Разбираемся какой тип чипов для ssd накопителей лучше

Типы памяти в SSD-дисках SLC, MLC, TLC и QLC

Попробуйте, ради интереса, спросить у продавцов-консультантов что скрывается за странными словами SLC, MLC, TLC или QLC в обозначении типов памяти SSD дисков и стоит ли вообще на это обращать внимание при покупке диска? И если стоит, то какой тип лучше? А я вот видел ещё красивые надписи V-NAND и 3D NAND и там вроде тоже что-то говорилось о памяти… Для начала разберёмся с самим термином «NAND»

Так называется вообще вся флешах-память, применяемая не только в твердотельных накопителях, но и флешках. NAND — это сокращение от Not AND (логическое «Не-И»). Если не вдаваться в технические подробности, то можно представить эти элементы как маленькие блоки из которых строится флеш-память и в этом все накопители схожи

Для начала разберёмся с самим термином «NAND». Так называется вообще вся флешах-память, применяемая не только в твердотельных накопителях, но и флешках. NAND — это сокращение от Not AND (логическое «Не-И»). Если не вдаваться в технические подробности, то можно представить эти элементы как маленькие блоки из которых строится флеш-память и в этом все накопители схожи.

А вот технологии хранения информации в памяти могут существенно различаться. Вполне логичным кажется, что каждая ячейка должна хранить один бит информации и это у нас флеш-память типа SLC (Single-level Cell).

Накопители, построенные на памяти SLC являются самыми живучими (число циклов перезаписи каждой ячейки может достигать 100 000 раз и выше), но выходят слишком дорогим удовольствием и для домашнего применения их приобретение не оправдано.

Технологии MLC (eMLC), TLC или QLC хранят более одного бита в каждой ячейке памяти, что не лучшим образом сказывается на показателях живучести. Так, MLC (Multi-level Cell) хранит 2 бита информации в ячейке, у TLC (Three Level Cell) будет уже 3 бита, а накопители с памятью QLC (Quad-Level Cell), располагают 4-мя битами в одной ячейке памяти. Иногда можно встретить обозначение 3-bit MLC или MLC-3, но стоит понимать, что на самом деле, так обозначили память TLC.

Стоит понимать, что каждый дополнительный бит существенно снижает количество циклов чтения-записи ячейки памяти и скорость работы SSD. Так, для MLC этот показатель уже около 10 000 циклов, у TLC — 3 000, а QLC всего порядка 1 000. Есть ещё eMLC (Enterprise Multi Level Cell), где число циклов перезаписи увеличено до 30 000.

Что такое V-NAND, 3D NAND или QLC 3D NAND

Если с типами памяти всё стало более-менее понятнее, то что за обозначения V-NAND, 3D-NAND или QLC 3D NAND, которые встречаются в описаниях SSD накопителей, особенно известных брендов.

Для удешевления производства и улучшения характеристик производительности и срока службы, ячейки флеш-памяти на чипе стали размещать в несколько слоёв. Эти технологии получили названия V-NAND, 3D NAND или QLC 3D NAND. Остальную память, в чипах которой ячейки размещаются в одном слое называют «плоской» (planar).

Интересно, что Samsung предпочитает указывать именно технологию производства V-NAND, а не тип используемой памяти, создав для этих целей собственные линейки EVO и PRO, где применяется TLC и MLC соотвественно. Кроме того, Samsung заявляет что их чипы памяти, произведённые по технологии V-NAND TLC по всем характеристикам уделывают обычные planar MLC.

Что такое флешка

Люди уже привыкли к наличию меленького, удобного устройства, которое способно хранить большое количество музыки, видео или видео, но мало кто понимает, что из себя представляет устройство. Флешка – это носитель информации съемного типа с определенным типом файловой системы без подвижных элементов в структуре, что обеспечивает повышенную надежность. Для записи и чтения документов используется TLC вид памяти, но выбор флешки строится не только на это параметре, важным еще считается объем носителя, скорость записи и чтения.

