Микросхема к155тв1

2УЭ182

Биполярный эмиттерный повторитель.
Справочный лист на нее.

1. Analog integrated circuits. Catalog. Volume II. — V/O «Mashpriborintorg», USSR, Moscow.
2. Серия гибридных интегральных микросхем 218 /Терек-1/.- Москва, 1970.
3. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. Изд. 3-е, переработ. и доп. М., «Энергия», 1972.
4. Каталог интегральных микросхем. Часть II (аналоговые).- Центральное
бюро применения. 1975.
5. Пляц О.М. Справочник по электровакуумным, полупроводниковым
приборам и интегральным схемам. — Минск: Вышэйшая школа, 1976
6. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и
интегральным схемам. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. Изд. 4-е, перераб. и доп. М., «Энергия», 1977.
7. Справочник по интегральным микросхемам. Под общ. ред. Б.В.Тарабрина. М., «Энергия», 1977.
8. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 9-е изд., перераб. К.: Технiка, 1980.
9. Справочник по интегральным микросхемам/ Б.В. Тарабрин, С.В. Якубовский, Н.А. Барканов и др.;
Под ред. Б.В. Тарабрина. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Энергия, 1981.
10. Справочник по расчету электронных схем Б.С. Гершунский. —
Киев: Вища школа. Изд-во при Киев. ун-те, 1983.
11. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 10-е изд., перераб. и доп. — К.: Технiка, 1984.
12. Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Т. 3. — М.: ИП РадиоСофт, 1997.

Микросхема К155ТВ1

Литература

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. — М.:ИП РадиоСофт, 1998г. — 640с.:ил.

Отечественные микросхемы и зарубежные аналоги Справочник. Перельман Б.Л.,Шевелев В.И. «НТЦ Микротех», 1998г.,376 с. — ISBN-5-85823-006-7

2.1. Требования к конструкции

2.1.1. Размеры микросхемы должны
соответствовать СТ СЭВ …* и черт. .

*
См. информационное приложение .

Корпус. Основные
размеры

.А —
длина вывода, обеспечивающая гарантийный зазор между плоскостью основания
микросхемы и установочной плоскостью.

.
Нумерация выводов показана условно.

.
Корпус с теплорастекателем.

.
Зона ключа — место для выполнения знака ключа.

2.1.2. Поверхность микросхемы не должна иметь
трещин, раковин и других неровностей, нарушающих габаритные размеры, приводящих
к потере работоспособности и ухудшающих надежность микросхемы. Покрытие выводов
не должно иметь пузырьков и следов коррозии, приводящих к ухудшению
обслуживания выводов.

2.1.3. Масса микросхем не должна превышать 1
г.

2.1.4. Микросхемы не имеют внутренних
полостей. Требования к герметичности не предъявляются.

2.1.5. Выводы микросхем должны быть
механически прочными и выдерживать без повреждений воздействия механических
факторов, возникающих при монтаже аппаратуры.

2.1.6. Выводы микросхем должны обеспечивать
возможность их пайки при следующих условиях:

минимальной температуре 508 ± 5 К (235 ± 5 °С);

максимальной температуре 543 ± 10 К (270 ± 10 °С);

времени пайки от 2 до 3 с.

2.1.7. Микросхемы должны выдерживать
воздействие тепла, возникающего при следующих условиях:

температуре пайки 533 ± 5 К (260 ± 5 °С) при времени лайки
не более 8 с;

расстоянии от плоскости основания корпуса до места пайки (по
длине выводов) не менее 1,5 мм.

2.1.8. Назначение выводов указано на
электрических схемах микросхем*.

*
См информационные приложения — .

2.4. Требования к устойчивости при климатических воздействиях

2.4.1. Микросхемы должны быть устойчивыми к
воздействию климатических факторов:

сухое тепло:

верхнее значение 343 К (70 °С);

холод:

нижнее значение 263 К (-10 °С);

смена температур от 263 до 343 К (от -10 до +70 °С);

влажное тепло (постоянный режим с относительной влажностью
без конденсации влаги)  % при 313 ± 2 К (40 ±
2 °С)

Таблица 2

Примечание.
Знак «-» перед значениями норм токов I_IL,I_OS или токов, задаваемых в виде режимных
при измерении параметров U_D,U_ОН(см. табл. , , — ), означает направление тока, вытекающего из вывода
микросхемы.