Ограничитель тока нагрузки с низким падением напряжения

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

Type Mat Struct Pc Uce Ic Hfe Caps
2N4403SC Si PNP 0.35 40 0.6 150 SOT23
2STR2160 Si PNP 0.5 60 1 250 SOT23
BCW68 Si PNP 0.35 45 0.8 100 SOT23
BCW68F Si PNP 0.35 45 0.8 100 SOT23
BCW68G Si PNP 0.35 45 0.8 160 SOT23
BCW68H Si PNP 0.35 45 0.8 250 SOT23
BCW68RF Si PNP 0.35 45 0.8 100 SOT23
BCW68RG Si PNP 0.35 45 0.8 160 SOT23
BCW68RH Si PNP 0.35 45 0.8 250 SOT23
BSP15T1 Si PNP 1.5 200 1 100 SOT23
BSP15T3 Si PNP 1.5 200 1 150 SOT23
BSP16T3 Si PNP 1.5 300 1 120 SOT23
BSP31T1 Si PNP 1.5 60 1 100 SOT23
BSP31T3 Si PNP 1.5 60 1 100 SOT23
BSP33T1 Si PNP 1.5 80 1 100 SOT23
BSP33T3 Si PNP 1.5 80 1 100 SOT23
BSR15 Si PNP 0.425 40 0.6 100 SOT23
BSR15R Si PNP 0.425 40 0.6 100 SOT23
BSR16 Si PNP 0.425 40 0.6 100 SOT23
BSR16R Si PNP 0.425 40 0.6 100 SOT23
BTB1198N3 Si PNP 0.56 80 1 120 SOT23
BTB1424N3 Si PNP 0.9 50 3 180 SOT23
BTB5140N3 Si PNP 0.45 40 2 300 SOT23
BTB5240N3 Si PNP 0.48 40 2 300 SOT23
CHT2907AGP Si PNP 0.35 60 0.6 100 SOT23
CHT2907AGP-A Si PNP 0.35 60 0.6 100 SOT23
CHT4403GP Si PNP 0.35 40 0.6 100 SOT23
CMMT591 Si PNP 0.5 60 1 100 SOT23
CMMT591A Si PNP 0.5 40 1 300 SOT23
CMPT2907AE Si PNP 0.35 60 0.6 100 SOT23
CMPT5401E Si PNP 0.35 220 0.6 100 SOT23
CMPT591E Si PNP 0.35 60 1 200 SOT23
CMPT7820 Si PNP 0.35 60 1 100 SOT23
CPBT720 Si PNP 0.35 40 1.5 300 SOT23
DPBT8105 Si PNP 0.6 60 1 100 SOT23
DSS5160T Si PNP 0.725 60 1 100 SOT23
DSS5240T Si PNP 0.6 40 2 260 SOT23
ECG2407 Si PNP 0.425 60 0.6 100 SOT23
FMMT734 Si PNP 0.625 100 0.8 15000 SOT23
FSB660 Si PNP 0.5 60 2 100 SSOT3 SOT23
FSB660A Si PNP 0.5 60 2 250 SSOT3 SOT23
KD136C Si PNP 12 45 1.5 100 SOT23
KMMT720 Si PNP 0.35 40 1.5 200 SOT23
KN2907AS Si PNP 0.35 60 0.6 100 SOT23
KN2907S Si PNP 0.35 40 0.6 100 SOT23
KN4403S Si PNP 0.35 40 0.6 100 SOT23
KSR16 Si PNP 0.35 60 0.8 100 SOT23
KSR16-HF Si PNP 0.35 60 0.8 100 SOT23
KSS1C200LT1G Si PNP 0.49 100 2 120 SOT23
KTA1571S Si PNP 0.35 100 1 150 SOT23
KTN2907AS Si PNP 0.35 60 0.6 100 SOT23
KTN2907S Si PNP 0.35 40 0.6 100 SOT23
LDTBG12GPT1G Si Pre-Biased-PNP 0.5 50 1 300 SOT23
MMBT1116 Si PNP 0.35 50 1 135 SOT23
MMBT1116A Si PNP 0.35 60 1 135 SOT23
MMBT2907AK Si PNP 0.35 60 0.6 100 SOT23
MMBT2907ALT1 Si PNP 0.4 60 0.6 100 SOT23
MMBT2907LT1 Si PNP 0.4 60 0.6 100 SOT23
MMBT4403K Si PNP 0.35 40 0.6 100 SOT23
MMBT591 Si PNP 0.5 60 1 100 SOT23
MZT127 Si PNP 2 100 5 1000 SOT23
NSS1C200L Si PNP 0.71 100 3 120 SOT23
NSS1C200LT1G Si PNP 0.49 100 2 120 SOT23
NSS40200L Si PNP 0.71 40 4 250 SOT23
NSS40200LT1G Si PNP 0.46 40 2 150 SOT23
NSS60200LT1G Si PNP 0.54 60 2 150 SOT23
NSV1C200LT1G Si PNP 0.71 100 2 120 SOT23
NSV40200LT1G Si PNP 0.46 40 2 150 SOT23
NSV60200LT1G Si PNP 0.54 60 2 150 SOT23
SBT2907 Si PNP 0.35 40 0.6 100 SOT23
SBT2907A Si PNP 0.35 60 0.6 100 SOT23
SBT2907AF Si PNP 0.35 60 0.6 100 SOT23F
SBT2907F Si PNP 0.35 40 0.6 100 SOT23F
TFN1424 Si PNP 0.9 50 3 180 SOT23
ZXTC2063E6 Si NPN*PNP 1.1 40 3 200 SOT236
ZXTP05120HFF Si PNP 1.5 120 1 3000 SOT23F
ZXTP07040DFF Si PNP 1.5 40 3 250 SOT23F
ZXTP19060CFF Si PNP 1.5 60 4 200 SOT23F
ZXTP19100CFF Si PNP 1.5 100 2 200 SOT23F
ZXTP2025F Si PNP 1.2 50 5 200 SOT23
ZXTP2027F Si PNP 1.2 60 4 100 SOT23
ZXTP2029F Si PNP 1.2 100 3 100 SOT23
ZXTP2039F Si PNP 0.35 60 1 100 SOT23
ZXTP2041F Si PNP 0.35 40 1 250 SOT23
ZXTP23140BFH Si PNP 1.25 140 2.5 100 SOT23
ZXTP25040DFH Si PNP 1.25 40 3 200 SOT23
ZXTP25040DFL Si PNP 0.35 40 1.5 300 SOT23
ZXTP25060BFH Si PNP 1.25 60 3 100 SOT23
ZXTP25100BFH Si PNP 1.25 100 2 100 SOT23
ZXTP25100CFH Si PNP 1.25 100 1 180 SOT23
ZXTP25140BFH Si PNP 1.25 140 1 100 SOT23