Виды­

Один из параметров этого устройства – внешний вид. Типы флешек не так уж разнообразны, есть варианты с интерфейсом подключения 2.0 и 3.0, но вот внешний вид может очень сильно отличаться. Внутреннее устройство носителя состоит из платы и выход для USB подключения, но варианты корпуса сильно отличаются. Сложности в выборе внешнего вида нет, однако, некоторые особенности дизайна все же следует учитывать при покупке

Какие бывают флешки и на что акцентировать внимание:

  1. Открытый разъем. Часто такой вариант используют на моделях с очень маленькими размерами. На контактной пластине нет защитного колпачка, что помогает сделать накопитель компактным, но не защищает разъем от царапин, попадания мусора.
  2. Съемный колпачок. Это популярный, простой вариант защиты пластины. Изготавливают насадки из пластика или резины, чтобы защитит от влаги, пыли USB. Главная проблема в том, что потерять его очень легко, поэтому ищите модели, где насадка прикреплена к корпусу при помощи веревочки.
  3. Скобка. Конструкция корпуса состоит из скобы и тела устройства, они могут поворачиваться в стороны относительно друг друга. Это помогает закрыть стороной скобы разъем накопителя, чтобы защитить пластину орт царапин, но вот от влаги или пыли это не поможет.
  4. Слайдер. При таком варианте конструкции, используя специальной клавиши, можно спрятать разъем во внутрь корпуса. Это помогает защитить USB от надлома, царапин, но существует риск, что механизм-фиксатор сломается и достать пластину будет сложно. К тому же защиты от влаги, пыли это не гарантирует.

Производят корпус для флешек из резины, пластика и металла. Лучшим вариантом считается, когда эти системы защиты комбинируют. К примеру, металлический корпус сверху имеет прорезиненную основу, что гарантирует защиту от внешних воздействий, влаги, пыли. Даже при падении с большой высоты все записи на носителе останутся в целости и сохранности. Стоят такие модели, как правило, дороже.

Скорость

Правильно выбрать подходящую модель получится, если знать про основные параметры устройства. Скорость записи и чтения флешки – важные критерии при покупке, потому что они влияют на быстроту взаимодействия накопителя с компьютером. Если учесть, что можно перезаписывать информацию большое количество раз, то лучше будет, если происходить это будет на максимальной скорости. Измеряется данный параметр в мегабитах в секунду (Мб/с).

Объем памяти производители всегда пишут большим цифрами на упаковке, но не все фирмы указывают скорость, что является очень важным параметром для оценки разумности покупки данного съемного носителя. На упаковке этот параметр указывается в формате рейтинга, к примеру, 200х, где переменная равна 200 Кбайт/с. Получается, что скорость при таком показателе будет 30 МБ/с. Чем выше множитель х, тем быстрее вы будете проводить запись данных и их передачу на компьютер. Высокоскоростные флешки всегда стоят дороже.

Максимальный объем­

Это самая главная характеристика устройства, на которую обращают внимание покупатели. Это правильный ход со стороны производителя, но человек должен обязательно обращать внимание и на другие параметры

Объем памяти флешки, как правило, обозначается в гигабайтах (в обиходе «гиг»). Современные модели рассчитаны на 32/64/128 Гб, но при необходимости можно взять и емкость поменьше 4/8/16 Gb. Не каждый человек собирается хранить огромные объемы данных, поэтому максимальные показатели не нужны.

  • дешевые, но малообъемные – 4-16 Гб;
  • доступная цена и хорошее качество -16-64 Гб;
  • высокая стоимость, но большая вместительность – 128 Гб.

4Запись данных в флеш-память с помощью Arduino

Теперь запишем на неё данные. Для примера возьмём небольшой массив из 16-ти байтов. Как видно из документации, для записи данных во флеш сначала нужно выставить разрешение на запись (1 байт), затем послать команду на запись (1 байт), передать начальный адрес (3 байта) и данные (в нашем примере 16 байт), а в конце выставить запрет записи (1 байт):

Диаграмма записи данных во флеш-память 25L8005

Напишем скетч, который записывает массив из 16-ти байт данных в ПЗУ:

