет).
  • К209 – ромб (серая точка).
  • К313 – символ, напоминающий перевернутую букву Т (оранжевая точка).
  • КТ326 – перевернутый равносторонний треугольник (коричневая точка).
  • КТ339 – равносторонний треугольник (голубая точка).
  • КТ342 – четверть круга (синяя точка).
  • КТ502 – полкруга (желтая точка); КТ503 – круг (белая точка).
  • КТ3102 – прямоугольный треугольник катетами вверх и влево (темно-зеленая точка).
  • КТ3157 – прямоугольный треугольник катетами влево и вниз (цветового обозначения нет).
  • К366 – буква Т (цвета нет).
  • КТ6127 – перевернутая буква П.
  • КТ632 – символьного обозначения нет (серебристая точка).
  • КТ638 – без символа (оранжевая точка).
  • КТ680 – буква Г.
  • КТ681 – вертикальная палочка.
  • КТ698 – буква П.

Планарные MOSFETS транзисторы

D-PAK (доступны в корпусах I-Pak)

30 В

30V, 46A, 19 mOhm, 33.3 nC Qg, Logic Level, D-Pak

40 В

40V, 87A, 9.2 mOhm, 48 nC Qg, D-Pak

55 В

55V, 71A, 13 mOhm, 62 nC Qg, D-Pak

75 В

75V, 42A, 26 mOhm, 74 nC Qg, D-Pak

100 В

100V, 32A, 44 mOhm, 48 nC Qg, D-Pak

D2PAK (доступны в корпусах TO-262)

30 В

30V, 200A, 3 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

40 В

40V, 160A, 4 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

55 В

55V, 104A, 8 mOhm, 86.7 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

55V, 135A, 4.7 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak

75 В

75V, 105A, 7 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak

100 В

100V, 80A, 15 mOhm, 81 nC Qg, D2-Pak

100V, 103A, 11.6 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak

TO-220 и TO-247

30 В

30V, 200A, 3 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, TO-220AB

40 В

40V, 160A, 4 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB

40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB

55 В

55V, 133A, 5.3 mOhm, 170 nC Qg, TO-220AB

55V, 160A, 5.3 mOhm, 120 nC Qg, TO-247AC

75 В

75V, 177A, 4.5 mOhm, 410 nC Qg, TO-247AC

100 В

100V, 80A, 15 mOhm, 81 nC Qg, TO-220AB

100V, 51A, 250 mOhm, 66.7 nC Qg, TO-247AC

Аудио MOSFET транзисторы класса D

Все корпуса

Наим-е

Корпус

Напряжение пробоя

Rds(on) тип. (10 В)

Ток стока (25°C)