Всего результатов: 91

Проверка встроенного обратного диода

Практически в любом современном полевом транзисторе, за исключением специальных их типов, параллельно цепи сток-исток включен внутренний «защитный» диод. Наличие этого диода внутри полевика обусловлено особенностями технологии производства мощных транзисторов. Иногда он мешает, считается паразитным, однако в большинстве полевых транзисторов без него, как части цельной структуры электронного компонента, не обойтись.

Следовательно, в исправном полевом транзисторе данный диод тоже должен быть исправным. В n-канальном полевом транзисторе данный диод включен катодом к стоку, анодом — к истоку, а в p-канальном — анодом к стоку, катодом — к истоку. Включите мультиметр в режим «прозвонки» диодов. Если полевой транзистор является n-канальным, то красный щуп мультиметра приложите к его истоку (source), а черный — к стоку (drain).

Транзисторы являются одними из самых широко применяемых радиоэлементов. Несмотря на свою надёжность, они нередко выходят из строя, что связано с нарушениями режима в их работе. При этом поиск неисправного элемента в связи со спецификой устройства полевого транзистора вызывает определённые трудности.

Обычно сток находится посередине и соединен с проводящей подложкой транзистора, а истоком является правый вывод (уточните это в datasheet). В случае если внутренний диод исправен, на дисплее мультиметра отобразится прямое падение напряжения на нем – в районе 0,4-0,7 вольт. Если теперь положение щупов изменить на противоположное, то прибор покажет бесконечность. Если все так, значит внутренний диод исправен.


Порядок измерений.