#include <SPI.h>

const int SSPin = 10;
const byte WREN = 0x06;
const byte WRDI = 0x04;
const byte READ = 0x03;
const byte PP = 0x02;
const byte ADDR1 = 0;
const byte ADDR2 = 0;
const byte ADDR3 = 0;

void setup() {
  pinMode(SSPin, OUTPUT);
  SPI.begin();

  SPISettings mySet(100000, MSBFIRST, SPI_MODE0);
  
  // Выставление разрешения записи:
  SPI.beginTransaction(mySet);
  digitalWrite(SSPin, LOW);
  SPI.transfer(WREN);
  digitalWrite(SSPin, HIGH);
  SPI.endTransaction();

  // Запись массива данных в ПЗУ:
  SPI.beginTransaction(mySet);
  digitalWrite(SSPin, LOW);
  SPI.transfer(PP);
  SPI.transfer(ADDR1);
  SPI.transfer(ADDR2);
  SPI.transfer(ADDR3);
  byte data[] = {0x48,0x45,0x4c,0x4c,0x4f,0x2c,0x20,0x53,0x4f,0x4c,0x54,0x41,0x55,0x2e,0x52,0x55};
  for (int i=0; i<sizeof(data); i++) {
    SPI.transfer(data);
  }
  digitalWrite(SSPin, HIGH);
  SPI.endTransaction();
  
  // Выставление запрета записи:
  SPI.beginTransaction(mySet);
  digitalWrite(SSPin, LOW);
  SPI.transfer(WRDI);
  digitalWrite(SSPin, HIGH);
  SPI.endTransaction();
}

void loop() {
  // ничего не делаем в цикле
}

Загрузим скетч в Arduino. Кстати, вот так выглядит на логическом анализаторе обмен по SPI между Arduino и ПЗУ 25L8005, когда выполняется данный скетч.

Временная диаграмма записи в ПЗУ массива данных по SPI

После выполнения данного скетча во флеш-память должен был записаться наш тестовый массив. Давайте проверим, так ли это.

Скорость пропорциональна цене, но не эффективности

Чем выше класс флеш-памяти, тем выше его скорость записи, и тем больше цена. А стоит ли покупать самую быструю память?

  1. Нулевой класс. Скорость записи не менее 0,6 Мб в секунду. В магазинах можно купить, не увидев отсутствие маркировки. Подойдет для хранения документации.
  2. Классы 2 и 4, со скоростями записи 2 и 4 Мб в секунду соответственно, тоже относятся в раздел офисных и предназначены для хранения и переноса документации.
  3. Шестой и восьмой классы со скоростью 6 и 8 Мб в секунду будут интересны всем покупателям, работающим с фото, музыкой, видео. Эти типы флеш-памяти раскрывают потенциал в работе с мультимедиа.
  4. Десятый класс и выше, включая Ultra, показывают скорости записи свыше 10 Мб в секунду. Применяются в работе с мультимедиа, в качестве дополнительных накопителей для рабочих станций, использовании в качестве оперативной памяти. Там, где критична скорость чтения и записи на носитель информации.

Серьезные бренды, такие как Pretec и Corsair, делают высокоскоростные устройства с возможностью записи порядка 25 Мб в секунду, маркируя их восьмым или десятым классом. Цена на модули очень высокая, но в мире ИТ такие бренды очень уважаются пользователями.

Какой максимум ОЗУ поддерживает устройство

ШАГ 1: базовые основы

Максимальный объем оперативной памяти, который можно установить в ПК/ноутбук, зависит от трех составляющих:

  1. процессора;
  2. материнской платы;
  3. ОС Windows (32 битные системы «не видят» более 3 ГБ ОЗУ. Также добавлю, что версии «Windows 7 Home» могут иметь ограничение видимости в 8 ГБ!).

Первые два компонента наиболее важны, т.к. изначально идут с поддержкой только какого-то одного типа памяти (например, DDR4), и имеют ограничения по частоте и объему.

Важно!

Если установить памяти больше, чем поддерживает ЦП или мат. плата (например) — вероятнее всего, устройство просто ее не увидит (и вы зря потратите средства на апгрейд)!

