Микросхема к155тв1

2УЭ182

Биполярный эмиттерный повторитель.
Справочный лист на нее.

1. Analog integrated circuits. Catalog. Volume II. — V/O «Mashpriborintorg», USSR, Moscow.
2. Серия гибридных интегральных микросхем 218 /Терек-1/.- Москва, 1970.
3. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. Изд. 3-е, переработ. и доп. М., «Энергия», 1972.
4. Каталог интегральных микросхем. Часть II (аналоговые).- Центральное
бюро применения. 1975.
5. Пляц О.М. Справочник по электровакуумным, полупроводниковым
приборам и интегральным схемам. — Минск: Вышэйшая школа, 1976
6. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и
интегральным схемам. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. Изд. 4-е, перераб. и доп. М., «Энергия», 1977.
7. Справочник по интегральным микросхемам. Под общ. ред. Б.В.Тарабрина. М., «Энергия», 1977.
8. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 9-е изд., перераб. К.: Технiка, 1980.
9. Справочник по интегральным микросхемам/ Б.В. Тарабрин, С.В. Якубовский, Н.А. Барканов и др.;
Под ред. Б.В. Тарабрина. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Энергия, 1981.
10. Справочник по расчету электронных схем Б.С. Гершунский. —
Киев: Вища школа. Изд-во при Киев. ун-те, 1983.
11. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 10-е изд., перераб. и доп. — К.: Технiка, 1984.
12. Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Т. 3. — М.: ИП РадиоСофт, 1997.

Микросхема К155ТВ1

1Номинальное напряжение питания5 В 5 %
2Выходное напряжение низкого уровняне более 0,4 В
3Выходное напряжение высокого уровняне менее 2,4 В
4Напряжение на антизвонном диодене менее -1,5 В
5Входной ток низкого уровня&nbsp &nbsp по входам 3-5,9-11&nbsp &nbsp по входам 2,12,13 &nbsp не более -1,6 мАне более -3,2 мА
6Входной ток высокого уровняне более 0,04 мА
7Входной пробивной токне более 1 мА
8Ток короткого замыкания-18…-55 мА
9Ток потребленияне более 20 мА
10Потребляемая статическая мощностьне более 105 мВт
11Время задержки распространения при включениине более 40 нс
12Время задержки распространения при выключениине более 25 нс
13Тактовая частотане более 15 мГц

Литература

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. — М.:ИП РадиоСофт, 1998г. — 640с.:ил.

Отечественные микросхемы и зарубежные аналоги Справочник. Перельман Б.Л.,Шевелев В.И. «НТЦ Микротех», 1998г.,376 с. — ISBN-5-85823-006-7

2.1. Требования к конструкции

2.1.1. Размеры микросхемы должны
соответствовать СТ СЭВ …* и черт. .

*
См. информационное приложение .

Корпус. Основные
размеры

.А
длина вывода, обеспечивающая гарантийный зазор между плоскостью основания
микросхемы и установочной плоскостью.

.
Нумерация выводов показана условно.

.
Корпус с теплорастекателем.

.
Зона ключа — место для выполнения знака ключа.

2.1.2. Поверхность микросхемы не должна иметь
трещин, раковин и других неровностей, нарушающих габаритные размеры, приводящих
к потере работоспособности и ухудшающих надежность микросхемы. Покрытие выводов
не должно иметь пузырьков и следов коррозии, приводящих к ухудшению
обслуживания выводов.

2.1.3. Масса микросхем не должна превышать 1
г.

2.1.4. Микросхемы не имеют внутренних
полостей. Требования к герметичности не предъявляются.

2.1.5. Выводы микросхем должны быть
механически прочными и выдерживать без повреждений воздействия механических
факторов, возникающих при монтаже аппаратуры.

2.1.6. Выводы микросхем должны обеспечивать
возможность их пайки при следующих условиях:

минимальной температуре 508 ± 5 К (235 ± 5 °С);

максимальной температуре 543 ± 10 К (270 ± 10 °С);

времени пайки от 2 до 3 с.