Проверка цепи сток-исток

Полевой транзистор управляется электрическим полем затвора. И если емкость затвор-исток зарядить, то проводимость в направлении сток-исток увеличится. Итак, если транзистор является n-канальным, приложите черный щуп к затвору (gate), а красный — к истоку, и через секунду измените расположение щупов на противоположное — красный к затвору, а черный — к истоку. Так мы сначала наверняка разрядили затвор, а после — зарядили его. Затвор обычно слева, а исток — справа.

Теперь красный щуп переместите с затвора — на сток, а черный пусть останется на истоке. Если транзистор исправен, то как только вы переместите красный щуп с затвора на сток, мультиметр покажет что на стоке есть падение напряжения — это значит, что транзистор перешел в проводящее состояние.

Теперь красный щуп на исток, а черный — на затвор (разряжаем затвор противоположной полярностью), после чего снова красный щуп на сток, а черный — на исток. Прибор должен показать бесконечность — транзистор закрылся. Для p-канального полевого транзистора щупы просто меняются местами.


Проверка транзистора без выпаивания.

Если прибор запищит

Если на этапе проверки сток-исток прибор запищит, это может быть вполне нормальным, ведь у современных полевых транзисторов сопротивление сток-исток в открытом состоянии бывает очень маленьким. Как вариант, можно соединить затвор с истоком и в таком положении прозвонить сток-исток (для n-канального красный на сток, черный — на исток), прибор должен показать бесконечность.

Главное — чтобы не было звона затвор-исток и сток-исток, особенно в тот момент когда затвор заряжен противоположной полярностью.

Смещение делителем напряжения

Устойчивое смещение эмиттера требует низковольтного источника смещения базы (рисунок ниже). Альтернативой источнику базы Vсмещ является делитель напряжения, питаемый источником питания коллектора Vпит.

Смещение делителем напряжения заменяет источник напряжения базы на делитель напряжения

Технология проектирования заключается в том, чтобы сначала разработать схему смещения эмиттера, затем преобразовать ее в схему смещения базы с помощью делителя напряжения, используя теорему Тевенина. Этапы графически показаны на рисунке ниже. Нарисуем делитель напряжения, не присваивая номиналов резисторов. Отделите делитель от базы (база транзистора является его нагрузкой). Примените теорему Тевенина, чтобы получить эквивалентные одно сопротивление Тевенина RТев и один источник напряжения VТев.

Теорема Тевенина преобразует делитель напряжения в один источник напряжения VТев и одно сопротивление RТев

Эквивалентное сопротивление Тевенина – это сопротивление от точки нагрузки (стрелка) при уменьшении напряжения батареи (Vпит) до 0 (земля). Другими словами, R1 || R2. Эквивалентное напряжение Тевенина представляет собой напряжение разомкнутой цепи (снятая нагрузка). Этот расчет осуществляется методом коэффициента деления делителя напряжения. R1 получается путем исключения R2 из пары формул для RТев и VТев. Ниже приведена формула расчета R1, исходя из значений RТев, VТев и Vпит

Обратите внимание, что RТев представляет собой RБ, резистор смещения из схемы смещения эмиттера. Также ниже приведена формула расчета R2, исходя из значений R1 и RТев

\

\

\\]

\\]

\ = { 1 \over R1 } \cdot { 1 \over \text f }\]

\

\

Преобразуем предыдущий пример смещение эмиттера в смещение с помощью делителя напряжения.

Пример смещения эмиттера, преобразованный в смещение с помощью делителя напряжения

Эти значения были ранее выбраны или расчитаны для примера смещения эмиттера.

\(\beta = 100 \qquad I_Э \approx I_К = 1 мА \qquad V_{пит} = 10 В \qquad V_{смещ} = 1,5 В \qquad R_Э = 470 Ом \)

\ = 100 \left = 33 кОм\]

Подстановка значений Vпит, Vсмещ и RБ даст в результате значения R1 и R2 для схемы смещения с делителем напряжения.

\

\

\

\

\

Значение R1 равно стандартному значению 220 кОм. Ближайшее стандартное значение для R2, равного 38,8 кОм, рано 39 кОм. Это не сильно изменить IЭ, чтобы его рассчитывать.