Впрочем, в ряде случаев не исключены синие экраны и отказы ПК загружаться…

Еще один достаточно существенный момент — обратите внимание на количество слотов под оперативную память на материнской плате. Дело в том, что какие-нибудь утилиты могут показать наличие свободного слота — а по факту его может не быть вовсе (просто не распаян на плате)! И проверить это — можно только разобрав устройство..

Слоты под плашки ОЗУ

Кстати, что касается ноутбуков — то в ряде случаев у них может не быть вообще ни одного слота (вся ОЗУ просто распаяна на мат. плате)! Наиболее часто это встречается у компактных ультрабуков (Lenovo, например).

Впрочем, большинство средне-бюджетных моделек всё-таки имеет хотя бы 1 слот (как на фото ниже).

Один слот — ноутбук Dell (Only DDR3L)

ШАГ 2: определяем модель ЦП и мат. платы, и находим их спецификацию

Для ПК

Для начала нам нужно определить точную модель материнской платы. Это можно сделать:

  • с помощью документов, которые шли при покупке устройства;
  • разобрав системный блок и посмотрев модель на самой плате;
  • воспользовавшись  .

Скриншот с официального сайта ASUS

После, аналогичным образом нужно посмотреть, что поддерживает процессор (ЦП). На сайте Intel и AMD спецификации очень подробные, и, как правило, в них можно найти даже больше, чем нужно!

Скрин с сайта Intel (INTEL CORE i5-5200U)

Для ноутбуков

Скриншот с официального сайта Lenovo

ШАГ 3: быстрое решение с помощью спец. утилит

Не всегда и не для каждого производителя можно найти подробную спецификацию, где указаны все тонкости (в некоторых случаях приходится прибегать к данным из спец. утилит). К тому же, утилиты (как правило) позволяют намного быстрее получить нужные данные…

Для текущей работы нам понадобиться программа .

После запуска AIDA64 — перейдите в раздел «Системная плата/Чипсет» и вы увидите две заветные строки:

  • поддерживаемые типы памяти (в моем случае DDR4 1333, DDR4 1600 и др.);
  • максимальный объем памяти (32 ГБ).

AIDA64 — поддерживаемые типы памяти, максимальный объем

Кстати, если макс. объем во вкладке «Чипсет» не отображается — попробуйте открыть «Компьютер/DMI/Массивы памяти/Системная память». Как правило, в этой вкладке эта информация дублируется.

Компьютер — DMI (AIDA64)

Тем не менее, когда есть возможность, рекомендую данные из AIDA64 (и подобных ей утилит) перепроверять (по модели устройства зайти на сайт производителя и уточнить спецификацию)!

по теме — приветствуются!

Хорошего дня!

RSS 
(как читать Rss)

Принцип работы


максимальные возможные объёмы данных для кристаллов, использующих однобитные (SLC) или двухбитные ( MLC)

Элементарной ячейка хранения данных флэш-памяти представляет из себя транзистор с плавающим затвором. Особенность такого транзистора в том, что он умеет удерживать электроны (заряд). Вот на его основе и разработаны основные типы флэш-памяти NAND и NOR. Конкуренции между ними нет, потому что каждый из типов обладает своим преимуществом и недостатком. Кстати, на их основе строят гибридные версии такие как DiNOR и superAND. Во флэш-памяти производители используют два типа ячеек памяти MLC и SLC..

  • Флэш-память с MLC (Multi-level cell — многоуровневые ячейки памяти)ячейки более емкие и дешевые, но они с большим временем доступа и меньшим количеством циклов записи/стирания (около 10000).
  • Флэш-память, которая содержит в себе SLC (Single-level cell — одноуровневые ячейки памяти) ячейки имеет максимальное количество циклов записи/стирания(100000) и обладают меньшим временем доступа. Изменение заряда (запись/стирание) выполняется приложением между затвором и истоком большого потенциала, чтобы напряженность электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения туннельного эффекта. Для усиления эффекта тунеллирования электронов в карман при записи применяется небольшое ускорение электронов путем пропускания тока через канал полевого транзистора.

Принцип работы флеш-памяти основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области («карман») полупроводниковой структуры. Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет роль затвора. Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые характеристики транзистора, что и регистрируется цепями чтения. Эта конструкция снабжается элементами, которые позволяют ей работать в большом массиве таких же ячеек.

