Маркировка транзисторов — какая она бывает? типы, параметры и характеристики транзисторов, маркировка

Транзисторы в корпусе типа КТ-26

Для обозначения группы используется следующая цветная маркировка транзисторов: группе А соответствует темно-красная точка, Б – желтая, В – темно-зеленая, Г – голубая, Д – синяя, Е – белая, Ж – темно-коричневая, И – серебристая, К – оранжевая, Л – светло-табачная, М – серая.

Тип обозначают посредством указанных ниже символов и красок.

  • КТ203 соответствует прямоугольный треугольник (катетами вниз и вправо) либо темно-красная точка.
  • КТ208 – маленький круг (для этого типа цветовой маркировки нет).
  • К209 – ромб (серая точка).
  • К313 – символ, напоминающий перевернутую букву Т (оранжевая точка).
  • КТ326 – перевернутый равносторонний треугольник (коричневая точка).
  • КТ339 – равносторонний треугольник (голубая точка).
  • КТ342 – четверть круга (синяя точка).
  • КТ502 – полкруга (желтая точка); КТ503 – круг (белая точка).
  • КТ3102 – прямоугольный треугольник катетами вверх и влево (темно-зеленая точка).
  • КТ3157 – прямоугольный треугольник катетами влево и вниз (цветового обозначения нет).
  • К366 – буква Т (цвета нет).
  • КТ6127 – перевернутая буква П.
  • КТ632 – символьного обозначения нет (серебристая точка).
  • КТ638 – без символа (оранжевая точка).
  • КТ680 – буква Г.
  • КТ681 – вертикальная палочка.
  • КТ698 – буква П.

Планарные MOSFETS транзисторы

D-PAK (доступны в корпусах I-Pak)

30 В

30V, 46A, 19 mOhm, 33.3 nC Qg, Logic Level, D-Pak

40 В

40V, 87A, 9.2 mOhm, 48 nC Qg, D-Pak

55 В

55V, 71A, 13 mOhm, 62 nC Qg, D-Pak

75 В

75V, 42A, 26 mOhm, 74 nC Qg, D-Pak

100 В

100V, 32A, 44 mOhm, 48 nC Qg, D-Pak

D2PAK (доступны в корпусах TO-262)

30 В

30V, 200A, 3 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

40 В

40V, 160A, 4 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

55 В

55V, 104A, 8 mOhm, 86.7 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

55V, 135A, 4.7 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak

75 В

75V, 105A, 7 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak

100 В

100V, 80A, 15 mOhm, 81 nC Qg, D2-Pak

100V, 103A, 11.6 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak

TO-220 и TO-247

30 В

30V, 200A, 3 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, TO-220AB

40 В

40V, 160A, 4 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB

40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB

55 В

55V, 133A, 5.3 mOhm, 170 nC Qg, TO-220AB

55V, 160A, 5.3 mOhm, 120 nC Qg, TO-247AC

75 В

75V, 177A, 4.5 mOhm, 410 nC Qg, TO-247AC

100 В

100V, 80A, 15 mOhm, 81 nC Qg, TO-220AB

100V, 51A, 250 mOhm, 66.7 nC Qg, TO-247AC

Аудио MOSFET транзисторы класса D

Все корпуса

Наим-е

Корпус

Напряжение пробоя

Rds(on) тип. (10 В)

Ток стока (25°C)