Задача: Рассчитаем резисторы смещения для каскодного усилителя на рисунке ниже. VБ2 – это напряжение смещения каскада с общим эмиттером. VБ1 – это довольно высокое напряжение 11,5 В, потому что мы хотим, чтобы каскад с общей базой удерживал напряжение на эмиттере на уровне 11,5 – 0,7 = 10,8 В, примерно 11 В. (Это будет 10 В после учета падения напряжения на RБ1.) То есть, каскад с общей базой является нагрузкой, заменяющей резистор, коллектора каскада с общим эмиттером. На нужен ток эмиттера 1 мА.

Смещение для каскодного усилителя

\( V_{пит} = 20 В \qquad I_Э = 1 мА \qquad \beta = 100 \qquad V_A = 10 В \qquad R_{нагр} = 4,7 кОм \)

\( V_{смещ1} = 11,5 В \qquad V_{смещ2} = 1,5 В \)

\[ I_Э = {V_{смещ} — V_{БЭ} \over R_Б / \beta +R_Э } \]

\[R_{Б1} = { V_{смещ} — V_{БЭ} \over I_Э / \beta } = { (V_{смещ1} — V_A) — V_{БЭ} \over I_Э / \beta } = { (11,5 — 10) — 0,7 \over 1 мА / 100 } = 80 кОм\]

\[R_{Б2} = { V_{смещ2} — V_{БЭ} \over I_Э / \beta } = { (1,5) — 0,7 \over 1 мА / 100 } = 80 кОм\]

Задача: Преобразуем резисторы смещения базы в каскодном усилителе в резисторы схемы смещения с делителем напряжения, питающимся от Vпит 20 В.

\

\

\

\

\

\

\

\

\( R2 = 210 кОм \)

\

\

\

\

\

\

\

\

\

\( R4 = 86,5 кОм \)

Окончательная схема показана в главе 9 «Практические аналоговые схемы» в разделе «Радиочастотные схемы» под названием «Каскодный усилитель класса A…».

Смещение с постоянной базой и смещение с постоянным сопротивлением

Схема имеет базовый резистор RB, который соединяет базу и напряжение постоянного тока. Тут соединение базы-эмиттера у транзистора, который смещён за счёт снижения напряжения через RB, что является результатом течения IB через него.

Здесь величины напряжения постоянного тока и VBE постоянны, в то время как величина RB постоянна с момента создания схемы. Это приводит к постоянной величине для IB за счёт постоянного операционного усилителя. Благодаря последнему данная схема называется смещением с постоянной базой. Этот вид смещения – результат стабилизирующего фактора (ß + 1), который приводит к очень низкой термической стабильности.

Причина этого кроется в том, что ß – параметр транзистора непредсказуем, и сильно изменяется, даже если транзисторы одного типа и модели. Это изменение в ß выражается в больших изменениях в Ic, которые не могут быть компенсированы никакими средствами при проектировании. Отсюда можно сделать вывод, что этот вид смещения, зависящего от ß, подвержен изменениям в операционном усилителе, возникающим из за изменений в характеристиках транзистора и температуры.

Как бы там ни было, стоит отметить, что смещение с постоянной базой наиболее простое и использует меньше деталей. Более того, оно даёт пользователю возможность менять операционный усилитель где угодно в активной зоне просто за счёт смены значения RB в проектировании. Также оно предлагает не загружать источник как соединение базы-эмиттера без резистора. Благодаря этим факторам, этот тип смещения используется при коммутации и для достижения автоматического контроля за коэффициентом усиления в транзисторах.

Расчёт ключевого режима транзисторного каскада

Расчёт ключевого режима транзисторного каскада производится абсолютно так же, как и ранее проведённый расчёт усилительного каскада. Отличие заключается только в том, что ключевой режим предполагает два состояния транзистора в режиме покоя (без сигнала). Он, или закрыт (но не закорочен), или открыт (но не перенасыщен). При этом, рабочие точки «покоя», находятся за пределами точек А и С изображённых на ВАХ. Когда на схеме в состоянии без сигнала транзистор должен быть закрыт, необходимо из ранее изображённой схемы каскада удалить резистор Rб1. Если же требуется, чтобы транзистор в состоянии покоя был открыт, необходимо в схеме каскада увеличить резистор Rб2 в 10 раз от расчётного значения, а в отдельных случаях, его можно удалить из схемы.

Расчёт транзисторного каскада окончен.

Оцените статью:
Оставить комментарий
Adblock
detector