Ограничитель тока нагрузки с низким падением напряжения

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

Type  Mat  Struct  Pc  Uce  Ic  Hfe  Caps
2N4403SC  Si  PNP  0.35  40  0.6  150  SOT23
2STR2160  Si  PNP  0.5  60  1  250  SOT23
BCW68  Si  PNP  0.35  45  0.8  100  SOT23
BCW68F  Si  PNP  0.35  45  0.8  100  SOT23
BCW68G  Si  PNP  0.35  45  0.8  160  SOT23
BCW68H  Si  PNP  0.35  45  0.8  250  SOT23
BCW68RF  Si  PNP  0.35  45  0.8  100  SOT23
BCW68RG  Si  PNP  0.35  45  0.8  160  SOT23
BCW68RH  Si  PNP  0.35  45  0.8  250  SOT23
BSP15T1  Si  PNP  1.5  200  1  100  SOT23
BSP15T3  Si  PNP  1.5  200  1  150  SOT23
BSP16T3  Si  PNP  1.5  300  1  120  SOT23
BSP31T1  Si  PNP  1.5  60  1  100  SOT23
BSP31T3  Si  PNP  1.5  60  1  100  SOT23
BSP33T1  Si  PNP  1.5  80  1  100  SOT23
BSP33T3  Si  PNP  1.5  80  1  100  SOT23
BSR15  Si  PNP  0.425  40  0.6  100  SOT23
BSR15R  Si  PNP  0.425  40  0.6  100  SOT23
BSR16  Si  PNP  0.425  40  0.6  100  SOT23
BSR16R  Si  PNP  0.425  40  0.6  100  SOT23
BTB1198N3  Si  PNP  0.56  80  1  120  SOT23
BTB1424N3  Si  PNP  0.9  50  3  180  SOT23
BTB5140N3  Si  PNP  0.45  40  2  300  SOT23
BTB5240N3  Si  PNP  0.48  40  2  300  SOT23
CHT2907AGP  Si  PNP  0.35  60  0.6  100  SOT23
CHT2907AGP-A  Si  PNP  0.35  60  0.6  100  SOT23
CHT4403GP  Si  PNP  0.35  40  0.6  100  SOT23
CMMT591  Si  PNP  0.5  60  1  100  SOT23
CMMT591A  Si  PNP  0.5  40  1  300  SOT23
CMPT2907AE  Si  PNP  0.35  60  0.6  100  SOT23
CMPT5401E  Si  PNP  0.35  220  0.6  100  SOT23
CMPT591E  Si  PNP  0.35  60  1  200  SOT23
CMPT7820  Si  PNP  0.35  60  1  100  SOT23
CPBT720  Si  PNP  0.35  40  1.5  300  SOT23
DPBT8105  Si  PNP  0.6  60  1  100  SOT23
DSS5160T  Si  PNP  0.725  60  1  100  SOT23
DSS5240T  Si  PNP  0.6  40  2  260  SOT23
ECG2407  Si  PNP  0.425  60  0.6  100  SOT23
FMMT734  Si  PNP  0.625  100  0.8  15000  SOT23
FSB660  Si  PNP  0.5  60  2  100  SSOT3 SOT23
FSB660A  Si  PNP  0.5  60  2  250  SSOT3 SOT23
KD136C  Si  PNP  12  45  1.5  100  SOT23
KMMT720  Si  PNP  0.35  40  1.5  200  SOT23
KN2907AS  Si  PNP  0.35  60  0.6  100  SOT23
KN2907S  Si  PNP  0.35  40  0.6  100  SOT23
KN4403S  Si  PNP  0.35  40  0.6  100  SOT23
KSR16  Si  PNP  0.35  60  0.8  100  SOT23
KSR16-HF  Si  PNP  0.35  60  0.8  100  SOT23
KSS1C200LT1G  Si  PNP  0.49  100  2  120  SOT23
KTA1571S  Si  PNP  0.35  100  1  150  SOT23
KTN2907AS  Si  PNP  0.35  60  0.6  100  SOT23
KTN2907S  Si  PNP  0.35  40  0.6  100  SOT23
LDTBG12GPT1G  Si  Pre-Biased-PNP  0.5  50  1  300  SOT23
MMBT1116  Si  PNP  0.35  50  1  135  SOT23
MMBT1116A  Si  PNP  0.35  60  1  135  SOT23
MMBT2907AK  Si  PNP  0.35  60  0.6  100  SOT23
MMBT2907ALT1  Si  PNP  0.4  60  0.6  100  SOT23
MMBT2907LT1  Si  PNP  0.4  60  0.6  100  SOT23
MMBT4403K  Si  PNP  0.35  40  0.6  100  SOT23
MMBT591  Si  PNP  0.5  60  1  100  SOT23
MZT127  Si  PNP  2  100  5  1000  SOT23
NSS1C200L  Si  PNP  0.71  100  3  120  SOT23
NSS1C200LT1G  Si  PNP  0.49  100  2  120  SOT23
NSS40200L  Si  PNP  0.71  40  4  250  SOT23
NSS40200LT1G  Si  PNP  0.46  40  2  150  SOT23
NSS60200LT1G  Si  PNP  0.54  60  2  150  SOT23
NSV1C200LT1G  Si  PNP  0.71  100  2  120  SOT23
NSV40200LT1G  Si  PNP  0.46  40  2  150  SOT23
NSV60200LT1G  Si  PNP  0.54  60  2  150  SOT23
SBT2907  Si  PNP  0.35  40  0.6  100  SOT23
SBT2907A  Si  PNP  0.35  60  0.6  100  SOT23
SBT2907AF  Si  PNP  0.35  60  0.6  100  SOT23F
SBT2907F  Si  PNP  0.35  40  0.6  100  SOT23F
TFN1424  Si  PNP  0.9  50  3  180  SOT23
ZXTC2063E6  Si  NPN*PNP  1.1  40  3  200  SOT236
ZXTP05120HFF  Si  PNP  1.5  120  1  3000  SOT23F
ZXTP07040DFF  Si  PNP  1.5  40  3  250  SOT23F
ZXTP19060CFF  Si  PNP  1.5  60  4  200  SOT23F
ZXTP19100CFF  Si  PNP  1.5  100  2  200  SOT23F
ZXTP2025F  Si  PNP  1.2  50  5  200  SOT23
ZXTP2027F  Si  PNP  1.2  60  4  100  SOT23
ZXTP2029F  Si  PNP  1.2  100  3  100  SOT23
ZXTP2039F  Si  PNP  0.35  60  1  100  SOT23
ZXTP2041F  Si  PNP  0.35  40  1  250  SOT23
ZXTP23140BFH  Si  PNP  1.25  140  2.5  100  SOT23
ZXTP25040DFH  Si  PNP  1.25  40  3  200  SOT23
ZXTP25040DFL  Si  PNP  0.35  40  1.5  300  SOT23
ZXTP25060BFH  Si  PNP  1.25  60  3  100  SOT23
ZXTP25100BFH  Si  PNP  1.25  100  2  100  SOT23
ZXTP25100CFH  Si  PNP  1.25  100  1  180  SOT23
ZXTP25140BFH  Si  PNP  1.25  140  1  100  SOT23

