Приказ министерства науки и высшего образования российской федерации от 03.04.2020 г. № 547 «об особенностях приема на обучение по образовательным программам высшего образования — программам бакалавриата, программам специалиста, программам магистратуры, п

Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC547.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC547 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор BC547 транзистором 2N5818; транзистором 2SC828A; транзистором 2SC945; транзистором КТ3102Б;

транзистором GS9022; транзистором 2SC4360; транзистором 2SC3653; транзистором 2SC4363; транзистором 2SC3901; транзистором 2SC4070; транзистором 2SC3655; транзистором 2SC4361; транзистором 2SC3654; транзистором 2SC4048;

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы оставляете комментарий в качестве гостя. Если у вас есть аккаунт, войдите в него для написания от своего имени. Примечание: вашему сообщению потребуется утверждение модератора, прежде чем оно станет доступным.

Принцип работы

Когда на клеммы подается входное напряжение, некоторое количество тока (I_B) начинает течь от базы к эмиттеру и управляет током на коллекторе (I_C). Напряжение между базой и эмиттером (V_BE) для NPN-структуры должно быть прямым. Т.е. на базу прикладывается положительный потенциал, а на эмиттер отрицательный. Полярность напряжения, приложенного к каждому выводу, показана на рисунке ниже.

Входной сигнал усиливается на базе, а затем передается на эмиттер. Меньшее количество тока в базе используется для управления большим, между коллектором и эмиттером (I_C).

Когда транзистор открыт, он способен пропускать I_C до 100 мА. Этот этап называется областью насыщения. При этом допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (V_BE) может составлять около 200 мВ,а V_BE достигать 900 мВ. Когда ток базы перестает течь, транзистор полностью отключается, эта ступень называется областью отсечки, а V_BE будет составлять около 650 мВ.

Аналоги

Транзистор BC557 можно заменить на BC556 , BC560

Новейшее из новостей

Конкурс персональных сайтов среди учителей БСОШ №1.

Admin 11 Апр 2019 Просмотров:453 КОНКУРС САЙТОВ 2019

Видео для подготовки к ЕГЭ

Единый Государственный Экзамен по информатике и ИКТ в 2019 году Видео для подготовки к ЕГЭ: При подготовке данного метериала были использованы ресурсы: Информатика. Видеоуроки. Подготовка к ЕГЭ(Ч.1 и Ч.2).

Admin 26 Ноя 2018 Просмотров:292 ‘Подготовка к ЕГЭ (11 класс)

Задания на ЕГЭ в 2019 году

Единый Государственный Экзамен по информатике и ИКТ в 2019 году Задания по категориям: При подготовке данного метериала были использованы ресурсы: https://inf-ege.sdamgia.ru – РЕШУ ЕГЭ. Информатика. Видеоуроки. Подготовка к ЕГЭ(Ч.1 и Ч.2).

Admin 26 Ноя 2018 Просмотров:274 ‘Подготовка к ЕГЭ (11 класс)

Как узнать сколько знаков в тексте Word?

Как узнать сколько знаков в тексте Word? Когда требуется написание текста определенного объема, нужно периодически узнавать сколько знаков уже написано в текстовом документе Word. Многие пользователи не знают как это.

Admin 07 Ноя 2018 Просмотров:1005 КОМПЬЮТЕРы

Как в ворде вставить формулу суммы?

Как в ворде вставить формулу суммы? Несмотря на то, что Microsoft Word является текстовым редактором таблицы в нем встречаются довольно часто. А таблицы, как правило, состоят из числовых значений, которые зачастую.

Admin 07 Ноя 2018 Просмотров:1298 КОМПЬЮТЕРы

BC547BP Datasheet (PDF)

4.1. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _update

BC546xBK … BC549xBK
BC546xBK … BC549xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2009-12-03
±0.1
Power dissipation – Verlustleistung 500 mW
4.6
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
C B E
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial

4.2. bc547ba3.pdf Size:412K _update

Spec. No. : C204A3
Issued Date : 2015.01.23
CYStech Electronics Corp.
Revised Date :
Page No. : 1 / 7
General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor
BC547BA3
Description
• The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching.
• Complementary to BC557BA3.
• Pb-free package
Symbol Outline
BC547BA3 TO-92
B：Base
C：Collector

 4.3. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547B
BC547C

SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC547B BC547B TO-92 / Bulk
BC547B-AP BC547B TO-92 / Ammopack
BC547C BC547C TO-92 / Bulk
BC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
BC547B — THE PNP COMPLEMENTARY
Bulk Ammopack
TYPE IS BC557B
APPLIC

4.4. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & Signal
Technologies
BC547
BC547A
BC547B
BC547C
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from
Process 10. See PN100A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emit

Биполярный транзистор BC547A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC547A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110

Корпус транзистора: TO92

BC547A
Datasheet (PDF)

1.1. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _update

BC546xBK … BC549xBK
BC546xBK … BC549xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2009-12-03
±0.1
Power dissipation – Verlustleistung 500 mW
4.6
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
C B E
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial

1.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & Signal
Technologies
BC547
BC547A
BC547B
BC547C
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from
Process 10. See PN100A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emit

 1.3. bc546b bc547a-b-c bc548b-c.pdf Size:72K _onsemi

BC546B, BC547A, B, C,
BC548B, C
Amplifier Transistors
NPN Silicon
Features
http://onsemi.com
Pb-Free Packages are Available*
COLLECTOR
1
MAXIMUM RATINGS
2
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO Vdc
BC546 65
3
BC547 45
EMITTER
BC548 30
Collector — Base Voltage VCBO Vdc
BC546 80
BC547 50
BC548 30
TO-92
Emitter — Base Voltage VEBO 6.0 Vdc
CASE 29
ST

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

BC547A Datasheet (PDF)

1.1. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _update

BC546xBK … BC549xBK
BC546xBK … BC549xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2009-12-03
±0.1
Power dissipation – Verlustleistung 500 mW
4.6
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
C B E
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial

1.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & Signal
Technologies
BC547
BC547A
BC547B
BC547C
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from
Process 10. See PN100A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emit

 1.3. bc546b bc547a-b-c bc548b-c.pdf Size:72K _onsemi

BC546B, BC547A, B, C,
BC548B, C
Amplifier Transistors
NPN Silicon
Features
http://onsemi.com
Pb-Free Packages are Available*
COLLECTOR
1
MAXIMUM RATINGS
2
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO Vdc
BC546 65
3
BC547 45
EMITTER
BC548 30
Collector — Base Voltage VCBO Vdc
BC546 80
BC547 50
BC548 30
TO-92
Emitter — Base Voltage VEBO 6.0 Vdc
CASE 29
ST

BC547C Datasheet (PDF)

1.1. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _update

BC546xBK … BC549xBK
BC546xBK … BC549xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2009-12-03
±0.1
Power dissipation – Verlustleistung 500 mW
4.6
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
C B E
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial

1.2. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547B
BC547C

SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC547B BC547B TO-92 / Bulk
BC547B-AP BC547B TO-92 / Ammopack
BC547C BC547C TO-92 / Bulk
BC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
BC547B — THE PNP COMPLEMENTARY
Bulk Ammopack
TYPE IS BC557B
APPLIC

 1.3. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & Signal
Technologies
BC547
BC547A
BC547B
BC547C
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from
Process 10. See PN100A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emit