Заряд затвора

Класс

IRFI4024H-117P

5-pin TO-220

55V

48 mOhm

11 A

8.9 nC

Consumer

IRFI4212H-117P

5-pin TO-220

100V

58 mOhm

11 A

12 nC

Consumer

IRFI4019H-117P

5-pin TO-220

150V

80 mOhm

8.7

13 nC

Consumer

IRFI4020H-117P

5-pin TO-220

200V

80 mOhm

9.1 A

19 nC

Consumer

IRF6665TRPBF

DirectFET SH

100V

53 mOhm

19 A

8.7 nC

Consumer

IRF6645TRPBF

DirectFET SJ

100V

28 mOhm

25 A

14 nC

Consumer

IRF6644TRPBF

DirectFET MN

100V

10 mOhm

60 A

35 nC

Consumer

IRF6775MTRPBF

DirectFET MZ

150V

56 mOhm

28 A

25 nC

Consumer

IRF6785MTRPBF

DirectFET MZ

200V

85 mOhm

15 A

26 nC

Consumer

IRF6648TRPBF

DirectFET MN

60V

5.5 mOhm

86 A

36 nC

Consumer

IRF6668TRPBF

DirectFET MZ

80V

12 mOhm

55 A

22 nC

Consumer

IRF6646TRPBF

DirectFET MN

80V

7.6 mOhm

68 A

36 nC

Consumer

IRFB4212PBF

TO-220

100V

72.5 mOhm

18 A

15 nC

Industrial

IRFB4019PBF

TO-220

150V

80 mOhm

17 A

13 nC

Consumer

IRFB5615PBF

TO-220

150V

32 mOhm

35 A

26 nC

Industrial

IRFB4228PBF

TO-220

150V

12 mOhm

83 A

72 nC

Industrial

IRFB4020PBF

TO-220

200V

80 mOhm

18 A

18 nC

Consumer

IRFB4227PBF

TO-220

200V

19.7 mOhm

65 A

70 nC

Industrial

IRFB5620PBF

TO-220

200V

60 mOhm

25 A

25 nC

Industrial

IRFP4668PBF

TO-247

200V

8 mOhm

130 A

161 nC

Industrial

IRFB4229PBF

TO-220

250V

38 mOhm

46 A

72 nC

Industrial

IRFP4768PBF

TO-247

250V

14.5 mOhm

93 A

180 nC

Industrial

P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные

SOT-23

-20 В

P-Channel, -20V, 2.6A, 135 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23

P-Channel, -20V, 4.3A, 54 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23

-30 В

P-Channel, -30V, 1A, 150 mOhm, SOT-23

P-Channel, -30V, 3.6A, 64 mOhm, SOT-23

PQFN 2×2 мм, 3×3 мм

-20 В

P-Channel, -20V, 8.5A, 31 mOhm, 2.5V Capable PQFN2x2

-30 В

P-Channel, -30V, 10A, 15 mOhm, PQFN33

P-Channel, -30V, 8.5A, 37 mOhm, PQFN2x2

SO-8 и TSOP-6

-30 В

IRFTS9342TRPBF

P-Channel, -30V, 6A, 39 mOhm, TSOP-6

P-Channel, -30V, 5.4A, 59 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 7.5A, 19 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 9A, 17.5 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 10A, 12 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 15A, 7.2 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 16A, 6.6 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 21A, 4.6 mOhm, SO-8

PQFN 5×6мм

-30 В

P-Channel, -30V, 23A, 4.6 mOhm, PQFN5X6

Цветовая и цифровая маркировка

Транзисторы, как и другие радиокомпоненты, маркируют с помощью цветового кода. Цветовой код состоит из изображения геометрических фигур (треугольников, квадратов, прямоугольников и др.), цветных точек и латинских букв.

Код наносится на плоских частях, крышке и других местах транзистора. По нему можно узнать тип транзистора, месяц и год изготовления. Места маркировки и расшифровка цветовых кодов некоторых типов транзисторов приведены на рис. 2…3 и в табл. 1…4. Практикуется также маркировка некоторых типов транзисторов цифровым кодом (табл. 4).

Таблица 1. Цветовая и кодовая маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов.

Тип транзистораГруппы транзисторовМесяц выпускаГод выпуска
ОбозначениеМаркировкаОбозначениеМаркировкаОбозначениеМаркировкаОбозначениеМаркировка
    ян в.бежевая  
  Арозоваяфев.синяя1977бежевая
  Бжелтаямартзеленая1978еалатовая
  Всиняяапр.красная1979оранжевая
  Гбежеваямайеалатовая1980электрик
  Доранжеваяиюньсерая1981бирюзовая
КТ3107голубаяЕэлектрикиюлькоричневая1982белая
  Жеалатоваяавг.оранжевая1983красная
  Изеленаясент.электрик1984коричневая
  Ккраснаяокт.белая1985зеленая
  Лсераяноябр.желтая1986голубая
    декаб.голубая  

Таблица 2.  Цветовая маркировка транзистора КТ3107 .

Рис. 2. Места цветовой и кодовой маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов в корпусе КТ-26 (ТО-92).

Рис. 3. Места цветовой маркировки транзистора КТ3107 в корпусе КТ-26 (ТО-92).

Рис. 4. Места кодовой маркировки транзисторов в корпусе КТ-27 (ТО-126).

Таблица 3.  Цветовая и кодовая маркировки транзисторов.

КодТип
4КТ814
5КТ815
6КТ816
7КТ817
8КТ683
9КТ9115
12К.У112
40КТ940
Год выпускаКодМесяц выпускаКод
1986иЯнварь1
1987VФевраль2
1988WМарт3
1989XАпрель4
1990АМай5
1991ВИюнь6
1992СИюль7
1993DАвгуст8
1994ЕСентябрь9
1995FОктябрь
1996ННоябрьN
19971ДекабрьD
1998К
1999L
2000М

Таблица 4. Кодовая маркировка мощных транзисторов.