Заряд затвора

Класс

IRFI4024H-117P

5-pin TO-220

55V

48 mOhm

11 A

8.9 nC

Consumer

IRFI4212H-117P

5-pin TO-220

100V

58 mOhm

11 A

12 nC

Consumer

IRFI4019H-117P

5-pin TO-220

150V

80 mOhm

8.7

13 nC

Consumer

IRFI4020H-117P

5-pin TO-220

200V

80 mOhm

9.1 A

19 nC

Consumer

IRF6665TRPBF

DirectFET SH

100V

53 mOhm

19 A

8.7 nC

Consumer

IRF6645TRPBF

DirectFET SJ

100V

28 mOhm

25 A

14 nC

Consumer

IRF6644TRPBF

DirectFET MN

100V

10 mOhm

60 A

35 nC

Consumer

IRF6775MTRPBF

DirectFET MZ

150V

56 mOhm

28 A

25 nC

Consumer

IRF6785MTRPBF

DirectFET MZ

200V

85 mOhm

15 A

26 nC

Consumer

IRF6648TRPBF

DirectFET MN

60V

5.5 mOhm

86 A

36 nC

Consumer

IRF6668TRPBF

DirectFET MZ

80V

12 mOhm

55 A

22 nC

Consumer

IRF6646TRPBF

DirectFET MN

80V

7.6 mOhm

68 A

36 nC

Consumer

IRFB4212PBF

TO-220

100V

72.5 mOhm

18 A

15 nC

Industrial

IRFB4019PBF

TO-220

150V

80 mOhm

17 A

13 nC

Consumer

IRFB5615PBF

TO-220

150V

32 mOhm

35 A

26 nC

Industrial

IRFB4228PBF

TO-220

150V

12 mOhm

83 A

72 nC

Industrial

IRFB4020PBF

TO-220

200V

80 mOhm

18 A

18 nC

Consumer

IRFB4227PBF

TO-220

200V

19.7 mOhm

65 A

70 nC

Industrial

IRFB5620PBF

TO-220

200V

60 mOhm

25 A

25 nC

Industrial

IRFP4668PBF

TO-247

200V

8 mOhm

130 A

161 nC

Industrial

IRFB4229PBF

TO-220

250V

38 mOhm

46 A

72 nC

Industrial

IRFP4768PBF

TO-247

250V

14.5 mOhm

93 A

180 nC

Industrial

P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные

SOT-23

-20 В

P-Channel, -20V, 2.6A, 135 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23

P-Channel, -20V, 4.3A, 54 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23

-30 В

P-Channel, -30V, 1A, 150 mOhm, SOT-23

P-Channel, -30V, 3.6A, 64 mOhm, SOT-23

PQFN 2×2 мм, 3×3 мм

-20 В

P-Channel, -20V, 8.5A, 31 mOhm, 2.5V Capable PQFN2x2

-30 В

P-Channel, -30V, 10A, 15 mOhm, PQFN33

P-Channel, -30V, 8.5A, 37 mOhm, PQFN2x2

SO-8 и TSOP-6

-30 В

IRFTS9342TRPBF

P-Channel, -30V, 6A, 39 mOhm, TSOP-6

P-Channel, -30V, 5.4A, 59 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 7.5A, 19 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 9A, 17.5 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 10A, 12 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 15A, 7.2 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 16A, 6.6 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 21A, 4.6 mOhm, SO-8

PQFN 5×6мм

-30 В

P-Channel, -30V, 23A, 4.6 mOhm, PQFN5X6

Цветовая и цифровая маркировка

Транзисторы, как и другие радиокомпоненты, маркируют с помощью цветового кода. Цветовой код состоит из изображения геометрических фигур (треугольников, квадратов, прямоугольников и др.), цветных точек и латинских букв.

Код наносится на плоских частях, крышке и других местах транзистора. По нему можно узнать тип транзистора, месяц и год изготовления. Места маркировки и расшифровка цветовых кодов некоторых типов транзисторов приведены на рис. 2…3 и в табл. 1…4. Практикуется также маркировка некоторых типов транзисторов цифровым кодом (табл. 4).

Таблица 1. Цветовая и кодовая маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов.

Тип транзистора Группы транзисторов Месяц выпуска Год выпуска
Обозначение Маркировка Обозначение Маркировка Обозначение Маркировка Обозначение Маркировка
        ян в. бежевая    
    А розовая фев. синяя 1977 бежевая
    Б желтая март зеленая 1978 еалатовая
    В синяя апр. красная 1979 оранжевая
    Г бежевая май еалатовая 1980 электрик
    Д оранжевая июнь серая 1981 бирюзовая
КТ3107 голубая Е электрик июль коричневая 1982 белая
    Ж еалатовая авг. оранжевая 1983 красная
    И зеленая сент. электрик 1984 коричневая
    К красная окт. белая 1985 зеленая
    Л серая ноябр. желтая 1986 голубая
        декаб. голубая    

Таблица 2.  Цветовая маркировка транзистора КТ3107 .

Рис. 2. Места цветовой и кодовой маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов в корпусе КТ-26 (ТО-92).

Рис. 3. Места цветовой маркировки транзистора КТ3107 в корпусе КТ-26 (ТО-92).

Рис. 4. Места кодовой маркировки транзисторов в корпусе КТ-27 (ТО-126).