DDR4 ValueRAM

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Part Number: KVR21LR15D8LK2/4HBI

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • 4
  • H
  • B
  • I

KVR — Kingston ValueRAM

  • 21 – 2133
  • 24 – 2400
  • 26 – 2666
  • 29 – 2933
  • 32 – 3200
  • blank – 1.2V
  • – TBD
  • E: Unbuffered DIMM (ECC) w/Thermal Sensor
  • L: Load-Reduced DIMM (LRDIMM)
  • N: Unbuffered DIMM (non-ECC)
  • R: Registered DIMM with Address/Command Parity Function w/Thermal Sensor
  • S: SO-DIMM, Unbuffered (Non-Ecc)

15 – CAS Latency

  • S – Single Rank
  • D – Dual Rank
  • Q – Quad Rank
  • O – Octal Rank
  • 4 – x4 DRAM chip
  • 8 – x8 DRAM chip
  • 6 – x16 DRAM chip
  • blank: any height
  • H – 31.25mm
  • L – 18.75mm (VLP)
  • blank – Single Module
  • K2 – Kit of Two Modules
  • K3 – Kit of Three Modules

4 — Capacity

  • H – SK Hynix
  • K – Kingston
  • M – Micron
  • S – Samsung

B – Revision

I – Intel Certified

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

Part Number: KVR16LR11D8LK2/4HB

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • 4
  • H
  • B

KVR — Kingston ValueRAM

  • 16 – 1600
  • 13 – 1333
  • 10 – 1066
  • blank — 1.5V
  • L — 1.35V
  • U — 1.25V
  • E – Unbuffered DIMM (ECC)
  • N – Unbuffered DIMM (non-ECC)
  • R – Registered DIMM
  • L – Load-Reduced DIMM
  • S – SO-DIMM

11 – CAS Latency

  • S – Single Rank
  • D – Dual Rank
  • Q – Quad Rank
  • 4 – x4 DRAM chip
  • 8 – x8 DRAM chip
  • L – 18.75mm (VLP)
  • H – 30mm
  • K2 – Kit of Two Modules
  • K3 – Kit of Three Modules
  • K4 – Kit of Four Modules
  • 4 — 4GB
  • 8 — 8GB
  • 12 — 12GB
  • 16 — 16GB
  • 24 — 24GB
  • 32 — 32GB
  • 48 — 48GB
  • 64 — 64GB
  • H – Hynix
  • E – Elpida
  • I – Intel Validated

B – Die Revision

Рейтинг флеш накопителей

Среди всего представленного на рынке разнообразия можно растеряться. Для получения информации о самых популярных моделях предлагаем познакомиться с последним перечнем, который был сложен на основании отзывов покупателей и специалистов. Рейтинг флешек включает следующие изделия:

  1. Samsung BAR Plus. Форма корпуса помогает легче доставать флешку из разъемов. Материал – металл с функцией влагозащиты.
  2. SanDisk Extreme PRO USB 3.1. Корпус только черного цвета. Материал – пластик с выдвижным механизмом. В открытом виде видно индикатор.
  3. Transcend JetFlash 790. Бюджетный вариант с большим количеством плюсов. Есть отверстие для шнурка, выдвижной механизм и индикатор работы.
  4. SanDisk Ultra Fit USB 3.1. Все модели данной фирмы только черного цвета. Устройство состоит из разъема и крепления для шнурка.
  5. Mirex ELF. Недорогой флеш накопитель. Выпускается в четырех цветах. Имеет большой выбор объемов памяти.
  6. SmartBuy Quartz. Отличается низкой ценой и минимальной функциональностью. Корпус пластиковый, представлен в фиолетовом и черном цвете.
  7. Transcend JetFlash 750. Простой и надежный usb-брелок. Корпус черный, сделан из пластика. Имеет высокую скорость чтения информации.
  8. iStorage datAshur Pro. Корпус металлический, разделяется на две части: флешка и полноразмерный колпачок. Относится к накопителям с повышенной степенью защиты.
  9. ADATA DashDrive UV150. Корпус выполнен из пластика, разъем имеет защиту в виде колпачка. Наделен высокой скоростью.
  10. Transcend JetDrive Go 300S. Металлический корпус заканчивается двумя разъемами. Может работать с устройствами фирмы Apple, только с ее помощью можно увеличить память на iPhone и iPad.