Литература: В.М. Пестриков. Энциклопедия радиолюбителя.

Подключение транзисторов для управления мощными компонентами

Типичной задачей микроконтроллера является включение и выключение определённого компонента схемы. Сам микроконтроллер
обычно имеет скромные характеристики в отношении выдерживаемой мощности. Так Ардуино, при выдаваемых на контакт 5 В
выдерживает ток в 40 мА. Мощные моторы или сверхъяркие светодиоды могут потреблять сотни миллиампер. При подключении
таких нагрузок напрямую чип может быстро выйти из строя. Кроме того для работоспособности некоторых компонентов требуется
напряжение большее, чем 5 В, а Ардуино с выходного контакта (digital output pin) больше 5 В не может выдать впринципе.

Зато, его с лёгкостью хватит для управления транзистором, который в свою очередь будет управлять большим током. Допустим, нам нужно подключить длинную светодиодную ленту, которая требует 12 В и при этом потребляет 100 мА:

Теперь при установке выхода в логическую единицу (high), поступающие на базу 5 В откроют транзистор и через ленту потечёт ток — она будет светиться. При установке выхода в логический ноль (low), база будет заземлена через микроконтроллер, а течение тока заблокированно.

Обратите внимание на R. Он необходим, чтобы при подаче управляющего напряжения
не образовалось короткое замыкание по маршруту микроконтроллер — транзистор — земля

Главное — не превысить допустимый
ток через контакт Ардуино в 40 мА, поэтому нужно использовать резистор номиналом не менее:

здесь Ud — это падение напряжения на самом транзисторе. Оно зависит от материала из которого он изготовлен и обычно составляет 0.3 – 0.6 В.

Но совершенно не обязательно держать ток на пределе допустимого. Необходимо лишь, чтобы показатель gain транзистора позволил управлять необходимым током. В нашем случае — это 100 мА. Допустим для используемого транзистора
hfe = 100, тогда нам будет достаточно управляющего тока в 1 мА

Нам подойдёт резистор номиналом от 118 Ом до 4.7 кОм. Для устойчивой работы с одной стороны и небольшой нагрузки на чип с другой, 2.2 кОм — хороший выбор.

Если вместо биполярного транзистора использовать полевой, можно обойтись без резистора:

это связано с тем, что затвор в таких транзисторах управляется исключительно напряжением: ток на участке микроконтроллер — затвор — исток отсутствует. А благодаря своим высоким характеристикам схема с использованием MOSFET позволяет управлять очень мощными компонентами.

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы (BJT, Bipolar Junction Transistors) имеют три контакта:

  • Коллектор (collector) — на него подаётся высокое напряжение, которым хочется управлять
  • База (base) — через неё подаётся небольшой ток, чтобы разблокировать большой; база заземляется, чтобы заблокировать его
  • Эмиттер (emitter) — через него проходит ток с коллектора и базы, когда транзистор «открыт»

Основной характеристикой биполярного транзистора является показатель hfe
также известный, как gain. Он отражает во сколько раз больший ток по участку коллектор–эмиттер
способен пропустить транзистор по отношению к току база–эмиттер.

Например, если hfe = 100, и через базу проходит 0.1 мА, то транзистор пропустит
через себя как максимум 10 мА. Если в этом случае на участке с большим током находится компонент,
который потребляет, например 8 мА, ему будет предоставлено 8 мА, а у транзистора останется «запас».
Если же имеется компонент, который потребляет 20 мА, ему будут предоставлены только максимальные
10 мА.

Также в документации к каждому транзистору указаны максимально допустимые напряжения и токи на
контактах. Превышение этих величин ведёт к избыточному нагреву
и сокращению службы, а сильное превышение может привести к разрушению.

NPN и PNP

Описанный выше транзистор — это так называемый NPN-транзистор. Называется он так из-за того, что состоит
из трёх слоёв кремния, соединённых в порядке: Negative-Positive-Negative. Где negative — это сплав
кремния, обладающий избытком отрицательных переносчиков заряда (n-doped), а positive —
с избытком положительных (p-doped).