Таблица 3.  Цветовая и кодовая маркировки транзисторов.

Код Тип
4 КТ814
5 КТ815
6 КТ816
7 КТ817
8 КТ683
9 КТ9115
12 К.У112
40 КТ940
Год выпуска Код Месяц выпуска Код
1986 и Январь 1
1987 V Февраль 2
1988 W Март 3
1989 X Апрель 4
1990 А Май 5
1991 В Июнь 6
1992 С Июль 7
1993 D Август 8
1994 Е Сентябрь 9
1995 F Октябрь
1996 Н Ноябрь N
1997 1 Декабрь D
1998 К
1999 L
2000 М

Таблица 4. Кодовая маркировка мощных транзисторов.

Литература: В.М. Пестриков. Энциклопедия радиолюбителя.

Подключение транзисторов для управления мощными компонентами

Типичной задачей микроконтроллера является включение и выключение определённого компонента схемы. Сам микроконтроллер
обычно имеет скромные характеристики в отношении выдерживаемой мощности. Так Ардуино, при выдаваемых на контакт 5 В
выдерживает ток в 40 мА. Мощные моторы или сверхъяркие светодиоды могут потреблять сотни миллиампер. При подключении
таких нагрузок напрямую чип может быстро выйти из строя. Кроме того для работоспособности некоторых компонентов требуется
напряжение большее, чем 5 В, а Ардуино с выходного контакта (digital output pin) больше 5 В не может выдать впринципе.

Зато, его с лёгкостью хватит для управления транзистором, который в свою очередь будет управлять большим током. Допустим, нам нужно подключить длинную светодиодную ленту, которая требует 12 В и при этом потребляет 100 мА:

Теперь при установке выхода в логическую единицу (high), поступающие на базу 5 В откроют транзистор и через ленту потечёт ток — она будет светиться. При установке выхода в логический ноль (low), база будет заземлена через микроконтроллер, а течение тока заблокированно.

Обратите внимание на R. Он необходим, чтобы при подаче управляющего напряжения
не образовалось короткое замыкание по маршруту микроконтроллер — транзистор — земля

Главное — не превысить допустимый
ток через контакт Ардуино в 40 мА, поэтому нужно использовать резистор номиналом не менее:

здесь Ud — это падение напряжения на самом транзисторе. Оно зависит от материала из которого он изготовлен и обычно составляет 0.3 – 0.6 В.

Но совершенно не обязательно держать ток на пределе допустимого. Необходимо лишь, чтобы показатель gain транзистора позволил управлять необходимым током. В нашем случае — это 100 мА. Допустим для используемого транзистора
hfe = 100, тогда нам будет достаточно управляющего тока в 1 мА

Нам подойдёт резистор номиналом от 118 Ом до 4.7 кОм. Для устойчивой работы с одной стороны и небольшой нагрузки на чип с другой, 2.2 кОм — хороший выбор.

Если вместо биполярного транзистора использовать полевой, можно обойтись без резистора:

это связано с тем, что затвор в таких транзисторах управляется исключительно напряжением: ток на участке микроконтроллер — затвор — исток отсутствует. А благодаря своим высоким характеристикам схема с использованием MOSFET позволяет управлять очень мощными компонентами.

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы (BJT, Bipolar Junction Transistors) имеют три контакта:

  • Коллектор (collector) — на него подаётся высокое напряжение, которым хочется управлять
  • База (base) — через неё подаётся небольшой ток, чтобы разблокировать большой; база заземляется, чтобы заблокировать его
  • Эмиттер (emitter) — через него проходит ток с коллектора и базы, когда транзистор «открыт»

Основной характеристикой биполярного транзистора является показатель hfe
также известный, как gain. Он отражает во сколько раз больший ток по участку коллектор–эмиттер
способен пропустить транзистор по отношению к току база–эмиттер.

Например, если hfe = 100, и через базу проходит 0.1 мА, то транзистор пропустит
через себя как максимум 10 мА. Если в этом случае на участке с большим током находится компонент,
который потребляет, например 8 мА, ему будет предоставлено 8 мА, а у транзистора останется «запас».
Если же имеется компонент, который потребляет 20 мА, ему будут предоставлены только максимальные
10 мА.

Также в документации к каждому транзистору указаны максимально допустимые напряжения и токи на
контактах. Превышение этих величин ведёт к избыточному нагреву
и сокращению службы, а сильное превышение может привести к разрушению.

