Диод 1n5819: характеристики

Диоды Шоттки – отдельный тип полупроводниковых приборов, в которых не используется p – n переход, элементом с односторонней проводимостью в них является зона контакта металла с полупроводником. Они часто называются диодом с барьером Шоттки, по имени германского исследователя Вальтера Шоттки, определившего свойства потенциального барьера в контактном слое металл – полупроводник, в том числе его выпрямительные свойства. Полупроводник в таких структурах – кремний или арсенид галлия, наиболее часто применяемые металлы – золото, серебро, платина.

Корпус DO-41

Общая информация

Диоды, использующие барьер Шоттки, широко распространены и обладают рядом свойств, отличных от кремниевых приборов с p – n переходом:

• При прямом включении диода Шоттки падение напряжения на нём в 2-3 раза ниже, чем у обычных выпрямительных. При значительном увеличении обратного напряжения (более 100 вольт) этот параметр увеличивается и приближается к значениям для стандартного диода, что определяет основной диапазон напряжений при использовании – десятки вольт;
• Малая ёмкость перехода, позволяющая работать на высоких частотах в цифровых схемах;
• Способность к быстрому восстановлению допускает применение в выпрямителях напряжения до 100 и более килогерц, например, в блоках питания компьютеров.

При необходимости использовать диод с барьером Шоттки на обратное напряжение не более 40 вольт и средний ток 1 ампер наибольшее распространение нашёл диод 1N5819.

Диоды выпускаются в пластмассовом корпусе JEDEC DO – 41 с аксиальными выводами для монтажа ТНТ – установки в отверстия печатной платы, параллельно или перпендикулярно поверхности. Рядом с отрицательным выводом (катод) наносится кольцевая полоска.

Также производится в корпусе SMA (DO – 214AC) для SMD-монтажа, маркируются как SS14. Катод указывается аналогично обозначению на ТНТ – на корпусе.

In5819 для поверхностного монтажа

Электрические параметры

Для любого исполнения корпуса 1N5819 характеристики полностью идентичны:

• Пиковое и максимальное рабочее обратное напряжение – 40 В;
• Переменное обратное напряжение – 28 В;
• Выпрямленный ток (средний) – 1 А;
• Общая ёмкость кристалла и корпуса – 110 пФ;
• Рабочая температура – от -65 до +125 оС.

Важно обратить внимание на одинаковые величины обратных напряжений – пикового и рабочего. Такая особенность параметров свойственна практически всем диодам Шоттки – высокая чувствительность даже к небольшому превышению допустимого обратного напряжения.

Особенности применения

Особенности технологии производства диодов с барьером Шоттки накладывают ограничение на их применение в схемах с возможным увеличением относительно указанного в описании обратного напряжения. В таких ситуациях прибор выходит из строя очень быстро. В выпрямителях импульсных блоков питания применяются совместно со снаббером цепочки из последовательно включённых резистора и конденсатора для подавления высокочастотных импульсов. In5819 часто применяется как шунтирующий выводы сток – исток MOSFET транзисторов небольшой мощности.

Необходимо обратить внимание на отвод тепла от корпуса. Несмотря на то, что рабочая температура диода 125 оС, чрезмерный нагрев может спровоцировать неконтролируемый рост обратного тока, с неминуемым пробоем перехода или его разрушением.

Если обратное напряжение не более 30 вольт, можно использовать диод 1N5818, а до 20 вольт – 1N5817. Производители электронных компонентов выпускают множество ближайших и полных аналогов, как с обозначением типа 1N5819, так и другими: 11DQ03 – фирмы IOR, BYV10 – PHILIPS. Диод 1N5819 – прототип отечественного (белорусской компании «Интеграл») изделия КДШ2105В, это диод Шоттки с аналогичными параметрами, но в корпусе ТО – 92 (КТ – 26).

Видео