NPN более эффективны и распространены в промышленности.

PNP-транзисторы при обозначении отличаются направлением стрелки. Стрелка всегда указывает от P к N.
PNP-транзисторы отличаются «перевёрнутым» поведением: ток не блокируется, когда база заземлена и блокируется,
когда через неё идёт ток.

Справочники

 
  
 
 

Цоколевка широко распространенных транзисторов и цветовая и кодовая маркировка транзисторов.

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

В цветовой и кодовой маркировке транзисторов нет единых стандартов. Каждый завод, который производит транзисторы, принимает свои цветовые и кодовые обозначения. Вы можете встретить транзисторы одного типа и группы, которые изготовлены разными заводами и маркируются по-разному, или разные транзисторы, которые марки­руются одинаково. В этом случае их можно отличить только по некоторым до­полнительным признакам, таким как длина выводов коллектора и эмиттера или окраска торцевой (противоположной выводам) поверхности транзистора.

Табл. 8.13. Цветовая и кодовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26.

Цветовая маркировка транзисторов осуществляется двумя точками. Тип транзи­стора обозначается на боковой поверхности, а маркировка группы на торцевой (рис. 8.2).

Кодовая маркировка наносится на боковую поверх­ность транзистора (рис. 8.2). Тип транзистора обозначается кодовым знаком (табл. 8.13), а группа — соответствующей буквой. Дата изготовления в соответствии с ГОСТ 26486-82 кодируется двумя буквами или буквой и цифрой (табл. 8.14). Первая буква обознача­ет год выпуска, а следующая за ней цифра или буква — месяц. Кодированное обозначение даты изготовления применяется не только для транзисторов, но и для других радиоэлементов. На рис. 8.3 приведены примеры кодовой и цветовой маркировки транзисторов в корпусе КТ-26.

Транзисторы в корпусе КТ-27 могут маркироваться или буквенно — цифровым кодом (табл. 8.16 и рнс. 8.4) или ко­дом, состоящим из геометриче­ских фигур (рис. 8.4).

Транзисторы в корпусе КТ-27 дополнительно маркиру­ются окрашиванием торца кор­пуса, противоположного выводам: КТ814 — серо — бежевый;

КТ815 — серый нлн снренево — фиолетовый;

КТ816 — розово — красный;

КТ817 — серо — зелёный;

КТ683 — фиолетовый;

КТ9115 — голубой.

Транзисторы КТ814Б, КТ815Б, КТ816Б и КТ817Б иногда маркируются только окрашиванием торцевой поверхности без нанесения буквенно — цифрового кода.

Примеры маркировки транзисторов в корпусе КТ-13 приведены на рис. 8.6. Буква группы у транзисторов КТ315 наносится сбоку поверхности, а КТ361 — посередине.

Тип транзисторов КПЗОЗ и КП307 в корпусе КТ-1-12 маркируются соот­ветственно цифрами 3 и 7, группа — соответствующей буквой. Транзисторы КП327А маркируются одной белой точкой, а КП327Б — двумя (рис. 8.3).

Здесь Ваше мнение имеет значение

 —
 поставьте вашу оценку (оценили — 48 раз)

 

  • 68
 

Кизлюк А.И.

Ключевые теги: Кизлюк

 
 
 
Смотри также:
 
  
  • Калькулятор РЛ
  • Прибор для проверки транзисторов «ППТ»
  • Портативный прибор для подбора пары мощных транзисторов KB усилителя мощнос …
  • Обозначение зарубежных радиоэлементов
  • Цветовая маркировка резисторов
  • Кашкаров А. П. — Популярный справочник радиолюбителя (2008)
  • Основные системы условных обозначений зарубежных полупроводниковых приборов
  • Усилитель мощности без динамических искажений
  • Основы основ начинающего радиолюбителя. Краткая справка
  • Справочник по устройству и ремонту телефонных аппаратов зарубежного и отече …
  • Программа для определения типа транзистора по цветной и кодовой маркировке
  • Новые MOSFET транзисторы DualCool NexFET с двухсторонним охлаждением от T …
  • Как простым омметром проверить полевой транзистор
  • «Хитрые» неисправности транзисторов серии КТ3102, КТ3107
  • STMicro анонсировала новую серию транзисторов с технологией STripFET
 

Система обозначений транзисторов

Встречаются транзисторы (биполярные), которые имеют старую, введенную до 1964 г. систему обозначений. По старой системе в обозначение транзистора входит буква П и цифровой номер.