Сколько вам нужно ОЗУ: рекомендации

Если свести рекомендации по выбору оперативной памяти для разных устройств, то получится следующее:

  • 2 Гб используется в основном в планшетах и смартфонах;
  • 4 Гб подходит для работы MacOS (которая есть только в ноутбуках и моноблоках компании Apple), а также для недорогих систем на базе «Виндоус», хороший выбор для офисного ноутбука;
  • 8 Гб – продуктивное решение большинства задач;
  • 16 Гб – игровой вариант, но в скором времени может потребовать модернизации, а также выбор для специалистов, работающих с ресурсоемкими приложениями;
  • 32 Гб и более – для вас, если вы хотите стать профессиональным игроком или покупаете рабочую станцию для выполнения сверхтяжелых задач.

Дополнительно можно обратить внимание на такой параметр, как тактовая частота оперативной памяти. Измеряется он в мегагерцах (частота обмена данными процессора и ОЗУ)

Если же планка выбирается для модернизации системы и дополнения установленного ОЗУ, необходимо отдать предпочтение элементу с аналогичной частотой. Если использовать планку с высокой частотой, то ее преимущества будут минимизированы. Если же взять ОЗУ с низким показателем, то оно не даст имеющейся планке работать на всю мощь.

Следует учитывать при выборе тип установленного жесткого диска: даже 16 Гб ОЗУ не дадут нужной производительности при отсутствии SSD (твердотельного накопителя). Не менее важен и такой показатель, как разрядность системы. ОС 32 бит «не видит» RAM больше 4 Гб.

Для планшета

Планшеты с 3 гигабайтами оперативной памяти считаются сверхпроизводительными и мощными. Они не тормозят в играх, позволяют быстро работать в сети и запускать множество других приложений.

Если устройство используется для работы с почтой, браузером, офисными приложениями, просмотра фильмов, то 2 Гб ему хватит «за глаза». Большее значение будет иметь количество ядер процессора и вместимость жесткого диска.

Выбор ОЗУ для ноутбуков

Ноутбуки, цена которых начинается от 50 тысяч рублей, оснащаются 4 – 8 Гб оперативной памяти. Эти модели достаточно производительны и легко заменяют мультимедийный домашний ПК.

Игровые модели оснащаются в основном 16 Гб ОЗУ, но встречаются варианты с 32 Гб. Они относятся к профессиональным ноутбукам для игроков или решения особых рабочих задач.

Стационарные компьютеры

Требования для настольных компьютеров мало чем отличаются от того, что нужно для нормальной работы ноутбука. Для тех, кто не увлекается графической редакцией, тяжеловесными играми, 4 Гб вполне достаточно. Но для более комфортной работы с заделом «на будущее» лучше обзавестись ОЗУ 8 Гб.

Принцип действия[править | править код]

Программирование флеш-памяти

Стирание флеш-памяти

NORправить | править код

В основе этого типа флеш-памяти лежит ИЛИ‑НЕ элемент (англ. NOR), потому что в транзисторе с плавающим затвором низкое напряжение на затворе обозначает единицу.

Программирование и чтение ячеек сильно различаются в энергопотреблении: устройства флеш-памяти потребляют достаточно большой ток при записи, тогда как при чтении затраты энергии малы.

Для стирания информации на управляющий затвор подаётся высокое отрицательное напряжение, и электроны с плавающего затвора переходят (туннелируют) на исток.

В NOR архитектуре к каждому транзистору необходимо подвести индивидуальный контакт, что увеличивает размеры схемы. Эта проблема решается с помощью NAND архитектуры.