2.1.7. Микросхемы должны выдерживать
воздействие тепла, возникающего при следующих условиях:

температуре пайки 533 ± 5 К (260 ± 5 °С) при времени лайки
не более 8 с;

расстоянии от плоскости основания корпуса до места пайки (по
длине выводов) не менее 1,5 мм.

2.1.8. Назначение выводов указано на
электрических схемах микросхем*.

*
См информационные приложения — .

2.4. Требования к устойчивости при климатических воздействиях

2.4.1. Микросхемы должны быть устойчивыми к
воздействию климатических факторов:

сухое тепло:

верхнее значение 343 К (70 °С);

холод:

нижнее значение 263 К (-10 °С);

смена температур от 263 до 343 К (от -10 до +70 °С);

влажное тепло (постоянный режим с относительной влажностью
без конденсации влаги)  % при 313 ± 2 К (40 ±
2 °С)

Таблица 2

Наименование параметра и режим измерения

Буквенное обозначение параметра

Норма

Температура, К (°С)

не менее

не более

Выходное напряжение низкого уровня, В:

От 263 до 343 (от -10 до +70)

К155ЛА2

К155ЛА3

UСС= 5В ± 5 %;

UIL = 0,8,В (К155ТМ2);

UOL

0,4

К156ТМ2

UIH = 2,0 В;

UOL
= 16 мА

Выходное напряжение высокого уровня, В:

К155ЛА2

К155ЛА3

К155ТМ2

UСС = 5 В ± 5 %;

UIL = 0,8 В;

UI = 4,75 В;

Iон= —0,4 мА;

UIH
= 2,0 В (K155TM2)

UOH

2,4

Ток потребления при низком уровне на выходе,
мА:

К155ЛА2

Ucc= 5В ± 5 %

UCCL

6

К155ЛА3

UI = 5 В

22

Ток потребления при высоком уровне на выходе,
мА:

К155ЛА2

UCC
= 5 B ± 5 %;

Icch

2

К155ЛА3

UI= 0 В

8

Ток потребления, мА:

От 263 до 343 (от -10 до +70)

К155ТМ2

Ucc = 5 B ± 5 %

UI= 0 В; 5 В

IСС

30

Входной ток низкого уровня, мА:

IIL

К155ЛА2

К155ЛА3

UCC
= 5 B ± 5 %;

UIH= 4,5В;

UIL
= 0,4 В;

UСс = 5 В ± 5 %;

-1,6

-1,6

К155ТМ2

UIH
= 4,5 В;

UIL1 = 0 В;

UIL2 = 0,4 В

-1,6 (по входам 10, 12, 2, 4)

-3,2 (по входам 13, 11, 1, 3)

Входной ток высокого уровня, мА:

К155ЛА2

К155ЛA3

UCC
= 5 В ± 5 %;

UIH= 2,4В;

UIL= 0 B

IIH

0,04

Входной ток высокого уровня, мА:

IIH

К155ТМ2

Uсс=
5 В ± 5 %;

UIH1 = 4,5 В;

UIH2 = 2,4 В;

UIL
= 0 В

0,04 (по входам 12, 2) 0,08 (по входам 10, 11,
4, 3)

0,12 (по входам 13, 1)

Время задержки распространения сигнала при
включении, нc

От 263 до 343 (от -10 до +70)

К155ЛА2

Uсс = 5 В ± 5 %;

tPHL

15

К155ЛА3

СH = 15 пФ ± 15 %;

15

К155ТМ2

RH = 390 Ом ± 15
%;

UIH= 2,4 B

40

Время задержки распространения сигнала при
выключении, нc

К155ЛА2

UСС = 5 В ± 5 %;

tPLH

22

К155ЛА3

СH =15
пФ ± 15 %;

22

К155ТМ2

RH = 390 Ом ± 5
%;

25

UIH
= 2,4 В

Примечание.
Знак «-» перед значениями норм токов IIL,IOS или токов, задаваемых в виде режимных
при измерении параметров UD,UОН(см. табл. , , — ), означает направление тока, вытекающего из вывода
микросхемы.

Оцените статью:
Оставить комментарий
Adblock
detector