Всего результатов: 91

Проверка встроенного обратного диода

Практически в любом современном полевом транзисторе, за исключением специальных их типов, параллельно цепи сток-исток включен внутренний «защитный» диод. Наличие этого диода внутри полевика обусловлено особенностями технологии производства мощных транзисторов. Иногда он мешает, считается паразитным, однако в большинстве полевых транзисторов без него, как части цельной структуры электронного компонента, не обойтись.

Следовательно, в исправном полевом транзисторе данный диод тоже должен быть исправным. В n-канальном полевом транзисторе данный диод включен катодом к стоку, анодом — к истоку, а в p-канальном — анодом к стоку, катодом — к истоку. Включите мультиметр в режим «прозвонки» диодов. Если полевой транзистор является n-канальным, то красный щуп мультиметра приложите к его истоку (source), а черный — к стоку (drain).

Транзисторы являются одними из самых широко применяемых радиоэлементов. Несмотря на свою надёжность, они нередко выходят из строя, что связано с нарушениями режима в их работе. При этом поиск неисправного элемента в связи со спецификой устройства полевого транзистора вызывает определённые трудности.

Обычно сток находится посередине и соединен с проводящей подложкой транзистора, а истоком является правый вывод (уточните это в datasheet). В случае если внутренний диод исправен, на дисплее мультиметра отобразится прямое падение напряжения на нем – в районе 0,4-0,7 вольт. Если теперь положение щупов изменить на противоположное, то прибор покажет бесконечность. Если все так, значит внутренний диод исправен.