NANDправить | править код

В основе NAND типа лежит И-НЕ элемент (англ. NAND). Принцип работы такой же, от NOR типа отличается только размещением ячеек и их контактами. В результате уже не требуется подводить индивидуальный контакт к каждой ячейке, так что размер и стоимость NAND чипа может быть существенно меньше. Так же запись и стирание происходит быстрее. Однако эта архитектура не позволяет обращаться к произвольной ячейке.

NAND и NOR архитектуры сейчас существуют параллельно и не конкурируют друг с другом, поскольку находят применение в разных областях хранения данных.

Корпоративная многоуровневая ячейка «eMLC»

Память на основе многобитовых ячеек «eMLC» представляет собой разновидность флэш-памяти базовой многоуровневой ячейки «MLC» с той лишь разницей, что она оптимизирована для непосредственного применения в корпоративном секторе, имеет более высокую производительность и долговечность, а также обеспечивает более стабильное функционирование процессов чтения/записи из ячеек памяти. Гарантированное заявленное количество жизненных циклов чтения/записи данных составит от 20000 до 30000. Вариант памяти с ячейками «eMLC» предоставляет более дешевую альтернативу запоминающим устройствам, исполненным с применением одноуровневых ячеек «SLC», но при этом сохраняет отдельные преимущества «SLC» и обеспечивает приемлемое достаточное количество циклов перезаписи.

К положительным свойствам данного вида ячейки можно отнести:

  • Более дешевая альтернатива корпоративных твердотельных накопителей «SSD» в сравнении с устройствами на базе памяти с одноуровневыми ячейками «SLC».
  • Имеет лучшую производительность, помехоустойчивость, защиту от ошибок и выносливость по сравнению со стандартными ячейками «MLC».

Из отрицательных свойств ячейки «eMLC» необходимо отметить:

Не соответствует уровню производительности и гарантированному подтвержденному сроку эксплуатации хранилищ данных «SSD», использующих флэш-память «NAND» с однобитовыми ячейками «SLC».

Рекомендации по использованию аналогичны представленным в предыдущем разделе для твердотельных накопителей «SSD» с памятью, состоящей из одноуровневых ячеек «SLC», например, корпоративное, промышленное и серверное применение, а также процессы с повышенной рабочей нагрузкой, содержащие большое количество циклов перезаписи данных.

1.4. Способы использования запасной области страницы

Еще раз напомним, что по замыслу разработчиков NAND микросхем в запасной области должны находится: маркеры плохих блоков, контрольные суммы основной области данных, прочая служебная информация.

Большинство разработчиков описывает только место расположения маркеров плохих блоков в поставляемых микросхемах. По остальным аспектам использования запасной области даются общие рекомендации и алгоритм вычисления ЕСС, обычно по Хэмингу. Samsung идут несколько дальше, разработав рекомендации с названием «Запасная область флэш-памяти NAND.
Стандарт назначения» («NAND Flash Spare Area.
Assignment Standard»,
27. April. 2005,
Memory Division,
Samsung Electronics Co., Ltd).

Итак, этот стандарт предполагает следующее использование запасной области:

Использование запасной областидля микросхем с размером страницы 512+16 байт:
Смещение (байт)Размер (байт)НазначениеОписание
3LSNЛогический номер сектора
32RESERVEDЗарезервировано
51BIМаркер плохого блока
63ECCECC код для основной области страницы
92S-ECC ECC код для логического номера сектора
115RESERVEDЗарезервировано

Для микросхем с размером страницы 2048+64 байт основная и запасная область страницы разбивается на 4 фрагмента (сектора) каждая:

ОбластьРазмер (байт)Фрагмент
Основная512Сектор 1
512Сектор 2
512Сектор 3
512Сектор 4
Запасная16Сектор 1
16Сектор 2
16Сектор 3
16Сектор 4

Каждому фрагменту их основной области ставится в соответствие фрагмент запасной области.