По номеру транзистора можно определить, для каких каскадов радиоэлектронной конструкции он разработан. Если перед буквой П стоит буква М, то это значит, что корпус транзистора холодносварочной конструкции. Расшифровка типов транзисторов по номеру следующая:

Низкочастотные (до 5 МГц):

  • 1…100 — германиевые малой мощности, до 0,25 Вт;
  • 101…201 — кремниевые до 0,25 Вт;
  • 201…300 — германиевые большой мощности, более 0,25 Вт;
  • 301…400 — кремниевые более 0,25 Вт.

Высокочастотные (свыше 5 МГц):

  • 401…500 — германиевые до 0,25 Вт;
  • 501…600 — кремниевые до 0,25 Вт;
  • 601…700 — германиевые более 0,25 Вт;
  • 701…800 — кремниевые более 0,25 Вт.

Например:

  • П416 Б — транзистор германиевый, высокочастотный, малой мощности, разновидности Б;
  • МП39Б — германиевый транзистор, имеющий холодносварочный корпус, низкочастотный, малой мощности, разновидности Б.

В новой системе обозначений используется буквенно-цифровой шифр, который состоит из 5 элементов:

1-й  элемент системы обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор и его содержание не отличается от системы обозначения диодов, то есть Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия, И или 4 — индий.

2-1  элемент — буква Т (биполярный) или П (полевой).

3-1  элемент — цифра, указывающая на функциональные возможности транзистора по допустимой рассеиваемой мощности и частотным свойствам.

Транзисторы малой мощности, Рmах < 0,3 Вт:

  • 1    — маломощный низкочастотный, Гф< 3 МГц;
  • 2    — маломощный среднечастотный, 3 < frp< 30 МГц;
  • 3    — маломощный высокочастотный, 30 < fгр< 300 МГц.

Транзисторы средней мощности, 0,3 < Рmах <1,5 Вт:

  • 4    — средней мощности низкочастотный;
  • 5    — средней мощности среднечастотный;
  • 6    — средней мощности высокочастотный.

Транзисторы большой мощности, Рmах >1,5 Вт:

  • 7    — большой мощности низкочастотный;
  • 8    — большой мощности среднечастотный;
  • 9    — большой мощности высокочастотный и сверхвысокочастотный (frp > 300 Гц).

4-й элемент — цифры от 01 до 99, указывающие порядковый номер разработки.

5-й элемент — одна из букв от А до Я, обозначающая деление технологического типа приборов на группы.

Например: КТ540Б — кремниевый транзистор средней мощности среднечастотный, номер разработки 40, группа Б.

При изготовлении транзисторов используют различные технологические приемы, в результате чего получаются приборы со специфическими особенностями, эксплуатационными свойствами и параметрами. Цоколевка транзисторов, широко используемых радиолюбителями, дана на рис. 1.

Рис. 1. Цоколевка отечественных транзисторов.

Японская система JIS

Данная система состоит из символов и содержит в себе пять элементов. Первая цифра соответствует типу полупроводникового прибора: 0 – фотодиод или фототранзистор; 1 – диод; 2 – транзистор. Второй элемент – буква S, она ставится на всех элементах. Следующая буква соответствует типу транзистора: А – высокочастотный PNP; В – низкочастотный PNP; С — высокочастотный NPN; D — низкочастотный NPN; Н – однопереходной; J — полевой с N-каналом; К — полевой с P-каналом. Далее следует серийный номер продукта (10 – 9999). Последний, пятый, элемент — это модификация прибора (зачастую он может отсутствовать). Иногда наносится и шестой символ – это дополнительный индекс (литеры N, M или S), означающий требование соответствия специальным стандартам. В японской системе цветовая маркировка транзисторов не применяется.

Оцените статью:
Оставить комментарий
Adblock
detector