NPN и PNP

Описанный выше транзистор — это так называемый NPN-транзистор. Называется он так из-за того, что состоит
из трёх слоёв кремния, соединённых в порядке: Negative-Positive-Negative. Где negative — это сплав
кремния, обладающий избытком отрицательных переносчиков заряда (n-doped), а positive —
с избытком положительных (p-doped).

NPN более эффективны и распространены в промышленности.

PNP-транзисторы при обозначении отличаются направлением стрелки. Стрелка всегда указывает от P к N.
PNP-транзисторы отличаются «перевёрнутым» поведением: ток не блокируется, когда база заземлена и блокируется,
когда через неё идёт ток.

Справочники

 
   
 
 

Цоколевка широко распространенных транзисторов и цветовая и кодовая маркировка транзисторов.

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

В цветовой и кодовой маркировке транзисторов нет единых стандартов. Каждый завод, который производит транзисторы, принимает свои цветовые и кодовые обозначения. Вы можете встретить транзисторы одного типа и группы, которые изготовлены разными заводами и маркируются по-разному, или разные транзисторы, которые марки­руются одинаково. В этом случае их можно отличить только по некоторым до­полнительным признакам, таким как длина выводов коллектора и эмиттера или окраска торцевой (противоположной выводам) поверхности транзистора.

Табл. 8.13. Цветовая и кодовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26.

Цветовая маркировка транзисторов осуществляется двумя точками. Тип транзи­стора обозначается на боковой поверхности, а маркировка группы на торцевой (рис. 8.2).

Кодовая маркировка наносится на боковую поверх­ность транзистора (рис. 8.2). Тип транзистора обозначается кодовым знаком (табл. 8.13), а группа — соответствующей буквой. Дата изготовления в соответствии с ГОСТ 26486-82 кодируется двумя буквами или буквой и цифрой (табл. 8.14). Первая буква обознача­ет год выпуска, а следующая за ней цифра или буква — месяц. Кодированное обозначение даты изготовления применяется не только для транзисторов, но и для других радиоэлементов. На рис. 8.3 приведены примеры кодовой и цветовой маркировки транзисторов в корпусе КТ-26.

Транзисторы в корпусе КТ-27 могут маркироваться или буквенно — цифровым кодом (табл. 8.16 и рнс. 8.4) или ко­дом, состоящим из геометриче­ских фигур (рис. 8.4).

Транзисторы в корпусе КТ-27 дополнительно маркиру­ются окрашиванием торца кор­пуса, противоположного выводам: КТ814 — серо — бежевый;

КТ815 — серый нлн снренево — фиолетовый;

КТ816 — розово — красный;

КТ817 — серо — зелёный;

КТ683 — фиолетовый;

КТ9115 — голубой.

Транзисторы КТ814Б, КТ815Б, КТ816Б и КТ817Б иногда маркируются только окрашиванием торцевой поверхности без нанесения буквенно — цифрового кода.

Примеры маркировки транзисторов в корпусе КТ-13 приведены на рис. 8.6. Буква группы у транзисторов КТ315 наносится сбоку поверхности, а КТ361 — посередине.

Тип транзисторов КПЗОЗ и КП307 в корпусе КТ-1-12 маркируются соот­ветственно цифрами 3 и 7, группа — соответствующей буквой. Транзисторы КП327А маркируются одной белой точкой, а КП327Б — двумя (рис. 8.3).

Здесь Ваше мнение имеет значение

 —
 поставьте вашу оценку (оценили — 48 раз)

 

  • 68
 

Кизлюк А.И.

Ключевые теги: Кизлюк

 
 
 
Смотри также:
 
   
  • Калькулятор РЛ
  • Прибор для проверки транзисторов «ППТ»
  • Портативный прибор для подбора пары мощных транзисторов KB усилителя мощнос …
  • Обозначение зарубежных радиоэлементов
  • Цветовая маркировка резисторов
  • Кашкаров А. П. — Популярный справочник радиолюбителя (2008)
  • Основные системы условных обозначений зарубежных полупроводниковых приборов
  • Усилитель мощности без динамических искажений
  • Основы основ начинающего радиолюбителя. Краткая справка
  • Справочник по устройству и ремонту телефонных аппаратов зарубежного и отече …
  • Программа для определения типа транзистора по цветной и кодовой маркировке
  • Новые MOSFET транзисторы DualCool NexFET с двухсторонним охлаждением от T …
  • Как простым омметром проверить полевой транзистор
  • «Хитрые» неисправности транзисторов серии КТ3102, КТ3107
  • STMicro анонсировала новую серию транзисторов с технологией STripFET
 

Система обозначений транзисторов

Встречаются транзисторы (биполярные), которые имеют старую, введенную до 1964 г. систему обозначений. По старой системе в обозначение транзистора входит буква П и цифровой номер.