Использование запасной области (для каждого из четырех фрагментов)
у микросхем с размером страницы 2048+64 байт:
Смещение(байт)Размер(байт)НазначениеОписание
1BIМаркер плохого блока
11RESERVEDЗарезервировано
23LSNЛогический номер сектора
51RESERVEDЗарезервировано для номера сектора
65RESERVEDЗарезервировано
83ECCECC код для основной области страницы
112S-ECC ECC код для логического номера сектора
133RESERVEDЗарезервировано

Но это не единственный «стандарт» для распределения памяти страниц, только нам известны их несколько десятков, например:

  • «NAND FLASH management under
    WinCE 5.0»,
    NXP;
  • «Bad Block Management
    for NAND Flash using NX2LP», December 15, 2006, Cypress Semiconductor;
  • «OLPC NAND Bad Block Management», OLPC.

NAND

NAND Флеш память

Данный тип памяти был разработан компанией Toshiba. Эти микросхемы благодаря своей архитектуре применяют в маленьких накопителях , которые получили имя NAND (логическая операция И-НЕ). При выполнении операция NAND дает значение нуль только, когда все операнды равны нулю, и единичное значение во всех других случаях. Как было написано ранее, нулевое значение это открытое состояние транзистора. В следствии этого в архитектуре NAND подразумевается, что битовая линия имеет нулевое значение в том случае, когда все подключенные к ней транзисторы открыты, и значение один, когда хотя бы один из транзисторов закрыт. Такую архитектуру можно построить, если подсоединить транзисторы с битовой линией не по одному (так построено в архитектуре NOR) , а последовательными сериями (столбец из последовательно включенных ячеек).

Данная архитектура по сравнению с NOR хорошо масштабируется потому, что разрешает компактно разместить транзисторы на схеме. Кроме этого архитектура NAND производит запись путем туннелирования Фаулера — Нордхейма, а это разрешает реализовать быструю запись нежели в структуре NOR. Чтобы увеличить скорость чтения, в микросхемы NAND встраивают внутренний кэш. Как и кластеры жесткого диска так и ячейки NAND группируются в небольшие блоки. По этой причине при последовательном чтении или записи преимущество в скорости будет у NAND. Но с другой стороны NAND сильно проигрывает в операции с произвольным доступом и не имеет возможности работать на прямую с байтами информации. В ситуации когда нужно изменить всего несколько бит, система вынуждена переписывать весь блок, а это если учитывать ограниченное число циклов записи, ведет к большому износу ячеек памяти.В последнее время ходят слухи о том, что компания Unity Semiconductor разрабатывает флэш-память нового поколения, которая будет построена на технологии CMOx. Предполагается, что новая память придет на смену флеш-памяти типа NAND и преодолеет ее ограничения, которые в памяти NAND обусловлены архитектурой транзисторных структур. К преимуществам CMOx относят более высокую плотность и скорость записи, а также более привлекательную стоимость. В числе областей применения новой памяти значатся SSD и мобильные устройства. Ну, что же правда это или нет покажет время.

Оперативная память Samsung DDR4 2666 DIMM 8Gb (M378A1K43CB2-CTD) для компьютера

  • частота 2666 МГц;
  • напряжение 1.2 В;
  • пропускная способность 21300 МБ/с;
  • объем 8 ГБ.

Планка оперативной памяти типа DDR4. На модуле 8 чипов в односторонней упаковке. Объем составляет 8 гигабайт. RAM работает на частоте 2666 МГц. Но ее можно разогнать до более внушительных показателей. Стандартное рабочее напряжение 1.2 Вольт. Но при разгоне его возможно увеличить даже до 1.7.

Такой модуль вполне подойдет для i3 9100F от компании Intel и даже для i5 9600k. Пропускная способность памяти на уровне 21300 мегабит в секунду. Поэтому планка подойдет для игрового ПК средней конфигурации. Поддержки профилей XMP нет. С ними было бы проще настроить ОЗУ на максимальную производительность.

Бюджетная линейка памяти от Samsung отлично показывает себя даже при работе с i5 9400F. Вполне подходит для игр и других сложных задач. Способна разгоняться до 3200 МГц. Благодаря стандартному дизайну поместится даже в маленькие корпусы.

Плюсы:

  • модуль на 8 ГБ;
  • частота 2666 МГц;
  • стандартное напряжение 1.2 В;
  • поддается разгону;
  • подходит для Intel и AMD;
  • стандарт DDR4.
Оцените статью:
Оставить комментарий
Adblock
detector