Порядок измерений.

Проверка цепи сток-исток

Полевой транзистор управляется электрическим полем затвора. И если емкость затвор-исток зарядить, то проводимость в направлении сток-исток увеличится. Итак, если транзистор является n-канальным, приложите черный щуп к затвору (gate), а красный — к истоку, и через секунду измените расположение щупов на противоположное — красный к затвору, а черный — к истоку. Так мы сначала наверняка разрядили затвор, а после — зарядили его. Затвор обычно слева, а исток — справа.

Теперь красный щуп переместите с затвора — на сток, а черный пусть останется на истоке. Если транзистор исправен, то как только вы переместите красный щуп с затвора на сток, мультиметр покажет что на стоке есть падение напряжения — это значит, что транзистор перешел в проводящее состояние.

Теперь красный щуп на исток, а черный — на затвор (разряжаем затвор противоположной полярностью), после чего снова красный щуп на сток, а черный — на исток. Прибор должен показать бесконечность — транзистор закрылся. Для p-канального полевого транзистора щупы просто меняются местами.


Проверка транзистора без выпаивания.

Если прибор запищит

Если на этапе проверки сток-исток прибор запищит, это может быть вполне нормальным, ведь у современных полевых транзисторов сопротивление сток-исток в открытом состоянии бывает очень маленьким. Как вариант, можно соединить затвор с истоком и в таком положении прозвонить сток-исток (для n-канального красный на сток, черный — на исток), прибор должен показать бесконечность.

Главное — чтобы не было звона затвор-исток и сток-исток, особенно в тот момент когда затвор заряжен противоположной полярностью.

Смещение делителем напряжения

Устойчивое смещение эмиттера требует низковольтного источника смещения базы (рисунок ниже). Альтернативой источнику базы Vсмещ является делитель напряжения, питаемый источником питания коллектора Vпит.

Смещение делителем напряжения заменяет источник напряжения базы на делитель напряжения

Технология проектирования заключается в том, чтобы сначала разработать схему смещения эмиттера, затем преобразовать ее в схему смещения базы с помощью делителя напряжения, используя теорему Тевенина. Этапы графически показаны на рисунке ниже. Нарисуем делитель напряжения, не присваивая номиналов резисторов. Отделите делитель от базы (база транзистора является его нагрузкой). Примените теорему Тевенина, чтобы получить эквивалентные одно сопротивление Тевенина RТев и один источник напряжения VТев.

Теорема Тевенина преобразует делитель напряжения в один источник напряжения VТев и одно сопротивление RТев

Эквивалентное сопротивление Тевенина – это сопротивление от точки нагрузки (стрелка) при уменьшении напряжения батареи (Vпит) до 0 (земля). Другими словами, R1 || R2. Эквивалентное напряжение Тевенина представляет собой напряжение разомкнутой цепи (снятая нагрузка). Этот расчет осуществляется методом коэффициента деления делителя напряжения. R1 получается путем исключения R2 из пары формул для RТев и VТев. Ниже приведена формула расчета R1, исходя из значений RТев, VТев и Vпит

Обратите внимание, что RТев представляет собой RБ, резистор смещения из схемы смещения эмиттера. Также ниже приведена формула расчета R2, исходя из значений R1 и RТев

\

\

\\]

\\]

\ = { 1 \over R1 } \cdot { 1 \over \text f }\]

\

\

Преобразуем предыдущий пример смещение эмиттера в смещение с помощью делителя напряжения.

Пример смещения эмиттера, преобразованный в смещение с помощью делителя напряжения

Эти значения были ранее выбраны или расчитаны для примера смещения эмиттера.

\(\beta = 100 \qquad I_Э \approx I_К = 1 мА \qquad V_{пит} = 10 В \qquad V_{смещ} = 1,5 В \qquad R_Э = 470 Ом \)

\ = 100 \left = 33 кОм\]

Подстановка значений Vпит, Vсмещ и RБ даст в результате значения R1 и R2 для схемы смещения с делителем напряжения.

\

\

\

\

\

Значение R1 равно стандартному значению 220 кОм. Ближайшее стандартное значение для R2, равного 38,8 кОм, рано 39 кОм. Это не сильно изменить IЭ, чтобы его рассчитывать.