По номеру транзистора можно определить, для каких каскадов радиоэлектронной конструкции он разработан. Если перед буквой П стоит буква М, то это значит, что корпус транзистора холодносварочной конструкции. Расшифровка типов транзисторов по номеру следующая:

Низкочастотные (до 5 МГц):

  • 1…100 — германиевые малой мощности, до 0,25 Вт;
  • 101…201 — кремниевые до 0,25 Вт;
  • 201…300 — германиевые большой мощности, более 0,25 Вт;
  • 301…400 — кремниевые более 0,25 Вт.

Высокочастотные (свыше 5 МГц):

  • 401…500 — германиевые до 0,25 Вт;
  • 501…600 — кремниевые до 0,25 Вт;
  • 601…700 — германиевые более 0,25 Вт;
  • 701…800 — кремниевые более 0,25 Вт.

Например:

  • П416 Б — транзистор германиевый, высокочастотный, малой мощности, разновидности Б;
  • МП39Б — германиевый транзистор, имеющий холодносварочный корпус, низкочастотный, малой мощности, разновидности Б.

В новой системе обозначений используется буквенно-цифровой шифр, который состоит из 5 элементов:

1-й  элемент системы обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор и его содержание не отличается от системы обозначения диодов, то есть Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия, И или 4 — индий.

2-1  элемент — буква Т (биполярный) или П (полевой).

3-1  элемент — цифра, указывающая на функциональные возможности транзистора по допустимой рассеиваемой мощности и частотным свойствам.

Транзисторы малой мощности, Рmах < 0,3 Вт:

  • 1    — маломощный низкочастотный, Гф< 3 МГц;
  • 2    — маломощный среднечастотный, 3 < frp< 30 МГц;
  • 3    — маломощный высокочастотный, 30 < fгр< 300 МГц.

Транзисторы средней мощности, 0,3 < Рmах <1,5 Вт:

  • 4    — средней мощности низкочастотный;
  • 5    — средней мощности среднечастотный;
  • 6    — средней мощности высокочастотный.

Транзисторы большой мощности, Рmах >1,5 Вт:

  • 7    — большой мощности низкочастотный;
  • 8    — большой мощности среднечастотный;
  • 9    — большой мощности высокочастотный и сверхвысокочастотный (frp > 300 Гц).

4-й элемент — цифры от 01 до 99, указывающие порядковый номер разработки.

5-й элемент — одна из букв от А до Я, обозначающая деление технологического типа приборов на группы.

Например: КТ540Б — кремниевый транзистор средней мощности среднечастотный, номер разработки 40, группа Б.

При изготовлении транзисторов используют различные технологические приемы, в результате чего получаются приборы со специфическими особенностями, эксплуатационными свойствами и параметрами. Цоколевка транзисторов, широко используемых радиолюбителями, дана на рис. 1.

Рис. 1. Цоколевка отечественных транзисторов.

Японская система JIS

Данная система состоит из символов и содержит в себе пять элементов. Первая цифра соответствует типу полупроводникового прибора: 0 – фотодиод или фототранзистор; 1 – диод; 2 – транзистор. Второй элемент – буква S, она ставится на всех элементах. Следующая буква соответствует типу транзистора: А – высокочастотный PNP; В – низкочастотный PNP; С — высокочастотный NPN; D — низкочастотный NPN; Н – однопереходной; J — полевой с N-каналом; К — полевой с P-каналом. Далее следует серийный номер продукта (10 – 9999). Последний, пятый, элемент — это модификация прибора (зачастую он может отсутствовать). Иногда наносится и шестой символ – это дополнительный индекс (литеры N, M или S), означающий требование соответствия специальным стандартам. В японской системе цветовая маркировка транзисторов не применяется.

Оцените статью:
Оставить комментарий