Задача: Рассчитаем резисторы смещения для каскодного усилителя на рисунке ниже. VБ2 – это напряжение смещения каскада с общим эмиттером. VБ1 – это довольно высокое напряжение 11,5 В, потому что мы хотим, чтобы каскад с общей базой удерживал напряжение на эмиттере на уровне 11,5 – 0,7 = 10,8 В, примерно 11 В. (Это будет 10 В после учета падения напряжения на RБ1.) То есть, каскад с общей базой является нагрузкой, заменяющей резистор, коллектора каскада с общим эмиттером. На нужен ток эмиттера 1 мА.

Смещение для каскодного усилителя

\( V_{пит} = 20 В \qquad I_Э = 1 мА \qquad \beta = 100 \qquad V_A = 10 В \qquad R_{нагр} = 4,7 кОм \)

\( V_{смещ1} = 11,5 В \qquad V_{смещ2} = 1,5 В \)

\[ I_Э = {V_{смещ} — V_{БЭ} \over R_Б / \beta +R_Э } \]

\[R_{Б1} = { V_{смещ} — V_{БЭ} \over I_Э / \beta } = { (V_{смещ1} — V_A) — V_{БЭ} \over I_Э / \beta } = { (11,5 — 10) — 0,7 \over 1 мА / 100 } = 80 кОм\]

\[R_{Б2} = { V_{смещ2} — V_{БЭ} \over I_Э / \beta } = { (1,5) — 0,7 \over 1 мА / 100 } = 80 кОм\]

Задача: Преобразуем резисторы смещения базы в каскодном усилителе в резисторы схемы смещения с делителем напряжения, питающимся от Vпит 20 В.

\

\

\

\

\

\

\

\

\( R2 = 210 кОм \)

\

\

\

\

\

\

\

\

\

\( R4 = 86,5 кОм \)

Окончательная схема показана в главе 9 «Практические аналоговые схемы» в разделе «Радиочастотные схемы» под названием «Каскодный усилитель класса A…».

Смещение с постоянной базой и смещение с постоянным сопротивлением

Схема имеет базовый резистор RB, который соединяет базу и напряжение постоянного тока. Тут соединение базы-эмиттера у транзистора, который смещён за счёт снижения напряжения через RB, что является результатом течения IB через него.

Здесь величины напряжения постоянного тока и VBE постоянны, в то время как величина RB постоянна с момента создания схемы. Это приводит к постоянной величине для IB за счёт постоянного операционного усилителя. Благодаря последнему данная схема называется смещением с постоянной базой. Этот вид смещения – результат стабилизирующего фактора (ß + 1), который приводит к очень низкой термической стабильности.

Причина этого кроется в том, что ß – параметр транзистора непредсказуем, и сильно изменяется, даже если транзисторы одного типа и модели. Это изменение в ß выражается в больших изменениях в Ic, которые не могут быть компенсированы никакими средствами при проектировании. Отсюда можно сделать вывод, что этот вид смещения, зависящего от ß, подвержен изменениям в операционном усилителе, возникающим из за изменений в характеристиках транзистора и температуры.

Как бы там ни было, стоит отметить, что смещение с постоянной базой наиболее простое и использует меньше деталей. Более того, оно даёт пользователю возможность менять операционный усилитель где угодно в активной зоне просто за счёт смены значения RB в проектировании. Также оно предлагает не загружать источник как соединение базы-эмиттера без резистора. Благодаря этим факторам, этот тип смещения используется при коммутации и для достижения автоматического контроля за коэффициентом усиления в транзисторах.

Расчёт ключевого режима транзисторного каскада

Расчёт ключевого режима транзисторного каскада производится абсолютно так же, как и ранее проведённый расчёт усилительного каскада. Отличие заключается только в том, что ключевой режим предполагает два состояния транзистора в режиме покоя (без сигнала). Он, или закрыт (но не закорочен), или открыт (но не перенасыщен). При этом, рабочие точки «покоя», находятся за пределами точек А и С изображённых на ВАХ. Когда на схеме в состоянии без сигнала транзистор должен быть закрыт, необходимо из ранее изображённой схемы каскада удалить резистор Rб1. Если же требуется, чтобы транзистор в состоянии покоя был открыт, необходимо в схеме каскада увеличить резистор Rб2 в 10 раз от расчётного значения, а в отдельных случаях, его можно удалить из схемы.

Расчёт транзисторного каскада окончен.

Оцените статью:
Оставить комментарий